1. Vertical Junction Field Effect Transistor

transistor à effet de champ à jonction verticale

2. Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Structure de transistor a effet de champ aux jonctions source/drain abruptes

3. A junction field effect transistor comprises a silicon-on-insulator architecture.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ à jonctions qui comprend une architecture silicium sur isolant (SOI).

4. A Darlington-type amplifier (10) having an input field effect transistor and an output bipolar transistor (T¿2?)

Un amplificateur (10) de type darlington ayant un transistor d'entrée à effet de champ et un transistor bipolaire de sortie (T¿2?)

5. A p-type field effect transistor (PFET) and an n-type field effect transistor (NFET) are formed by patterning of a gate dielectric layer, a thin silicon layer, and a silicon-germanium alloy layer.

Selon l'invention, un transistor à effet de champ du type p (PFET) et un transistor à effet de champ du type n (NFET) sont formés par formation de motifs sur une couche diélectrique de grille, une couche mince de silicium et une couche d'alliage silicium-germanium.

6. Circuit arrangement, and junction field effect transistor suitable for use in such a circuit arrangement

Agencement de circuit et transistor a effet de champ de jonction utilisable dans ledit agencement

7. According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor.

Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonctions verticales SiC normalement bloqué.

8. A manufacturing method of tunneling field effect transistor (TFET) based on flat face processing self-aligned is provided.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à tunnel (TFET) par traitement sur face plane avec auto-alignement.

9. As an alternative to the cited bipolar transistors, the inventive transistor circuit also comprises correspondingly interconnected field-effect transistors.

A la place des transistors bipolaires mentionnés, le circuit à transistors selon l'invention peut présenter en outre des transistors à effet de champ connectés de manière appropriée.

10. In addition, the memory transistor has a gate-controlled memory effect.

De plus, le transistor de mémoire possède un effet de mémoire à commande par la grille.

11. Junction Field Effect Transistors (JFETs)

les transistors à effet de champ à jonction (JFET);

12. Circuits using four terminal junction field effect transistors (JFETs) are disclosed.

La présente invention concerne des circuits utilisant quatre transistors à effet de champ à jonction (JFET) terminaux.

13. Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Transistors a effet de champ, a heterojonction, avec alliages au silicium-germanium et silicium-carbone

14. The devices include diodes, bipolar junction transistors, and field effect transistors.

Lesdits dispositifs sont, entre autres, des diodes, des transistors bipolaires à jonctions et des transistors à effet de champ.

15. Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes

Transistors à effet de champ à jonction à effet tunnel ayant des électrodes de source et de grille autoalignées

16. Three terminal noninverting transistor switch

Commutateur a transistor non inverseur a trois bornes

17. The storage transistor and the access transistor are serially coupled between a bit line and a source line.

Le transistor de stockage et le transistor d'accès sont couplés en série entre une ligne de bits et une ligne de source.

18. Two transistor ternary random access memory

Mémoire d'accès aléatoire ternaire à deux transistors

19. Memory including bipolar junction transistor select devices

Mémoire comprenant des dispositifs de sélection de transistor à jonction bipolaire

20. Unit consisting of two junction field effect transistors contained in a dual lead frame housing

Unité composée de deux transistors à effet de champ à jonction, placée dans un boîtier double pour grille de connexion

21. 1959 The transistor-based computers comes into use.

1959 Les ordinateurs transistorisés entrent en usage.

22. Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Transistors à effet de champ à jonction au germanium et des alliages de silicium-germanium et procédé de fabrication et d'utilisation

23. A matrix-addressable array of integrated transistor/memory structures

Reseau a adressage matriciel de structures de transistor/memoire integrees

24. Semiconductor with field effect transistors therein has a substantial metallic source bridge joining the adjacent FET sources.

L'invention se rapporte à une puce de semiconducteur dans laquelle sont incorporés des transistors à effet de champ et qui comprend un pont de source essentiellement en métal reliant les sources de transistors à effet de champ adjacentes.

