1. 측면 방향의 광추출 효율이 우수하고 기판 절단이 용이한 반도체 발광 소자와,반도체 발광 소자의 제조 방법, 반도체 발광 소자를 포함하는 반도체 발광소자 패키지 및 레이저 가공 장치가 개시된다.

2. 현대 반도체 산업도 마찬가지입니다.

3. 반도체 패키지용 접착필름

4. 반도체 발광소자를 이용한 조명 장치

5. 반도체 조립용 접착 테이프

6. 마이크로 플루이딕 반도체 센서

7. 듀얼 모드 소자, 그를 포함한 반도체 회로 및 반도체 회로의 타이밍 수율 향상 방법

8. 반도체 기업은 스스로 실리콘 웨이퍼 제조 설비를 건설하여 운영했고 반도체 기업의 칩을 제조하는 공정 기술을 개발했다.

9. 반도체 엘이디 제조용 엣칭 챔버

10. 펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저

11. 본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 내부에서 발생한 열을 본딩 시 이용되는 내부커넥터를 이용하여 효과적으로 반도체 장치의 외부로 방출시킬 수 있는 방열 특성이 개선된 반도체 장치에 관한 것이다.

12. 2011년 7월에는 도쿄공업대학과 과학기술진흥기구가 가지고 있던 IGZO 박막 반도체(산화물 반도체)의 특허를 삼성이 라이선스 취득했다.

13. 퓸 제거장치 및 이를 이용한 반도체 제조장치

14. 반도체 칩 테스트용 소켓 및 그 제조 방법

15. 300mm급 반도체 공정장비가 세계대학으로는 두 번째로 도입되었다.

16. 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법

17. 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치가 개시된다. 개시된 레이저 가공 방법은, 동축으로 진행하는 복수의 레이저 빔을 상기 반도체 웨이퍼에 투과시켜 상기 반도체 웨이퍼와 경계를 이루는 상기 금속층의 표면 및 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 인접한 위치에 각각 집광점을 형성한다.

18. 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치

19. 반도체 소재로 만들어져 있습니다. 이어 마이클에게 유방치밀도에 관한

20. 일함수 조절이 가능한 그래핀 배리스터를 포함하는 반도체 소자

21. 한편 일반 산업계에서는 전력 반도체 소자 기술 및 제어 기술의 진보를 배경으로, 대형 교류 발전기를 반도체 전력변환장치에 의해 가변운전하는 시스템이 발전되어 있었다.

22. 그 비밀은 반도체(半導體) 원소의 사용에 있다.

23. 에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치

24. 반도체 저장장치를 위한 알에이아이디 제어기 및 그 제공 방법

25. 우수한 정전기 방전 보호 효과를 나타내는 질화물 반도체 발광소자

26. 만약 우리가 현대의 반도체, 컴퓨터, 모바일 기기와 인터넷에 접근할 수 있었다면?

27. 수소를 이용한 산화아연계 P 형 반도체 박막 및 그 제조방법

28. 왜냐면 반도체 기본 특허들이 이미 있었고 이미 등록되서 생산되고 있었기 때문입니다.

29. 본 발명은 반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지, 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 및 충전제를 포함하며, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 픽업(Pick up) 공정 특성이 우수하고, 웨이퍼, 리드프레임, PCB 기판(PCB Substrate)에 대한 접착력이 우수한 반도체 제조용 접착제 조성물 및 이 조성물의 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 접착필름에 관한 것이다.

30. 저희가 사용한 이 방법은 반도체 산업에서 지난 50년간 성공적으로 사용한 방법이죠.

31. 게이트 턴 오프 사이리스터 (Gate Turn-Off thyristor) - 반도체 소자의 하나.

