1. Pellicule adhesive pour semi-conducteur

Adhesive film for semiconductor

2. De plus, le second matériau semi-conducteur comprend un alliage du premier matériau semi-conducteur avec un composant d'alliage.

In addition, the second semiconductor material includes an alloy of the first semiconductor material with an alloying constituent.

3. Activateur de flux, composition de résine adhésive, pâte adhésive, film adhésif, procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur

Flux activator, adhesive resin composition, adhesive paste, adhesive film, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device

4. Pointe de sonde évoluée pour test de semi-conducteur

Advanced probe pin for semiconductor test

5. Fil de connexion en alliage de cuivre pour semi-conducteur

Copper alloy bonding wire for semiconductor

6. Matériau d’anode comprenant une couche uniforme d’alliage metal/semi-conducteur

Anode material having a uniform metal-semiconductor alloy layer

7. Appareil de stockage semi-conducteur a connexion par technologie avancee serielle

Semiconductor storage apparatus for serial advanced technology attachment-based

8. Dispositif d'alignement d'une tranche de semi-conducteur sur un porte-tranche

Device for aligning a wafer on a wafer carrier

9. CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'ALLIAGE Cu-Mn ET CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR

Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR WIRING

10. Circuit logique, circuit décodeur d'adresse et dispositif de stockage semi-conducteur

Logic circuit, address decoder circuit, and semiconductor storage device

11. Matériau de blindage semi-conducteur au noir d'acétylène à traitement amélioré

Acetylene black semiconducting shield material with improved processing

12. Clef a semi-conducteur pour controler l'acces au logiciel de l'ordinateur

Solid state key for controlling access to computer software

13. Convertisseur n/a et circuit intégré semi-conducteur utilisant ledit convertisseur

D/a converter and semiconductor integrated circuit using the same

14. Circuit convertisseur a/n et dispositif de capture d'image à semi-conducteur

A/d converter circuit and solid-state image pickup device

15. Dispositif a semi-conducteur avec cablage en reseau et procede de fabrication associe

Semiconductor device having trench wiring and process for fabricating semiconductor device

16. Accueil > L'Encyclopédie canadienne > Informatique > Semi-conducteur et transistor Pour imprimer

Home > The Canadian Encyclopedia > Computer Science > Semiconductors and Transistors Print Version

17. Matrices mémoires possédant des structures à semi-conducteur adjacentes sensiblement verticales et leur formation

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

18. Systemes d'immersion de plaquette a semi-conducteur et traitements correspondants, a energie acoustique modulee

Semiconductor wafer immersion systems and treatments using modulated acoustic energy

19. L'interféromètre (12) possède un amplificateur optique (38) à semi-conducteur couplé à chaque bras.

The interferometer (12) has a semiconductor optical amplifier (38) coupled in each arm.

20. Interrupteur différentiel, convertisseur n/a, circuit intégré à semi-conducteur et dispositif de communication

Differential switch, d/a converter, semiconductor integrated circuit, and communication device

21. Dispositif à semi-conducteur avec alignement de canal et silicium contraint et procédé de fabrication

Semiconductor device with channel alignment and strained silicon and method of manufacture

22. h. commutateurs, diodes ou ‘modules’ de puissance à semi-conducteur présentant toutes les caractéristiques suivantes:

h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:

23. Heterostructures de semi-conducteur presentant un alliage de carbure de silicium cristallin et de germanium

Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

24. Des dispositifs à circuit intégré sont formés par agencement séquentiel d'un ou plusieurs niveaux de matériau semi-conducteur sur un substrat accepteur, et fabrication de circuiterie sur chaque niveau de matériau semi-conducteur avant l'agencement d'un niveau supérieur suivant.

Integrated circuit devices are formed by sequentially disposing one or more levels of semiconductor material on an acceptor substrate, and fabricating circuitry on each level of semiconductor material before disposition of a next higher level.

25. Detecteur de rayonnement a heterostructure de semi-conducteur pour longueurs d'onde de la zone spectrale infrarouge

Heterostructure semiconductor radiation detector for wavelengths from the infrared spectral range

26. Tout rayonnement électromagnétique incident sur la surface sensible de l'élément à semi-conducteur traverse l'élément optique.

All electromagnetic radiation that reaches the sensitive surface of the semiconductor element passes through the optical element.

27. L'empilement multicouche semi-conducteur (130) comprend un puits quantique qui comprend un alliage Cd(Mg)ZnSe.

The semiconductor multilayer stack (130) includes a quantum well that includes a Cd(Mg)ZnSe alloy.

28. Le circuit semi-conducteur comprend un circuit arithmétique (totaliseurs 1-3) et un temporisateur (mémoire 4).

The semiconductor circuit comprises an arithmetic circuit (adders 1-3) and delay means (memory 4).