25. The access hole is kept as small as possible to minimize its effect on the field distribution.

Le trou d'accès doit rester le plus petit possible afin d'en réduire l'effet sur la répartition du champ.

26. High voltage esd protection featuring pnp bipolar junction transistor

Protection esb haute tension caractérisant un transistor à jonction bipolaire pnp

27. The drive includes a resistor and an output transistor.

Le circuit d'attaque comporte une résistance et un transistor de sortie.

28. • The transistor - which sets the stage for modern computing

• Le transistor qui prépare le terrain pour l'informatique moderne

29. We have adjusted the magnetic field to compensate for the normal loss of gravitational effect and atmospheric pressure

Il nous rend indépendants... de l' attraction et de la pression atmosphérique

30. The devices that computers use are what's called a transistor.

Les éléments de base utilisés par les ordinateurs sont appelés les transistors.

31. TFT-LCD (Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) computer monitors

Moniteurs informatiques TFT-LCD (écrans à matrice active - écrans à cristaux liquides)

32. Transistor-based computers had several distinct advantages over their predecessors.

Les ordinateurs à transistors avaient plusieurs avantages certains par rapport à leurs prédécesseurs.

33. The Franz–Keldysh effect is a change in optical absorption by a semiconductor when an electric field is applied.

L'effet Franz – Keldysh est une modification de l'absorption optique par un semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.

34. Improved transistor design for use in advanced nanometer flash memory devices

Conception de transistors améliorée destinée à être utilisée dans les dispositifs à mémoire flash nanométriques perfectionnés

35. Voltage-source thin film transistor driver for electroluminescent active matrix displays

Circuit d'attaque a transistors a couches minces et a source de tension pour afficheurs electroluminescents a matrice active

36. plus the absolute value of a transistor threshold voltage V¿t?.

plus la valeur absolue d'une tension seuil de transistor V¿t?.

37. Back-illuminated photo-transistor arrays for computed tomography and other imaging applications.

Arrangements de phototransistors rétro-éclairés permettant une tomodensitométrie et d'autres applications d'imagerie.

38. Conversely, any effect observed in an accelerated reference frame should also be observed in a gravitational field of corresponding strength.

Inversement, tout effet observé à cause de l'accélération du cadre de référence devrait être observé dans un champ gravitationnel de force correspondante.

39. Bipolar junction transistor with spacer layer and method of manufacturing the same

Transistor bipolaire à jonctions avec couche intercalaire et procédé pour sa fabrication

40. The effect proportional to the square of the electric field can exist only in crystals belonging to acentric point groups of symmetry.

L'effet proportionnel au carré du champ électrique ne peut exister que dans des cristaux appartenant à des groupes acentriques de symétrie ponctuels.

41. Silicon carbide bipolar junction transistor comprising shielding regions and method of manufacturing the same

Transistor à jonction bipolaire au carbure de silicium comprenant des zones de blindage et son procédé de fabrication

42. Fin field effect transistors can be formed on the at least one silicon-germanium alloy fin and the at least one silicon fin.

Des transistors à effet de champ à ailette peuvent être formés sur l'au moins ailette en alliage de silicium-germanium et l'au moins ailette de silicium.

43. The slices (5) may be removed by utilizing triode alternating current switches, silicone controlled rectifiers, insulated gate bipolar transistors or field effect transistors.

Les tranches (5) peuvent être éliminées par utilisation de commutateurs à courant alternatif à triodes, de redresseurs commandés en silicium, de transistors bipolaires à grille isolée ou de transistors à effet de champ.

44. The acoustic screen scan microscope makes use of the damping of a resonant acoustic oscillator (2) through the acoustic short-range field effect.

Un microscope à balayage acoustique met à profit l'amortissement d'un oscillateur acoustique résonant (2) au moyen de l'effet de champ proche acoustique.

45. And if you're thinking of the brain as a computer, this is the transistor.

Et si vous pensez au cerveau comme à un ordinateur, c'est le transistor.