32. 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하고 제1 반도체 나노입자 및 제1 전도성 고분자를 함유하는 제1 광활성층, 상기 제1 광활성층 상에 위치하는 그래핀층, 상기 그래핀층 상에 위치하고 제2 반도체 나노입자 및 제2 전도성 고분자를 함유하는 제2 광활성층 및 상기 제2 광활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 반도체 나노입자와 상기 제2 반도체 나노입자는 서로 다른 밴드갭을 갖는다.

33. CMOS 이미지 센서는 CMOS(상보성 금속산화막 반도체)를 이용한 고체 촬상 소자이다.

34. 이 발광 다이오드는, 지지기판 상에 위치하고, 질화갈륨 계열의 p형 반도체층, 질화갈륨 계열의 활성층 및 질화갈륨 계열의 n형 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체, 및 지지기판과 반도체 적층 구조체 사이에 위치하는 반사층을 포함한다.

35. 플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

36. 이것은 반도체 조명/에너지 센터의 제 동료로부터 얻은 실제 원자간력현미경(AFM)의 데이터입니다.

37. 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치

38. 본 발명은, 기판 위에 금속 섬을 형성하는 제1단계, 금속 섬 위에 전구체 용액을 공급하는 제2단계 및 전구체 용액을 열처리하여 박막을 수득하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로용 반도체 박막의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 의하면, 금속 섬 위에서 전구체 용액을 열처리하여 반도체 박막을 수득함으로써, 1차(가경화) 및 2차(경화) 열처리 공정을 별도로 진행할 필요가 없게 되어, 비교적 짧은 시간 내에 저비용으로 반도체 박막의 제조가 이루어질 수 있고, 또한 반도체 박막의 결정립을 더욱 크게 형성할 수 있으므로, 품질이 향상된 전자 회로용 반도체 박막을 제조할 수 있게 된다.

39. 그리고 이 특별한 기술은 반도체 산업에서 빌려왔지요. 그래서 비용도 낮고 대량으로 생산할 수 있습니다.

40. 극단파 백색광, 근적외선 및 원자외선을 이용한 반도체 산화물의 복합 광 어닐링 및 소결 방법

41. 이런 바이러스들은 길고 가늘어 우리가 그것들을 이용해 반도체 또는 배터리를 만드는 물질들을 만들어내게 할 수 있습니다.

42. 오랫동안, 전문가가 아닌 아마추어들이 발명가였고 개량자였습니다. 그 범위는 산악 자전거에서부터 반도체, 개인용 컴퓨터, 비행기까지 미쳤죠.

43. 이것은 부피가 큰 튜브가 아니라 감마선 감지기 역할을 하는 얇은 막으로 덮힌 반도체 소재로 만들어져 있습니다.

44. 갈륨을 포함하는 P형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법

45. 반도체 활성층으로 CdSe를 사용한 TFT는 고체 촬상 소자용 1949년에 발표되었으며, 1973년에 액정 디스플레이(LCD)를 구동하는 예가 발표되었다.

46. 플라스팅 용해이거나 100억불의 반도체 칩 공장도 마을의 구식 장인들도 이해할 만한 방법으로 만듭니다. 우선 재료를 넓게 펴고 굽습니다.

47. 그러나 반도체 장치 제조는 인쇄 회로 기판 제조에 비해 상당히 더 비싼 편이므로 최종 제품에 가격이 증가된다.

48. IC Manage는 반도체 회사들에 설계 팀 간의 그들의 IC 설계 데이터베이스를 관리하기위한 설계 데이터 관리소프트웨어를 제공하는 회사이다.

49. 복수의 전압원 컨버터를 이용하는 전력 변환 장치에서, 단락 사고시에 전압원 컨버터를 보호할수 있는 전력 변환 장치가 개시된다. 복수의 전압원 컨버터들을 포함하는 컨버터 암부와 병렬로 연결된 반도체 보호 회로를 구비함으로써, 단락 사고시에 발생한 과전류가 반도체 보호 회로를 통해 흐를 수 있게 한다.

