1. Vertical Junction Field Effect Transistor

Vertikal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor (Vertical Junction Field Effect Transistor)

2. Drive circuitry for a mos field effect transistor

Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors

3. is connected to the drain electrode of the first field effect transistor (102).

ist mit der Drain-Elektrode des ersten Feldeffekt-Transistors (102) verbunden.

4. A European research group is the first that has developed an organic light emitting field effect transistor.

Nun wurde durch eine europäische Forschergruppe erstmalig ein organischer, leuchtender Feldeffekttransistor entwickelt.

5. This has led to the production of an organic light-emitting field-effect transistor (OLET) with pronounced ambipolar current characteristics.

Die Forschungen zum Injektionslaser-Verfahren bei organischen Halbleitern im festen Aggregatzustand wurden fortgesetzt.

6. The cathode-end emitter region and the adjacent emitter region form the source and drain of a MOS field-effect transistor.

Die kathodenseitige Emitterzone und die benachbart liegende Emitterzone bilden Source und Drain eines MOS-Feldeffekttransistors.

7. The invention relates to a field effect transistor with a heterostructure, comprising a support material, which has a stress-relieved monocrystalline semiconductor layer (3) consisting of a first semiconductor material (Si), a strained monocrystalline semiconductor layer (4), which has a semiconductor alloy (GexSi1-x), a fraction x of a second semiconductor material being freely selectable.

Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor mit Heteroschichtstruktur, wobei auf einem Trägermaterial, das als oberste Schicht eine entspannte monokristalline Halbleiterschicht (3) aus einem ersten Halbleitermaterial (Si) eine verspannte monokristalline Halbleiterschicht (4) ausgebildet wird, die eine Halbleiterlegierung (GexSi1-x) aufweist, wobei ein Anteil x eines zweiten Halbleitermaterials frei einstellbar ist.