1. Selon l'invention, le semi-conducteur comprend au moins un semi-conducteur composé à base de chalcogénure métallique comme substance absorbante optique ou est intégralement constitué de ce semi-conducteur.

Dabei weist der Halbleiter mindestens einen Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiter als optisches Absorbermaterial auf oder ist ganz aus ihm gebildet.

2. Procédé de brunissage d'un disque semi-conducteur

Verfahren zur politur einer halbleiterscheibe

3. Condensateur pour dispositif semi-conducteur et procede d'obtention d'une couche dielectrique pour ce condensateur

Kondensator für halbleiteranordnung und verfahren zum herstellen einer dielektrischen schicht für denselben

4. Le procédé consiste à préparer un substrat semi-conducteur porteur (1) dopé, à réaliser une couche de séparation (2), par exemple une couche poreuse, sur une surface du substrat semi-conducteur porteur, à isoler une couche semi-conductrice dopée (3) au moyen de la couche de séparation, et à libérer la couche semi-conductrice isolée du substrat semi-conducteur porteur.

Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines dotierten Halbleiterträgersubstrats (1), das Erzeugen einer Trennschicht (2), beispielsweise einer porösen Schicht, an einer Oberfläche des Halbleiterträgersubstrats, das Abscheiden einer dotierten Halbleiterschicht (3) über der Trennschicht und das Lösen der abgeschiedenen Halbleiterschicht von dem Halbleiterträgersubstrat.

5. L'invention concerne une puce laser à semi-conducteur à émission par la tranche comprenant une zone active (14) dans laquelle un rayonnement électromagnétique est généré pendant le fonctionnement de la puce laser à semi-conducteur (1), ainsi qu'au moins une bande de contact structurée (2) qui est structurée de sorte qu'une injection de porteurs de charge dans la zone active (14) diminue en allant vers le côté de la puce laser à semi-conducteur (1) où se trouve une facette de sortie (3) de la puce laser à semi-conducteur (1).

Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip angegeben, mit - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und - zumindest einem strukturierten Kontaktstreifen (2), der derart strukturiert ist, dass eine Ladungsträgerinjektion in die aktive Zone (14) zu einer Seite des Halbleiterlaserchips (1) hin abnimmt, an der sich eine Auskoppelfacette (3) des Halbleiterlaserchips (1) befindet.

6. Le dispositif (4; 4') comprend un substrat semi-conducteur (40; 40'), ledit au moins un capteur étant un nano ou microcapteur (41, 42, 43; 41', 42', 43') placé sur ledit substrat semi-conducteur, une logique combinatoire (44, 45, 46; 44', 45', 46'), placée sur le substrat semi-conducteur (40; 40'), étant associée au capteur et ledit au moins un dispositif comportant une interface de données numérique (47; 47').

Die Vorrichtung (4; 4') umfasst ein Halbleitersubstrat (40; 40'), wobei der mindestens eine Sensor ein auf dem Halbleitersubstrat angeordneter Nano- oder Mikrosensor (41, 42, 43; 41', 42', 43') ist, dem Sensor eine auf dem Halbleitersubstrat (40; 40') angeordnete Schaltungslogik (44, 45, 46; 44', 45', 46') zugeordnet ist und die mindestens eine Vorrichtung eine digitale Datenschnittstelle (47; 47') aufweist.

7. Micro miroir électronique à semi-conducteur, dans un boîtier adapté à l’assemblage entièrement automatisé de circuits imprimés, essentiellement composé de :

Elektronischer Halbleiter-Mikrospiegel in einem für die vollautomatisierte Leiterplattenbestückung geeigneten Gehäuse, im Wesentlichen bestehend aus

8. L'objectif de cette invention est de réaliser un circuit à semi-conducteur de puissance particulièrement compact et peu encombrant grâce aux possibilités offertes par cette configuration du module à semi-conducteur de puissance. A cet effet, le module à semi-conducteur de puissance (2) est placé directement sur une barre de recouvrement (3) d'un ensemble de barres (11) d'alimentation en courant et/ou de transport de courant et un dispositif de refroidissement (5) est intégré dans l'ensemble de barres (11).

Um die mit dieser Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls eröffneten Möglichkeiten einer besonders kompakten und raumsparenden Realisierung einer Leistungshalbleiterschaltung zu nutzen, ist das Leistungshalbleitermodul (2) direkt auf einer Deckschiene (3) einer stromzuführenden und/oder abführenden Verschienung (11) angeordnet und eine Kühleinrichtung (5) in die Verschienung (11) integriert.