46. Bipolar transistor with an improved base emitter junction and method for the production thereof

Transistor bipolaire a jonction base-emetteur amelioree et procede de production

47. Logical circuit where path transistor circuit and cmos circuit are combined, and its combination method

Circuit logique combinant un circuit a transistors a canaux et un circuit cmos, et procede mettant en oeuvre cette combinaison

48. Moore's Law has held true with transistor numbers and computing power increasing while prices decrease.

La loi de Moore a tenu la route un bon moment, le nombre de transistors et la puissance de calcul augmentant alors que les prix diminuaient.

49. Recorded computer programs, all the aforesaid goods other than in connection with diode-transistor logics

Programmes informatiques stockés, tous les produits précités sans rapport avec la logique de diode-transistor

50. According to the guidelines a transistor radio should be part of any air raid shelter's equipment.

Selon les directives, un poste de radio fait partie du nécessaire dans un abri de protection.

51. In the 1960s, when transistor-based computer systems were introduced and computers became more popular,

Dans les années 1960, lorsque les systèmes informatiques à transistors ont été créés et que les ordinateurs ont commencé à se répandre

52. An OFET includes a thick dielectric layer with openings in the active region of a transistor.

L'invention concerne un transistor à effet de champ organique (OFET) comprenant une couche diélectrique épaisse dotée d'ouvertures ménagées dans la région active d'un transistor.

53. Al ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY DEVICE

PELLICULE D’ALLIAGE D’Al POUR DISPOSITIF D’AFFICHAGE, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE, LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

54. Transistor structures having channel regions comprising alternating layers of compressively and tensilely strained epitaxial materials are provided.

La présente invention concerne des structures de transistors possédant des régions de canal comprenant des couches alternées de matériaux épitaxiaux contraints par compression et tension.

55. A gate structure for a vertical transistor is formed adjacent to a sidewall of the trench.

Une structure de grille pour transistor vertical est adjacente à une paroi latérale de la tranchée.

56. The deep recessed P+ junction may be deeper than a termination structure in the transistor device.

La jonction P+ profondément en retrait peut être plus profonde qu'une structure de terminaison dans le dispositif transistor.

57. Semiconductor thin film, method for producing same, thin film transistor and active-matrix-driven display panel

Couche mince de semi-conducteur, procede de production de celle-ci, transistor a couches minces et panneau d'affichage commande par une matrice active

58. Further diamond layers are deposited on the growth surface to define the active regions of the transistor.

D'autres couches de diamant peuvent être déposées sur la surface de croissance pour définir les régions actives du transistor.

59. Only when the bit line voltage is high will the additional voltage sink transistor (72) be used.

Le transistor supplémentaire à puits de courant (72) ne sert que lorsque la tension de la ligne de bits est élevée.

60. Cascode-type dimming switch using a bipolar junction transistor for driving a string of light emitting diodes

Variateur d'intensité de type cascode utilisant un transistor à jonctions bipolaires pour entraîner une guirlande de diodes électroluminescentes

61. The absorption chiller (10) may be a single-effect, double-effect or triple-effect absorption chiller.

Le condenseur d'absorption peut être un condenseur d'absorption à effet simple, double ou triple.

62. Also disclosed is a display device comprising a thin-film transistor that comprises the Cu alloy film.

L'invention concerne également un dispositif d'affichage qui comprend un transistor en film mince qui contient le film d'alliage de Cu.

63. The HBT transistor absorbs energy from the electrostatic discharge and clamps the over- voltage across the terminals.

Le transistor HBT absorbe l'énergie à partir de la décharge électrostatique, et immobilise la surtension à travers les bornes.

64. A laser diode supply circuit comprises a laser diode (LD1) connected in series with a junction transistor (TR1).

Un circuit d'alimentation pour une diode laser comprend une diode laser (LD1) raccordée en série avec un transistor à jonction (TR1).

65. A bit line (718) is connected to the current path of each access transistor in the first column.

Une ligne de bit (718) est connectée au chemin de courant de chaque transistor d'accès dans la première colonne.