50. 이를 위한 본 발명은 기판의 상측에 형성된 제 1 솔더 볼 및 반도체 칩과, 상기 제 1 솔더 볼의 일부가 노출되도록 상기 반도체 칩과 상기 솔더 볼을 몰딩하는 몰드를 포함하는 하부 반도체 패키지; 및 하면에 형성된 제 2 솔더 볼을 통하여 상기 솔더 볼의 노출부위에 접속되도록 적층되는 상부 반도체 패키지;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 탑 게이트 몰드 방식에 따른 박리현상, 몰드 플래시, 냉납 등의 고질적인 불량을 방지할 수 있고, 소재(material) 선택 및 공정 안정화를 향상시킬 수 있는 효가 있다.

51. 본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다.

52. 그 분석가들은, “반도체 칩이 차지하는 환경 무게 즉 환경 비용은 그 작은 크기를 훨씬 초과한다”고 결론 내린다.

53. 이 방식이 많이 사용된 1970년대 전반부터 1980년대 후반 단계에서는, 철도차량과 같은 대전력을 제어하는 반도체 기기가 발달하지 않은 상태였으며, 가격도 고가였다.

54. 또한, 상기 화합물로부터 유도된 반복단위를 포함하는 고분자 및 보호막 형성용 조성물은 반도체 소자의 제조시 미세하고 정확한 패턴 구현이 가능하다.

55. 또한, 경화체는 고온 내열성 및 가스 배리어성 등이 우수하다. 경화체는, 예를 들면, 반도체 소자의 봉지재나 접착 소재로 적용될 수 있다.

56. 발광 다이오드의 기본은 PN 접합이지만 실제로 발광 효율을 올리기 위해서 이중 이질접합 구조나 양자 우물접합 구조를 이용하며 기술적으로 반도체 레이저와 공통점이 많다.

57. 404 특허(일본어: 404特許)는 화학 회사인 니치아 화학공업이 예전에 보유하고 있던 질화물 반도체 결정막의 성장 방법에 관한 일본의 특허이다.

58. 또한 롤투롤 방식으로 플렉서블 기판을 이송시켜, 그래핀을 성장시키고, 또한 반응가스만을 달리 구성하여, 그래핀의 변형없이도 그래핀 반도체 소자를 대량으로 제조할 수 있다.

59. CMOS (상보성 금속 산화막 반도체) 최신 전계효과 트랜지스터 (FET) 규격표 각년도판 (CQ 출판사) 1968년판(초판)에서 1986년판까지는 개별 특성 그림이 붙여 있다.

60. JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 솔리드 스테이트 기술 협회는 전자 산업의 모든 분야를 대표하는 미국 전자 산업 협회 (EIA)의 반도체 공학 표준체이다.

61. 또한, 본 발명은 간단한 릴레이 스위칭 회로로 구성되고 반도체 스위칭 소자들을 배제함으로써, 상이한 계통 환경에 대해서도 적응적으로 동작가능하고 별도의 변경을 요하지 않는다.

62. 오픈 핸드셋 얼라이언스는 2007년 11월 5일, 구글을 중심으로 34개의 모바일 장치 제조 업체와 애플리케이션 개발자, 일부 통신사와 반도체 제조업체 등과 함께 설립되었다.

63. 상기 반도체 발광 소자는, 사파이어 기판 및 상기 기판의 상면에 적층되며 광을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 질화물 에피층으로 이루어진 질화물 구조물을 포함한다.

64. 이로써, 복수의 부하에 선택적으로 DC/AC 변환된 전압을 공급할 필요가 있는 경우에 반도체 소자의 수를 최소로 하여 비용을 줄이면서도, 부하전류의 감소를 방지할 수 있게 된다.

65. 본 발명에 따른 반도체 패키지용 복합기능 테이프는 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함한다.

