1. 반도체 발광소자를 이용한 조명 장치

Appareil d'éclairage à dispositif électroluminescent à semiconducteur

2. 마이크로 플루이딕 반도체 센서

Capteur microfluidique à semi-conducteur

3. 본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 내부에서 발생한 열을 본딩 시 이용되는 내부커넥터를 이용하여 효과적으로 반도체 장치의 외부로 방출시킬 수 있는 방열 특성이 개선된 반도체 장치에 관한 것이다.

La présente invention concerne un dispositif semiconducteur et, plus spécifiquement, un dispositif semiconducteur comportant des caractéristiques améliorées de dissipation de chaleur, qui est capable d'évacuer efficacement la chaleur générée à l'intérieur du dispositif semiconducteur d'une structure tridimensionnelle stratifiée, à l'extérieur du dispositif semiconducteur, au moyen d'un connecteur interne utilisé pendant le soudage par diffusion.

4. 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치가 개시된다. 개시된 레이저 가공 방법은, 동축으로 진행하는 복수의 레이저 빔을 상기 반도체 웨이퍼에 투과시켜 상기 반도체 웨이퍼와 경계를 이루는 상기 금속층의 표면 및 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 인접한 위치에 각각 집광점을 형성한다.

L'invention concerne un procédé de traitement laser pour découper une plaquette de semi-conducteur ayant une couche métallique formée sur celle-ci et un dispositif de traitement laser.

5. 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치

Film conducteur anisotrope, et dispositif à semi-conducteur utilisant celui-ci

6. 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하고 제1 반도체 나노입자 및 제1 전도성 고분자를 함유하는 제1 광활성층, 상기 제1 광활성층 상에 위치하는 그래핀층, 상기 그래핀층 상에 위치하고 제2 반도체 나노입자 및 제2 전도성 고분자를 함유하는 제2 광활성층 및 상기 제2 광활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 반도체 나노입자와 상기 제2 반도체 나노입자는 서로 다른 밴드갭을 갖는다.

Selon la présente invention, une largeur de bande d'absorption optique de la couche photoactive peut être étendue et la génération de chaleur depuis les cellules solaires peut être réduite autant que possible et une absorption optique peut être maximisée.

7. 이 발광 다이오드는, 지지기판 상에 위치하고, 질화갈륨 계열의 p형 반도체층, 질화갈륨 계열의 활성층 및 질화갈륨 계열의 n형 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체, 및 지지기판과 반도체 적층 구조체 사이에 위치하는 반사층을 포함한다.

La présente invention concerne une diode électroluminescente hautement efficace et un procédé de fabrication de celle-ci.

8. 플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

Diode électroluminescente verticale à base de semi-conducteur au nitrure de gallium utilisant du fluorure de magnésium en tant que couche de blocage de courant et son procédé de fabrication

9. 극단파 백색광, 근적외선 및 원자외선을 이용한 반도체 산화물의 복합 광 어닐링 및 소결 방법

Procédé de recuit et de frittage par lumière complexe d'un oxyde semi-conducteur faisant appel a une lumière pulsée intense, des rayons dans l'infrarouge proche et des rayons dans l'ultraviolet lointain

10. 본 발명은, 기판 위에 금속 섬을 형성하는 제1단계, 금속 섬 위에 전구체 용액을 공급하는 제2단계 및 전구체 용액을 열처리하여 박막을 수득하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로용 반도체 박막의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 의하면, 금속 섬 위에서 전구체 용액을 열처리하여 반도체 박막을 수득함으로써, 1차(가경화) 및 2차(경화) 열처리 공정을 별도로 진행할 필요가 없게 되어, 비교적 짧은 시간 내에 저비용으로 반도체 박막의 제조가 이루어질 수 있고, 또한 반도체 박막의 결정립을 더욱 크게 형성할 수 있으므로, 품질이 향상된 전자 회로용 반도체 박막을 제조할 수 있게 된다.

La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'une couche mince semi-conductrice destinée à un circuit électronique, lequel procédé comprend : une première étape consistant à former un îlot métallique sur un substrat ; une deuxième étape consistant à fournir une solution de précurseur sur l'îlot métallique ; et une troisième étape consistant à obtenir une couche mince en traitant thermiquement la solution de précurseur.

