1. The method is particularly suitable of use in the activation of Mg acceptors in GaN.

Das Verfahren ist besonders geeignet zur Aktivierung von Mg-Akzeptoren in GaN.

2. Gallium nitride (GaN) and its ternary alloys of aluminium or indium are the most promising semiconductors for fabricating optoelectronic, high-frequency and high-power devices.

Galliumnitrid (GaN) und seine ternären Legierungen von Aluminium oder Indium stellen die vielversprechendsten Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dar.

3. Gallium nitride (GaN) and its related alloys have opened up the road to efficient solid state lighting with white light emitting diodes (LEDs) replacing conventional fluorescent tubes.

Galliumnitrid (GaN) und seine verwandten Legierungen haben den Weg zu effizientem "solid state lighting" geebnet, bei dem weiße Leuchtdioden (LEDs) herkömmliche Leuchtstoffröhren ersetzen.

4. As was stated above, on the basis of the recovery plan, GAN should have achieved profits of FRF 120 million in 1996 and FRF 1,574 billion in 1997.

Es wurde bereits darauf hingewiesen, daß die GAN auf der Grundlage dieses Plans 1996 Gewinne in Höhe von 120 Millionen und 1997 in Höhe von 1 574 Millionen hätte erwirtschaften müssen.

5. InN is a new narrow gap semiconductor (<0.7eV) which alloys with GaN (3.5eV) and AIN (6.2eV), allowing the spectral range from telecom to hard UV wavelengths to be covered.

InN ist ein neuer Verbindungshalbleiter mit einem schmalen Bandabstand (&lt;0,7 eV), der mit Galliumnitrid (GaN, 3,5 eV) sowie Aluminiumnitrid (AlN, 6,2 eV) Legierungen bilden kann, so dass der Spektralbereich von der Telekommunikation bis zu den Wellenlängen im harten UV-Bereich abgedeckt werden kann.