9. Procédé pour produire des couches de liaison structurées par frittage et composant semi-conducteur comportant une couche de liaison structurée par frittage

Verfahren zum herstellen von strukturierten sinterverbindungsschichten und halbleiterbauelement mit strukturierter sinterverbindungsschicht

10. L'invention concerne un régulateur de tension alternative dans lequel l'impulsion d'allumage requise pour commuter un commutateur à semi-conducteur, par exemple un triac ou un thyristor, est obtenue grâce au fait qu'un condensateur est chargé et sa tension déclenche l'impulsion d'allumage lors du claquage d'un diac monté en amont du commutateur à semi-conducteur.

Erfindungsgemäß wird ein Wechselspannungssteller vorgeschlagen, bei dem der Zündimpuls für das Schalten eines Halbleiterschalters, beispielsweise eines Triacs oder Thyristors dadurch erzeugt wird, daß ein Kondensator aufgeladen wird, dessen Spannung beim Durchbruch eines dem Halbleiterschalter vorgeschalteten Diacs den Zündimpuls auslöst.

11. Ce procédé consiste à réaliser des bossages conducteurs (3) sur les surfaces de contact (2) du substrat semi-conducteur (1), à appliquer la couche protectrice (4), et à enlever la couche protectrice (4) parallèlement à la surface du substrat semi-conducteur jusqu'à ce que les bossages (3) soient mis à nu pour la métallisation.

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips oder Wafers mit einer zumindest die die Schaltung aufweisende Seite bedeckenden Schutzschicht (4) mit den Schritten: Aufbringen von leitenden Höckern (3) auf die Kontaktflächen (2) des Halbleitersubstrats (1), Aufbringen der Schutzschicht (4), Entfernen der Schutzschicht (4) mit einem parallel zur Halbleitersubstratoberfläche arbeitenden Verfahren bis die Höcker (3) zur Kontaktierung freiliegen.

12. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaque de verre (10, 21) revêtue d'un matériau semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à (a) produire une bande de verre dans un bain de flottage (3) contenant de l'étain liquide; (b) sortir la bande de verre du bain de flottage (3) et éventuellement revêtir la bande de verre d'une couche intermédiaire transparente, électroconductrice; (c) transférer la bande de verre non revêtue ou revêtue dans une chambre de dépôt (5) pour le dépôt physique du matériau semi-conducteur en phase gazeuse; et (c) revêtir la bande de verre revêtue ou non revêtue de l'étape (c) avec un matériau semi-conducteur par dépôt physique du matériau semi-conducteur en phase gazeuse à une pression gazeuse d'au moins 0,1 bar.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer mit einem Halbleitermaterial beschichteten Glasscheibe 10,21, umfassend die Schritte (a) Erzeugen eines Glasbandes in einem flüssiges Zinn enthaltenden Floatbad 3; (b) Austragen des Glasbandes aus dem Floatbad 3 und ggf. Beschichten des Glasbandes mit einer transparenten, elektrisch leitenden Zwischenschicht; (c) Überführen des unbeschichteten oder beschichteten Glasbandes in eine Abscheidungskammer 5 für die physikalische Abscheidung des Halbleitermaterials aus der Gasphase; und (d) Beschichten des beschichteten oder unbeschichteten Glasbandes aus Schritt (c) mit dem Halbleitermaterial durch physikalische Abscheidung des Halbleitermaterials aus der Gasphase bei einem Gasdruck von mindestens 0, 1 bar.

13. Le consortium Vertigo a développé avec succès une technologie des diodes lasers à antimoniure de gallium (GaSb) à longueur d'onde basée sur un composant semi-conducteur.

Das Vertigo-Konsortium konnte mit Erfolg langwellige Galliumantimonid-Scheibenlasertechnologie (GaSb) auf Grundlage der Halbleiterverbindung entwickeln.

14. Procede d'application d'un cablage sur un flan, permettant une compensation des defauts de positionnement des puces a semi-conducteur dans les positions des composants du flan

Verfahren zum aufbringen einer umverdrahtung auf einen nutzen unter kompensation von positionsfehlern von halbleiterchips in bauteilpositionen des nutzens

15. La première vise à comprendre comment on peut supprimer par un champ électromagnétique rotatif la convection Marangoni dans le bain fondu d'un semi-conducteur en phase de croissance.

Das erste untersucht, wie die Marangoni-Konvektion in der Schmelze des wachsenden Halbleiters mit einem rotierenden elektromagnetischen Feld unterdrückt werden kann.

16. 28.99.51 | Parties de machines et d’appareils utilisés uniquement ou principalement pour fabriquer des barreaux ou plaquettes de semi-conducteurs, des dispositifs à semi-conducteur, des circuits intégrés électroniques ou des écrans plats | 44923 |

28.99.51 | Maschinen und Apparate von der ausschließlich oder hauptsächlich zur Herstellung von Halbleitereinkristallbarren oder –scheiben (Wafers), Halbleiterbauelementen, integrierten elektronischen Schaltungen oder Flachbildschirmen verwendeten Art | 44923 |

17. Un nouveau détecteur de masse avec des capacités extraordinaires de mesure a pu être fabriqué en créant une surface nanométrique de cantilevers intégrés aux circuits CMOS (Complementary Metal-Oxyde-Semiconductor, ou semi conducteur à oxyde métallique complémentaire).

