1. Vertical Junction Field Effect Transistor

transistor à effet de champ à jonction verticale

2. Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Structure de transistor a effet de champ aux jonctions source/drain abruptes

3. A junction field effect transistor comprises a silicon-on-insulator architecture.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ à jonctions qui comprend une architecture silicium sur isolant (SOI).

4. A p-type field effect transistor (PFET) and an n-type field effect transistor (NFET) are formed by patterning of a gate dielectric layer, a thin silicon layer, and a silicon-germanium alloy layer.

Selon l'invention, un transistor à effet de champ du type p (PFET) et un transistor à effet de champ du type n (NFET) sont formés par formation de motifs sur une couche diélectrique de grille, une couche mince de silicium et une couche d'alliage silicium-germanium.

5. Circuit arrangement, and junction field effect transistor suitable for use in such a circuit arrangement

Agencement de circuit et transistor a effet de champ de jonction utilisable dans ledit agencement

6. According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor.

Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonctions verticales SiC normalement bloqué.

7. A Darlington-type amplifier (10) having an input field effect transistor and an output bipolar transistor (T¿2?)

Un amplificateur (10) de type darlington ayant un transistor d'entrée à effet de champ et un transistor bipolaire de sortie (T¿2?)

8. A manufacturing method of tunneling field effect transistor (TFET) based on flat face processing self-aligned is provided.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à tunnel (TFET) par traitement sur face plane avec auto-alignement.