66. 본 개시는 n형 3족 질화물 반도체층, p형 3족 질화물 반도체층 및 이들 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 생성되는 활성층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 활성층은, 제1 에너지밴드 갭을 가지는 양자우물층 및 제1 에너지밴드 갭보다 작은 제2 에너지밴드 갭을 가지며, 양자우물층 내에 개재되는 파동함수 국소화 유도층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

67. 본 개시는, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층이 구비된 반도체 발광소자에 있어서, 활성층은, 제1 화합물 반도체로 구비되는 양자 우물층; 및 제2 화합물 반도체로 구비되는 장벽층;을 포함하며, 양자 우물층은, 제1 밴드갭(band gap)을 갖는 제1 서브 양자 우물층; 및 제1 밴드갭과 다른 크기의 제2 밴드갭을 갖는 제2 서브 양자 우물층;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

68. 1957년에, 미국의 제너럴 일렉트릭에 의하여 개발된 사이리스터의 등장 이후, 지금까지의 회전기나 자기, 액체, 기체등을 이용한 것과 달리, 반도체 소자에 의한 전력 변환, 전력 개폐 기술이 발전했다.

69. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

70. 전쟁후에, 통신, 진공관, 반도체 소자같은 전자제품을 생산했으며, 자회사 “신일본 전기” (이후에 일본 전기 홈일렉트로닉스가 되었고, 현재는 사라짐)에 의하여 가전, 무선 통신제품 분야에 진출하게 되었다.

71. 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.

72. 본 발명은 방열 베이스; 적어도 하나 이상의 반도체 광소자를 포함하며 상기 방열 베이스의 저면에 장착되는 발광 모듈; 및 상기 방열 베이스의 양측으로부터 돌출되는 양측 가장자리부를 포함하고, 상기 방열 베이스 상에 배치되는 복수의 방열핀;을 포함하는 것을 특징으로 하여, 하나의 모듈로써 서로 다른 국가에서도 다양한 종류의 배선 연결이 가능하면서 방열 성능을 향상시킬 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치에 관한 것이다.

73. 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

74. 상기와 같은 MEMS 프로브용 카드 및 그의 제조 방법을 이용하는 것에 의해, 정밀한 저항값을 얻을 수 있으며, 반도체 IC등의 테스트 장치에서의 전력 변화에 대응할 수 있다.

75. 상기 경화성 조성물은, 고온에서의 내열성 및 내크렉성이 우수하고, 가스 투과성이 낮아서, 예를 들어 반도체 소자에 적용되어 초기 성능이 우수하고, 고온에서 장시간 사용되어서 안정적으로 성능이 유지되는 소자를 제공할 수 있다.

76. 측면 발광 방식으로 광을 발산함으로써 지향각을 확대시킬 수 있을 뿐만 아니라, 리드 프레임 몰드 컵 및 렌즈를 생략할 수 있는 측면 발광형 질화물 반도체 발광 소자에 대하여 개시한다.

77. 본 발명은 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 CMOS 공정에 의해 신호처리블록이 형성된 반도체 기판의 상부에 마이크로폰이 적층되어 있는 신호처리블록을 구비하는 적층형 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

78. 본 출원의 경화성 조성물은 내열성, 내크랙성 및 가스투과성 등이 우수하다. 본 출원의 경화성 조성물은, 예를 들어 반도체 소자에 적용되어 상기 소자가 고온에서 장시간 사용되는 경우에도 그 성능이 안정적으로 유지되도록 할 수 있다.

79. 이렇게하여 한개의 규소판 즉 “칩”에 (‘트랜지스터’와 같은) 주요 부품으로 전체 회로를 만드는 기술 즉 ‘반도체 집적회로’(半導體 集積回路)를 만드는 그 다음 단계로 발전하게 되었다.

80. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 스트레인 완충층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 활성층은 발광 MQW 및 비발광 MQW를 포함하며, 상기 비발광 MQW는 4성분계 질화물 반도체로 형성되는 양자장벽층을 포함한다.