11. 갈륨을 포함하는 P형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법

Semi-conducteur d'oxyde amorphe de type p comprenant du gallium, procede de fabrication de ce semi-conducteur, cellule solaire comprenant celui-ci et procede de fabrication de ladite cellule solaire

12. 이를 위한 본 발명은 기판의 상측에 형성된 제 1 솔더 볼 및 반도체 칩과, 상기 제 1 솔더 볼의 일부가 노출되도록 상기 반도체 칩과 상기 솔더 볼을 몰딩하는 몰드를 포함하는 하부 반도체 패키지; 및 하면에 형성된 제 2 솔더 볼을 통하여 상기 솔더 볼의 노출부위에 접속되도록 적층되는 상부 반도체 패키지;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 탑 게이트 몰드 방식에 따른 박리현상, 몰드 플래시, 냉납 등의 고질적인 불량을 방지할 수 있고, 소재(material) 선택 및 공정 안정화를 향상시킬 수 있는 효가 있다.

Grâce à ladite configuration, la présente invention empêche des défauts chroniques, tels qu'une délamination du haut de la matrice, causés par le procédé de moulage de grille supérieure, la bavure de moulage, la soudure à froid et analogue, et améliore la stabilité du processus et la sélection des matériaux.

13. 본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다.

La présente invention concerne un semi-conducteur d'oxyde amorphe de type p comprenant du gallium, un procédé de fabrication de ce semi-conducteur, une cellule solaire comprenant celui-ci et un procédé de fabrication de la cellule solaire.

14. 본 개시는 n형 3족 질화물 반도체층, p형 3족 질화물 반도체층 및 이들 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 생성되는 활성층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 활성층은, 제1 에너지밴드 갭을 가지는 양자우물층 및 제1 에너지밴드 갭보다 작은 제2 에너지밴드 갭을 가지며, 양자우물층 내에 개재되는 파동함수 국소화 유도층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

La présente invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur à nitrure du groupe III composé d'une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III de type N, d'une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III de type P et d'une couche active interposée entre les deux couches semi-conductrices afin de générer de la lumière par la recombinaison d'électrons et de trous, ladite couche active comprenant une couche de puits quantique, qui a une première bande interdite d'énergie, et une couche guide de localisation de fonction d'onde qui a une deuxième bande interdite d'énergie plus petite que la première bande interdite et qui est disposée dans la couche de puits quantique.

15. 본 개시는, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층이 구비된 반도체 발광소자에 있어서, 활성층은, 제1 화합물 반도체로 구비되는 양자 우물층; 및 제2 화합물 반도체로 구비되는 장벽층;을 포함하며, 양자 우물층은, 제1 밴드갭(band gap)을 갖는 제1 서브 양자 우물층; 및 제1 밴드갭과 다른 크기의 제2 밴드갭을 갖는 제2 서브 양자 우물층;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Le puits quantique comporte: un premier puits sous-quantique à première bande interdite; et un second puits sous-quantique à seconde bande interdite différente de la première bande interdite.

16. 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film mince d'oxyde de zinc de type n et comprend les étapes consistant à : former un complexe d'amine et de zinc par réaction d'oxyde de zinc avec de l'ammoniac ; former une solution d'hydroxyde de zinc par mélange du complexe d'amine et de zinc avec un métal alcalin ou un oxyde d'un métal alcalinoterreux dans un solvant polaire ; former un film semi-conducteur par application de la solution sur un substrat ; former un film d'oxyde de zinc lequel est dopé par le métal alcalin ou le métal alcalinoterreux par chauffage du film semi-conducteur.

17. 상기와 같은 MEMS 프로브용 카드 및 그의 제조 방법을 이용하는 것에 의해, 정밀한 저항값을 얻을 수 있으며, 반도체 IC등의 테스트 장치에서의 전력 변화에 대응할 수 있다.

L'utilisation de la carte sonde MEMS et du procédé selon l'invention permet d'obtenir des valeurs de résistance précises et de répondre aux changements de puissance dans un équipement d'essai du type utilisé pour des circuits intégrés semi-conducteurs.

18. 상기 경화성 조성물은, 고온에서의 내열성 및 내크렉성이 우수하고, 가스 투과성이 낮아서, 예를 들어 반도체 소자에 적용되어 초기 성능이 우수하고, 고온에서 장시간 사용되어서 안정적으로 성능이 유지되는 소자를 제공할 수 있다.

Ladite composition durcissable se révèle également remarquable en termes de résistance à la chaleur à haute température et à la fissuration, et pour sa faible perméabilité aux gaz.

19. 본 출원의 경화성 조성물은 내열성, 내크랙성 및 가스투과성 등이 우수하다. 본 출원의 경화성 조성물은, 예를 들어 반도체 소자에 적용되어 상기 소자가 고온에서 장시간 사용되는 경우에도 그 성능이 안정적으로 유지되도록 할 수 있다.

La composition durcissable de l'invention se révèle également remarquable en termes de résistance à la chaleur et à la fissuration, tout comme en matière de perméabilité aux gaz.

20. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 스트레인 완충층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 활성층은 발광 MQW 및 비발광 MQW를 포함하며, 상기 비발광 MQW는 4성분계 질화물 반도체로 형성되는 양자장벽층을 포함한다.