29. Les ondes renvoyées par l'objet à tester sont évaluées, du fait que les oscillations produites dans un cristal à semi-conducteur par les ondes ultrasonores renvoyées sont détectées par des transducteurs acousto-électriques disposés sur le cristal à semi-conducteur.

The waves that are backscattered from the test object are evaluated in that an acousto-electric transducer, which is located on a semiconductor crystal, detects the oscillations that are produced in the semiconductor crystal by the backscattered ultrasonic waves.

30. Elle concerne également un vecteur (124) de valeurs caractéristiques initiales associées au dispositif à semi-conducteur (200).

A vector (124) of initial characteristic values associated with the semiconductor device (200) is provided.

31. F 24 J 2/00 --- F 03 G 6/00; dispositifs à semi-conducteur spécialement adaptés pour ---

F 24 J 2/00 --- semi-conductor devices specially adapted for ---

32. Dispositifs à semi-conducteur non plans ayant des ailettes auto-alignées avec des couches de blocage supérieures

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

33. Cette invention concerne un procédé et un appareil de formation de couches semi-conductrices d'alliage métal/semi-conducteur.

A method and apparatus for forming semiconductive semiconductor-metal alloy layers is described.

34. L'effet Franz – Keldysh est une modification de l'absorption optique par un semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.

The Franz–Keldysh effect is a change in optical absorption by a semiconductor when an electric field is applied.

35. Le composant semi-conducteur selon l'invention est caractérisé en ce que la constante diélectrique relative ($g(e)¿r?)

layer. The inventive semiconductor element is characterized in that the relative permittivity ($g(e)¿r?)

36. Dispositif semi-conducteur ayant une couche active de germanium avec une couche de barrière de diffusion sous-jacente

Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

37. Circuit de commutation d'un courant et procédé permettant de faire fonctionner un interrupteur de puissance à semi-conducteur

Circuit arrangement for switching a current, and method for operating a semiconductor circuit breaker

38. L'absorption optique de la région à puits quantique à semi-conducteur varie en fonction des variations du photocourant.

The optical absorption of the semiconductor quantum well region varies in response to variations in the photocurrent.

39. La région d’absorption comprend un premier type de matériau semi-conducteur (Ge) ayant un premier indice de réfraction.

The absorption region includes a first type of semiconductor material (Ge) having a first refractive index.

40. L'invention concerne une première couche en alliage de silicium-germanium formée sur un substrat semi-conducteur comprenant du silicium.

A first silicon-germanium alloy layer is formed on a semiconductor substrate including silicon.

41. L'énergie des photons de rayons X/ultraviolets extrêmes est absorbé localement par les couches de métal et semi-conducteur.

The energy of X-ray/EUV photons is absorbed locally by the metal and semiconductor layers.

42. L'invention concerne un procédé (1100) de formation d'un dispositif (100) de jonction abrupte avec un substrat semi-conducteur (102).

A method (1100) of forming an abrupt junction device (100) with a semiconductor substrate (102) is provided.

43. Circuit de conversion a/n du type à approximations successives, et circuit intégré à semi-conducteur pour son contrôle

Successive approximation type a/d converter circuit and semiconductor integrated circuit for control

44. Des porteurs générés par la lumière absorbée dans l'élément semi-conducteur sont accélérés vers les électrodes par le champ.

Carriers generated by light absorbed in the semiconductor element are accelerated toward the electrodes by the field.

45. Procede et circuit permettant d'effectuer une regulation du courant de court-circuit a travers un dispositif a semi-conducteur

Method and circuit for providing adjustable control of short circuit current through a semiconductor device

46. Après le dépôt, le matériau d’anode et le métal sont recuits pour former une couche uniforme d’alliage métal/semi-conducteur.

After deposition, the anode material and metal are annealed to form a uniform metal-semiconductor alloy layer.

47. La plaquette de contact (2) comporte un élément d'alliage qui peut constituer un système eutectique avec le matériau semi-conducteur.

Said contact plate (2) contains an alloy partner which can form an eutectic together with the semiconductor material.

48. Le dispositif semi-conducteur est pris dans le groupe comprenant des diodes à jonction p-n et des diodes Schottky.

The semiconductor device is selected from a group including p-n junction diodes and Schottky barier diodes.

49. Une structure empilée de semi-conducteur gallium nitruré comprend une couche tampon déposée à basse température et une couche active.

A gallium-nitride-based semiconductor stacked structure includes a low-temperature-deposited buffer layer and an active layer.

50. Cela entraîne une sollicitation thermique plus faible du module à semi-conducteur, par comparaison à l'état actuel de la technique.

Said operation leads to a lower thermal load of the semi-conductor module compared to prior art.