66. A first driver amplifier drives the push transistor of the push-pull amplifier with a first RF signal.

Un premier amplificateur de commande commande le transistor push de l'amplificateur symétrique au moyen d'un premier signal RF.

67. In a preferred embodiment of the display device, the thin-film transistor has a bottom gate-type structure, and a gate electrode and scanning lines in the thin-film transistor comprise the Cu alloy film and are in direct contact with the glass substrate.

Dans un mode de réalisation préféré du dispositif d'affichage, le transistor en film mince présente une structure de base de type grille et une électrode de grille et les lignes de balayage du transistor en film mince comprenent le film d'alliage de Cu et sont en contact direct avec le substrat de verre.

68. The effect of soil water deficits on net photosynthesis, transpiration, stomatal activity, twig xylem pressure potentials, and cambial growth were studied in large, field-grown Douglas-fir (Pseudotsugamenziesii (Mirb.)

L'effet des déficits en eau du sol sur la photosynthèse nette, la transpiration, l'activité stomatale, les potentiels de tension dans le xylem au niveau des rameaux et la croissance cambiale furent étudiés de façon générale, dans une plantation de sapin de Douglas (Pseudotsugamenziesii (Mirb.)

69. [alphanumeric field]

[Champ alphanumérique]

70. Longitudinal field driven field asymmetric ion mobility filter and detection system

Filtre de mobilite ionique a champ asymetrique commande par un champ longitudinal et systeme de detection

71. An author of over 200 articles, Askaryan made a significant contribution to the field of high energy physics (see Askaryan effect and ANITA (Antarctic Impulsive Transient Antenna)), acoustics, and optics.

Auteur de plus de 200 articles, Askaryan a contribué de façon significative à la physique des hautes énergies, en particulier avec l'effet Askaryan et l'expérience ANITA (Antarctic Impulsive Transient Antenna), ainsi que dans les domaines de l'acoustique et de l'optique.

72. The processor elements are implemented as CMOS/neuron MOS threshold value logic elements or CMOS/NMOS pass transistor logic elements.

Les éléments processeurs sont réalisés sous la forme d'éléments de logique de valeur de seuil CMOS/neurone-MOS ou d'élément de logique transistor de passage CMOS/à canal MOS-N.

73. The system further has a DC magnetic field generator (14) for erasing an AC field previously generated by the AC magnetic field generator (is), the AC magnetic field generator being positioned between the DC magnetic field generator and the magnetic field sensing unit (16).

Le système comprend en outre un générateur de champ magnétique à courant continu (14) afin d'éliminer un champ à courant alternatif préalablement généré par le générateur de champ magnétique à courant alternatif (15), le générateur de champ magnétique à courant alternatif étant positionné entre le générateur de champ magnétique à courant continu et l'unité de détection de champ magnétique (16).

74. The Detail code field is adjacent to the "Basis of Estimate" field.

Le champ du code du niveau de détail est adjacent à celui de la méthode d'estimation.

75. The "Detail" code field is adjacent to the "Basis of Estimate" field.

Le champ du code du niveau de détail est adjacent à celui de la méthode d'estimation.

76. The data structures further include the profile field and the access control field.

Les structures de données comprennent en outre le champ de profil et le champ de commande d'accès.

77. It is established for temperatures ranging from 140 to 320 K that longitudinal optic (LO) and acoustic (A) phonons operate simultaneously and exclusively so that . The first term, resulting from the Franz–Keldysh effect applied to the mean square field produced by LO phonons, provides the value of this field.

On montre, pour les températures comprises entre 140 et 320 K, que les phonons LO et acoustiques (A) agissent simultanément, selon la relation . Le premier terme, résultant de l'effet Franz–Keldysh dû au carré moyen du champ produit par les phonons LO, permet d'estimer ce champ à 105 V cm−1 à température ambiante.

78. Activities of field presences

Activités des présences sur le terrain

79. Other Israeli field activities

Autres activités israéliennes

80. • an illegal special character is in a field defined as an alphanumeric field only;

• Un caractère illégal spécial dans une zone définie comme une zone alphanumérique seulement.