La présente invention porte sur un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure, qui comporte une couche de semi-conducteur au nitrure de type n, une couche de tampon de contraintes, une couche active et une couche de semi-conducteur au nitrure de type p, la couche active comprenant un MQW (puits quantique multiple) émetteur de lumière et un MQW non-émetteur de lumière, et le MQW non-émetteur de lumière comprenant une couche barrière quantique formée d’un semi-conducteur au nitrure à quatre constituants.

21. 이에 의해, 내구성, 내마모성, 내마찰성, 사용수명 등의 면에서 향상된 반도체 소자 테스트용 콘택터를 얻을 수 있으며, 특히 하판의 재질을 경성 CCL로 한정함으로써 이를 통해 전체 콘택터를 지지하는 보강판의 기능을 겸하도록 할 수 있다.

Ainsi, on peut obtenir un contacteur pour la vérification d'un dispositif à semi-conducteurs avec une durabilité, une résistance à l'usure, une résistance à l'abrasion, et une durée de vie prolongée.

22. 본 발명은 파장변환 레이저 시스템에 관한 것으로, 반도체 광증폭기와, 광증폭기로 부터 방출된 광을 집광하는 광집광기와, 광 집광기를 거친 광의 각 파장성분을 다른 방향으로 유도하는 회절 격자판과, 광-VLSI 프로세서를 구비하는 파장변환 레이저 시스템을 제공한다.

L'invention concerne un système de conversion de longueur d'onde, notamment un système laser de conversion de longueur d'onde comprenant un amplificateur optique à semiconducteur, un condenseur optique conçu pour condenser la lumière émise par l'amplificateur optique, une lame à réseau de diffraction conçue pour guider dans une direction différente chaque composante de longueur d'onde traversant le condenseur optique, et un processeur optique VLSI.

23. 이 발광 다이오드는, 복수의 관통홀들을 갖는 질화갈륨 기판; 기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화갈륨계 반도체 적층 구조체; 및 질화갈륨 기판의 관통홀들을 통해 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극을 포함한다.

Le procédé selon l'invention permet de réduire les défauts cristallins de la diode électroluminescente et d'éviter la réduction d'une surface électroluminescente.

24. 상기 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은, 피식각층이 형성된 반도체 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 110 내지 220°C로 가열(하드닝 베이크)하여 층간 거울막을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트막에 노광 마스크 없이 제2 포토레지스트막의 문턱에너지(Threshold Energy; Eth)보다 낮은 값의 에너지를 갖는 광(저에너지 광)으로 노광 및 현상 공정을 수행하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이에 층간 거울막의 난반사에 의한 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

La présente invention a trait à un procédé permettant de former des motifs fins dans un dispositif à semi-conducteur, à l'aide d'un processus de formation de motifs à double exposition capable de former un second motif de résine photosensible au moyen d'une simple exposition sans utiliser de masque d'exposition.

25. 본 발명의 일 실시예에 따라, 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자의 상부에 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하고, 상기 제 2 굴절율 조절층에 파리미드 구조를 형성하는 경우, 종래의 발광다이오드에 비하여 발광다이오드의 표면 광출력이 1.5배 이상 증가할 수 있다.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, les première et seconde couches de contrôle d'indice de réfraction peuvent être incluses dans la partie supérieure du dispositif électroluminescent doté d'un semi-conducteur composé de groupe III-V à base de nitrure de gallium, et la structure de pyramide peut être formée dans la seconde couche de contrôle d'indice de réfraction, ce qui permet de la sorte de multiplier la lumière de surface fournie par une fois et demie par rapport à celle de diodes électroluminescentes classiques.

26. 이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다.

Dans ce but, la présente invention fournit une composition d'encre semi-conductrice qui comprend un complexe, représenté par la formule 1, incorporant un nitrate d'un métal A qui est une matière oxydante et incorporant un métal B qui est une matière combustible ; le métal A et le métal B représentant chacun respectivement un métal choisi dans le groupe consistant en indium, gallium, zinc, titane, aluminium, lithium et zirconium, et le métal A et le métal B étant différents l'un de l'autre.

27. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.

En particulier, les caractéristiques du transistor peuvent être obtenues à l'aide d'une couche mince photodurcissable générale en tant que couche mince d'isolation de grille sans utiliser des couches minces classiques comprenant des groupes fluorés telles que des couches minces de CYTOP, et par conséquent la composition et le procédé de la présente invention peuvent être facilement appliqués à des procédés pratiques.