51. Les couches semi-conductrices d'alliage métal/semi-conducteur peuvent être dopées, par exemple, au bore, au phosphore et/ou à l'arsenic.

The semiconductive semiconductor-metal alloy layers may be doped, for example with boron, phosphorus, and/or arsenic.

52. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur supporté par un substrat qui présente une constante de réseau plus petite.

A semiconductor device (28) is supported by a substrate (8) with a smaller lattice constant.

53. L’invention concerne un modulateur d’absorption d’électrons comprenant une couche d’absorption (1) entre deux couches de semi-conducteur dopé n (2, 5).

An electroabsorption modulator comprises an absorption layer (1) between two layers of n-doped semiconductor (2, 5).

54. Un circuit semi-conducteur comprend : un circuit de conversion analogique-numérique qui convertit un premier signal entré en un deuxième signal.

A semiconductor circuit including: an A/D converter circuit which converts an inputted first signal into a second signal.

55. Tranche semi-conductrice appropriée pour la formation d'un dispositif semi-conducteur à diode à jonction et procédé de formation de celle-ci

Semiconductor wafer suitable for forming a semiconductor junction diode device and method of forming same

56. Feuille adhésive intégrée à un ruban de découpage en dés, dispositif à semi-conducteur, carte de circuit imprimé multicouches et composant électronique

Dicing-tape-integrated adhesive sheet, semiconductor device, multilayered circuit board and electronic component

57. Couche mince de semi-conducteur, procede de production de celle-ci, transistor a couches minces et panneau d'affichage commande par une matrice active

Semiconductor thin film, method for producing same, thin film transistor and active-matrix-driven display panel

58. Le système décrit sert à commander un dispositif de commutation à semi-conducteur commandé (12) qui alimente une charge (8) en courant alternatif.

A control system controls a controlled semiconductor switching device (12) supplying an AC current to a load (8).

59. Le semi-conducteur à film mince est de préférence directement collé sur la couche de diamant, ou peut y adhérer par adhérence diélectrique.

The thin film semiconductor is preferably directly bonded to the diamond layer, or may be adhered thereto by a dielectric adhesion.

60. Le dispositif de manipulation et de transport est raccordé au boîtier pour transporter les tranches de semi-conducteur le long du chemin d’accès.

The handling and transport device is connected to the housing for transporting semiconductor wafers along the access path.

61. En conséquence, la céramique de semi-conducteur peut avoir une bonne fiabilité quand bien même un élément métal alcalin est contenu dans celle-ci.

Consequently, the semiconductor ceramic can have good reliability even though an alkali metal element is contained therein.

62. La présente invention concerne un appareil (400) (500) d'ablation de tranches de semi-conducteur provenant d'un substrat, par exemple du silicium sur isolant (SOI).

The present invention provides an apparatus (400, 500) for ablating edge material from a substrate, e.g., SOI.

63. L'interface de matériau semi-conducteur constitué par un milieu de gain est définie le long de chacun de la pluralité des guides d'ondes optiques.

The gain medium-semiconductor material interface is defined along each of the plurality of optical waveguides.

64. Les particules d’oxyde d'aluminium sont utilisées comme grains abrasifs pour polir des substrats de dispositif semi-conducteur, des substrats de disque dur ou des substrats d’affichage.

The aluminum oxide particles are used as abrasive grains for polishing semiconductor device substrates, hard disk substrates or display substrates.

65. Un procédé consiste : à déposer une couche semi-conductrice (14) sur un substrat semi-conducteur (12), à déposer une couche de diamant adynamique (16) sur la couche semi-conductrice (14) opposée au substrat semi-conducteur (12), et à accoupler un substrat de support (18) avec la couche de diamant adynamique (16) opposée à la couche semi-conductrice (14) pour supporter la couche adynamique.

One such method may include depositing a semiconductor layer (14) on a semiconductor substrate (12), depositing an adynamic diamond layer (16) on the semiconductor layer (14) opposite the semiconductor substrate (12), and coupling a support substrate (18) to the adynamic diamond layer (16) opposite the semiconductor layer (14) to support the adynamic layer.

66. Ledit module se caractérise en ce que la surface sensible (34) du premier élément semi-conducteur (12) est un capteur d'images en deux dimensions (34) à haute résolution et en ce que ledit module comporte un second élément semi-conducteur (13) dont la surface sensible (35) est conçue sous forme de capteur (35) à temps de propagation en trois dimensions.

The optical module is characterized in that the sensitive surface (34) of the first semiconductor element (12) is a high-resolution 2D image sensor (34) and in that a second semiconductor element (13) is provided whose sensitive surface (35) is configured as a 3D time of flight sensor (35).

67. Des surfaces candidates pour de telles modifications peuvent être constituées par diverses formes polymères, siliceuses, métalliques et allotropigues de carbone, et par les surfaces de semi-conducteur.

