semi-conducteur in Vietnamese

@semi-conducteur
danh từ giống đực
- (chất) bán dẫn
tính từ
- bán dẫ

Sentence patterns related to "semi-conducteur"

1. Selon l'invention, le semi-conducteur comprend au moins un semi-conducteur composé à base de chalcogénure métallique comme substance absorbante optique ou est intégralement constitué de ce semi-conducteur.

2. Capteur microfluidique à semi-conducteur

3. Pellicule adhesive pour semi-conducteur

4. De plus, le second matériau semi-conducteur comprend un alliage du premier matériau semi-conducteur avec un composant d'alliage.

5. Procédé de brunissage d'un disque semi-conducteur

6. Activateur de flux, composition de résine adhésive, pâte adhésive, film adhésif, procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur

7. Pointe de sonde évoluée pour test de semi-conducteur

8. Fil de connexion en alliage de cuivre pour semi-conducteur

9. Matériau d’anode comprenant une couche uniforme d’alliage metal/semi-conducteur

10. Appareil de stockage semi-conducteur a connexion par technologie avancee serielle

11. Dispositif d'alignement d'une tranche de semi-conducteur sur un porte-tranche

12. CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'ALLIAGE Cu-Mn ET CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR

13. J'ai travaillé sur les mémoires à semi-conducteur pour ma thèse.

Tôi đã làm đề tài luận văn tốt nghiệp về bộ nhớ bán dẫn.

14. Circuit logique, circuit décodeur d'adresse et dispositif de stockage semi-conducteur

15. Matériau de blindage semi-conducteur au noir d'acétylène à traitement amélioré

16. Film conducteur anisotrope, et dispositif à semi-conducteur utilisant celui-ci

17. Clef a semi-conducteur pour controler l'acces au logiciel de l'ordinateur

18. Convertisseur n/a et circuit intégré semi-conducteur utilisant ledit convertisseur

19. Semi-conducteur d'oxyde amorphe de type p comprenant du gallium, procede de fabrication de ce semi-conducteur, cellule solaire comprenant celui-ci et procede de fabrication de ladite cellule solaire

20. Circuit convertisseur a/n et dispositif de capture d'image à semi-conducteur

21. Dispositif a semi-conducteur avec cablage en reseau et procede de fabrication associe

22. Accueil > L'Encyclopédie canadienne > Informatique > Semi-conducteur et transistor Pour imprimer

23. Matrices mémoires possédant des structures à semi-conducteur adjacentes sensiblement verticales et leur formation

24. Systemes d'immersion de plaquette a semi-conducteur et traitements correspondants, a energie acoustique modulee

25. L'interféromètre (12) possède un amplificateur optique (38) à semi-conducteur couplé à chaque bras.

26. Condensateur pour dispositif semi-conducteur et procede d'obtention d'une couche dielectrique pour ce condensateur

27. Interrupteur différentiel, convertisseur n/a, circuit intégré à semi-conducteur et dispositif de communication

28. La présente invention concerne un semi-conducteur organique à nanotube de carbone, son procédé de production, et un transistor pour capteur chimique l'utilisant et, plus particulièrement, un semi-conducteur organique à nanotube de carbone, son procédé de production, et un transistor pour capteur chimique l'utilisant, le semi-conducteur organique à nanotube de carbone étant une couche de semi-conducteur organique qui constitue un transistor en couches minces organique, la couche de semi-conducteur organique comprenant un polymère conjugué et un nanotube de carbone à paroi unique, le nanotube de carbone à paroi unique ayant des propriétés semi-conductrices et étant enveloppé par le polymère conjugué.

29. Dispositif à semi-conducteur avec alignement de canal et silicium contraint et procédé de fabrication

30. Heterostructures de semi-conducteur presentant un alliage de carbure de silicium cristallin et de germanium

31. h. commutateurs, diodes ou ‘modules’ de puissance à semi-conducteur présentant toutes les caractéristiques suivantes:

32. Le procédé consiste à préparer un substrat semi-conducteur porteur (1) dopé, à réaliser une couche de séparation (2), par exemple une couche poreuse, sur une surface du substrat semi-conducteur porteur, à isoler une couche semi-conductrice dopée (3) au moyen de la couche de séparation, et à libérer la couche semi-conductrice isolée du substrat semi-conducteur porteur.