28. 본 발명의 일측면에 따른 미세 접촉 프로브는, 복수개의 단위유닛들이 서로 이어지며 길이방향으로 적층되어 형성된 기둥부, 및 상기 기둥부의 선단에 형성되어 반도체 칩의 전극 패드와 접촉되는 선단부를 포함한다. 상기 단위유닛은, 교번하여 좌우로 굴곡되는 프로브 몸체, 및 상기 프로브 몸체로부터 돌출되면서, 폭방향 중심을 기준으로 좌우로 배치되어, 압축 시 인접한 상기 프로브 몸체에 접촉되어 상기 프로브 몸체를 지지할 수 있는 돌기를 포함한다.

Selon un aspect de cette invention, une sonde de contact fin perpendiculaire comprend: une partie de colonne dans laquelle plusieurs unités sont reliées entre elles, et empilées dans le sens de la longueur; et une partie d'extrémité qui est formée au niveau de l'extrémité de la partie de colonne et qui établit un contact avec une pastille d'électrode d'une puce à semiconducteur.

29. 본 발명은 광배선 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상면에 곡률반경을 갖도록 적어도 하나의 렌즈 형성용 홈이 구비된 실리콘 기판; 및 상기 렌즈 형성용 홈의 형상이 유지되도록 상기 렌즈 형성용 홈을 포함한 실리콘 기판 상에 형성된 실리카층을 포함함으로써, 대부분의 공정이 반도체 공정 장비를 통해 수행되어 대량 생산이 가능하며, 기존 PCB 기판에 비해 좋은 열특성을 갖는 효과가 있다.

Comme la plupart des procédés sont mis en oeuvre au moyen d'un matériel de traitement de semiconducteurs, une production en série peut être réalisée et des caractéristiques thermiques supérieures à celles des substrats de PCB classiques sont obtenues.

30. 본 개시는 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층과 활성층의 상,하부에 각각 배치되는 3족 질화물 반도체층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 복수의 3족 질화물 반도체층 위에 위치하며, 상면과 하면을 가지는 투광성 전극으로, 상면이 제거되되 하면이 들어나지 않도록 홈이 형성되어 있는 투광성 전극; 그리고, 홈의 저면에 형성되고 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

La présente invention concerne un élément semi-conducteur électroluminescent en nitrure du groupe III, comprenant : une pluralité de couches semi-conductrices en nitrure du groupe III comprenant une couche active générant de la lumière au moyen d'une recombinaison électron-trou et des couches semi-conductrices en nitrure du groupe III disposées respectivement sur le dessous et le dessus de la couche active, une électrode de transmission de lumière possédant une surface supérieure et une surface inférieure, placée au sommet de la pluralité de couches semi-conductrices en nitrure du groupe III et formée avec un décrochement, de sorte que la couche supérieure est éliminée et que la couche inférieure n'est pas exposée, et des saillies formées sur le fond du décrochement et diffusant la lumière générée dans la couche active.

31. 본 개시는 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 그리고, 활성층으로부터의 빛을 반사하도록 복수의 반도체층에 결합되는 비도전성 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 비도전성 분포 브래그 리플렉터를 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에서 분포 브래그 리플렉터에 결합되며, 분포 브래그 리플렉터의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 제1 투광성 막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

La présente invention concerne un élément luminescent à semi-conducteur, comprenant : une première électrode pour fournir à une pluralité de couches à semi-conducteur des électrons ou des électrons-trous; une deuxième électrode pour fournir à la pluralité de couches à semi-conducteur des électrons ou des électrons-trous qui ne sont pas fournis par la première électrode; un réflecteur Bragg réparti non conducteur, qui est couplé à une pluralité de couches à semi-conducteur, pour réfléchir la lumière provenant d'une couche active; et un premier film transparent, qui est couplé au réflecteur Bragg réparti depuis le côté opposé de la pluralité de couches à semi-conducteur par rapport au réflecteur Bragg réparti non conducteur, et qui possède un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction valable du réflecteur de Bragg réparti.

32. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 화학 기상 증착 장치의 챔버 내부에 기판을 로딩하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 도전형올 가지는 도펀트를 주입하여 기판 상에 도핑된 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 반응 가스를 주입하여 기판 상에 실리콘을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 교번적으로 반복하여, 복수의 도핑된 비정질 실리콘층 및 복수의 절연층이 교번적으로 적층된 다층 구조를 형성하는 단계를 포함한다.

Le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention comporte le placement d'un substrat dans la chambre d'un appareil de dépôt en phase vapeur par procédé chimique et la formation d'une structure multicouches dans laquelle plusieurs couches de silicium amorphe dopé et plusieurs couches d'isolation sont empilées de façon alternée.

33. 본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

La couche active contient une nitrure d’indium-galliun (InGaN), et la couche barrière est formée par la superposition alternée d’un film minces de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) et d’un film mince d’indium-galliun (InGaN).