Candidate surfaces include various polymeric, siliceous, metallic, allotrophic forms of carbon, and semiconductor surfaces.

68. Convertisseurs statiques (à l’exclusion des redresseurs à semi-conducteur polycristallin, des transformateurs pour la soudure sans l’équipement de soudure, des chargeurs d’accumulateurs, des redresseurs et des ondulateurs)

Static converters (excluding polycrystalline semiconductors, converters specially designed for welding, without welding equipment, accumulator chargers, rectifiers, inverters)

69. La température des électrons dans la couche active d'un laser semi-conducteur peut être élevée au-dessus de celle du réseau par l'application d'un champ de micro-ondes.

The electron temperature in the active layers of a semiconductor laser can be raised higher than that of the lattice by an externally applied microwave field.

70. Par conséquent, en utilisant un seul alliage semi-conducteur (107, 207, 307, 407), les performances de transistors (120A, 120B) avec des types de conductivité différents peuvent être améliorées individuellement.

Hence, by using a single semiconductor alloy (107, 207, 307, 407), the performance of transistors (120A, 120B) of different conductivity types may be individually enhanced.

71. On a étudié l'effet photoélectrique de surface dans un semi-conducteur fortement dopé, en utilisant les influences du rétrécissement de la bande interdite et de la dégénérescence des porteurs.

The surface photoeffect in a heavily doped semiconductor was investigated using the influences of band-gap narrowing and carrier degeneracy.

72. Une première couche (26) est formée sur une plaque (23) transparente à un rayonnement d'ablation et une seconde couche (32) est formée sur le dispositif à semi-conducteur (31).

A first layer (26) is formed on a plate (23) transparent to ablating radiation, and a second layer (32) on the semiconductor device (31).

73. L'invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur pourvu d'un matériau organique constitué d'un mélange de semi-conducteurs comprenant des molécules donneuses organiques et des molécules acceptrices organiques.

The invention relates to a semiconductor device provided with an organic material which is formed by a solid-state mixture of organic donor and organic acceptor molecules.

74. Celui-ci est électriquement conducteur ou semi-conducteur et est efficace pour réduire l'interférence du signal entre au moins deux des conducteurs ou des paires torsadées (10) du câble.

The filler (12) is electrically conductive or semiconductive and is operative to reduce signal interference between at least two of the conductors or twisted wire pairs (10) of the cable.

75. Le laser à semi-conducteur à rétroaction répartie et à couplage de gain est de type réseau absorbant où la longueur de résonance est de préférence de 400 $g(m)m.

The gain-coupled distributed feedback semiconductor laser is of absorptive grating type, in which the resonance length is preferably 400 $g(m)m.

76. Le capteur à diode à semi-conducteur métal-isolant décrit (10), comportant une électrode d'alliage Pt/Ir (15), est sensible à l'éthylène et permet de détecter la présence de cette substance.

A metal-insulator-semiconductor diode sensor (10) having a Pt/Ir alloy electrode (15) is sensitive to and can detect ethylene.

77. La présente invention concerne un capteur de pixel actif dans un corps semi-conducteur de type P, qui inclut un nœud commun de type N formé sous une région de brochage.

An active pixel sensor in a p-type semiconductor body includes an n-type common node formed below a pinning region.

78. Les avancées du projet NATAL font suite aux progrès avec les nouveaux matériaux de gain à semi-conducteur et la démonstration du besoin en éléments micro-optique avancés pour les nouveaux lasers.

NATAL's breakthrough tracks developments in novel semiconductor gain materials and the demonstration of advanced micro-optical elements needed for new lasers.

79. Des électrodes de décalage formant un registre à décalage sont alimentées par des potentiels électriques négatifs et des accumulations de trous dans un matériau semi-conducteur de type p représentent des données.

Shift electrodes forming a shift register are driven by negative electrical potentials and accumulations of holes in p type semiconductor material represent data.

80. L'invention concerne des formes de réalisation d'une structure de semi-conducteur (100-400) et un procédé associé de formation de la structure de semi-conducteur (100-400) utilisant des structures d'isolation (120) par tranchées peu profondes, qui présentent des caractéristiques de facteur de réflexion et d'absorption réglées sélectivement en vue de garantir des changements de température uniformes dans la tranche pendant un recuit thermique rapide, et de limiter ainsi les variations d'efficacité du dispositif.

Disclosed herein are embodiments of a semiconductor structure 100- 400 and an associated method of forming the semiconductor structure 100-400 with shallow trench isolation structures 120 having selectively adjusted reflectance and absorption characteristics in order to ensure uniform temperature changes across a wafer during a rapid thermal anneal and, thereby, limit variations in device performance.