1. The method is particularly suitable of use in the activation of Mg acceptors in GaN.

Le procédé selon l'invention est utilisé notamment pour l'activation d'accepteurs Mg dans GaN.

2. Light emitting diode and laser diode using n-face gan, inn, and ain and their alloys

Diode électroluminescente et diode laser dans lesquelles sont utilisés du gan, du inn et du aln et leurs alliages face azote

3. An exposure is thereafter aligned with the GaN epitaxial layer while referencing the second alignment marks (120).

Ensuite, en référence aux seconds repères d'alignement (120), le positionnement d'exposition par rapport à la couche épitaxiale GaN est effectué.

4. An active layer of single crystal III-N material is grown on the GaN structure and substantially crystal lattice matched thereto.

Une couche active d'un matériau monocristallin à base de nitrure du groupe III est mise en croissance sur la structure à base de nitrure de gallium (GaN) et sur le réseau sensiblement cristallin adapté à cette dernière.

5. Gallium nitride (GaN) and its related alloys have opened up the road to efficient solid state lighting with white light emitting diodes (LEDs) replacing conventional fluorescent tubes.

Le nitrure de gallium (GaN) et les alliages associés ont ouvert la voie à un éclairage à état solide efficace dans lequel les tubes fluorescents traditionnels sont remplacés par des diodes électroluminescentes (DEL) blanches.

6. As was stated above, on the basis of the recovery plan, GAN should have achieved profits of FRF 120 million in 1996 and FRF 1,574 billion in 1997.

On a rappelé ci-dessus que sur la base de ce plan, le GAN aurait dû enregistrer un bénéfice de 120 millions en 1996 et de 1 574 millions en 1997.