33. La présente invention concerne un semi-conducteur d'oxyde amorphe de type p comprenant du gallium, un procédé de fabrication de ce semi-conducteur, une cellule solaire comprenant celui-ci et un procédé de fabrication de la cellule solaire.

34. Des dispositifs à circuit intégré sont formés par agencement séquentiel d'un ou plusieurs niveaux de matériau semi-conducteur sur un substrat accepteur, et fabrication de circuiterie sur chaque niveau de matériau semi-conducteur avant l'agencement d'un niveau supérieur suivant.

35. Detecteur de rayonnement a heterostructure de semi-conducteur pour longueurs d'onde de la zone spectrale infrarouge

36. L'empilement multicouche semi-conducteur (130) comprend un puits quantique qui comprend un alliage Cd(Mg)ZnSe.

37. Le circuit semi-conducteur comprend un circuit arithmétique (totaliseurs 1-3) et un temporisateur (mémoire 4).

38. Tout rayonnement électromagnétique incident sur la surface sensible de l'élément à semi-conducteur traverse l'élément optique.

39. Les ondes renvoyées par l'objet à tester sont évaluées, du fait que les oscillations produites dans un cristal à semi-conducteur par les ondes ultrasonores renvoyées sont détectées par des transducteurs acousto-électriques disposés sur le cristal à semi-conducteur.

40. L'invention concerne une puce laser à semi-conducteur à émission par la tranche comprenant une zone active (14) dans laquelle un rayonnement électromagnétique est généré pendant le fonctionnement de la puce laser à semi-conducteur (1), ainsi qu'au moins une bande de contact structurée (2) qui est structurée de sorte qu'une injection de porteurs de charge dans la zone active (14) diminue en allant vers le côté de la puce laser à semi-conducteur (1) où se trouve une facette de sortie (3) de la puce laser à semi-conducteur (1).

41. Elle concerne également un vecteur (124) de valeurs caractéristiques initiales associées au dispositif à semi-conducteur (200).

42. F 24 J 2/00 --- F 03 G 6/00; dispositifs à semi-conducteur spécialement adaptés pour ---

43. Dispositifs à semi-conducteur non plans ayant des ailettes auto-alignées avec des couches de blocage supérieures

44. L'invention concerne un dispositif électroluminescent qui, selon un mode de réalisation, comprend : un substrat d'oxyde de gallium ; une couche de nitrure d'oxyde de gallium sur le substrat d'oxyde de gallium ; une couche de semi-conducteur conductrice primaire sur la couche de nitrure d'oxyde de gallium ; une couche active sur la couche de semi-conducteur conductrice primaire ; et une couche de semi-conducteur conductrice secondaire sur la couche active.

45. Le dispositif (4; 4') comprend un substrat semi-conducteur (40; 40'), ledit au moins un capteur étant un nano ou microcapteur (41, 42, 43; 41', 42', 43') placé sur ledit substrat semi-conducteur, une logique combinatoire (44, 45, 46; 44', 45', 46'), placée sur le substrat semi-conducteur (40; 40'), étant associée au capteur et ledit au moins un dispositif comportant une interface de données numérique (47; 47').

46. Cette invention concerne un procédé et un appareil de formation de couches semi-conductrices d'alliage métal/semi-conducteur.

47. L'effet Franz – Keldysh est une modification de l'absorption optique par un semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.

48. Le composant semi-conducteur selon l'invention est caractérisé en ce que la constante diélectrique relative ($g(e)¿r?)

49. Circuit de commutation d'un courant et procédé permettant de faire fonctionner un interrupteur de puissance à semi-conducteur

50. L'absorption optique de la région à puits quantique à semi-conducteur varie en fonction des variations du photocourant.