Mithilfe eines Arrays von Siliziumcantilevern im Nanometerbereich und Kombination mit komplementären Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS)-Schaltkreisen kann ein neuer Massendetektor mit außergewöhnlichen Messfähigkeiten gefertigt werden.

18. Lampe témoin, constituée de 2 diodes émettrice de lumière d'un semi-conducteur à base d'aluminium-gallium-arseniure (AlGaAs) ou de gallium-phosphore (GaP), avec une base rectangulaire, enserrée dans un boîtier du type CMS et ayant une lentille

Statusanzeige, bestehend aus zwei Leuchtdioden auf Basis Aluminium-Gallium-Arsenid (AlGaAs) oder Gallium-Phosphor (GaP), mit einer rechteckigen Grundfläche, in einem SMD (Surface Mounted Device)-Gehäuse und mit einer Linse

19. Le procédé consiste à détecter un état de fonctionnement du circuit intégré à semi-conducteur de l'élément de sécurité, et à produire un ensemble de données destiné à une instance serveur distante, l'ensemble de données contenant l'état de fonctionnement.

Dabei wird ein Funktionszustand des integrierten Halbleiterschaltkreises des Sicherheitselements erf asst und ein Datensatz für eine entfernte Serverinstanz bereitgestellt, wobei der Datensatz den Funktionszustand beinhaltet.

20. L'objectif de l'invention est de produire une capacité de mise en contact, simple à réaliser, d'un transistor MOS sans incision dans le spectre d'utilisation, une connexion transversale étant effectuée soit de la partie source ou de la partie drain soit à travers la couche d'isolation soit au-delà du substrat à semi-conducteur vers un contact sur l'envers, de manière à être relié électriquement avec ce dernier, lorsque les exigences sur les propriétés matérielles du substrat à semi-conducteur, telles que le dopage ou la conductibilité, diminuent ou sont réduites.

Der Kerngedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß ohne Einschnitte in dem Anwendungsspektrum eine leichte Kontaktierbarkeit eines MOS-Transistors erzielt werden kann, indem eine Durchkontaktierung von entweder dem Source- oder dem Drain-Bereich über sowohl die Isolationsschicht als auch das Halbleitersubstrat hinweg zu einem Rückseitenkontakt geführt wird, um mit demselben elektrisch verbunden zu sein, da sich hierdurch die Anforderungen an die Materialeigenschaften des Halbleitersubstrates, wie z. B. Dotierung bzw.

21. Un commutateur à semi-conducteur actionnable (15) se trouve dans le circuit électrique de l'électro-aimant (14) et peut être actionné de manière temporisée ou non par un circuit logique (16) en fonction de la tension au niveau de l'entrée et au niveau du condensateur servant d'accumulateur d'énergie.

Ein steuerbarer Halbleiterschalter (15) liegt im Stromkreis des Elektromagneten (14) und ist durch einen Logikschaltkreis (16) in Abhängigkeit von der Spannung am Eingang und an dem als Energiespeicher dienenden Kondensator verzögert oder unverzögert steuerbar.

22. L'invention concerne un dispositif de mesure de pression (élevée) comprenant un capteur de pression (10) qui se présente sous la forme d'un capteur de pression à semi-conducteur et est directement brasé, au moyen d'une couche de brasure, sur un élément de support (5) comportant une première section de canal sous pression.

Bei einer Vorrichtung zur (Hhoch) Druckmessung ist der Druckaufnehmer (10) als Halbleiter-Druckaufnehmer ausgebildet und direkt auf ein mit einem ersten Druckkanalabschnitt versehenes Trägerteil (5) mittels einer Lotschicht aufgelötet.

23. EX 85.21 D II * INDICATEURS DIGITAUX CONSISTANT EN UN TABLEAU A CIRCUIT IMPRIME , A UN SEUL CARACTERE , AVEC OU SANS LES SIGNES " + " OU " - " ET / OU A DEUX POINTS DECIMAUX AU MAXIMUM , EQUIPES D'UN COUVERCLE EN PLASTIQUE DE DIMENSIONS NON SUPERIEURES A 25 FOIS 35 MM , COMPOSES DE 22 DIODES LUMINEUSES A BASE DE GALLIUM SEMI-CONDUCTEUR AU MAXIMUM .

EX 85.21 D II * DIGITALANZEIGEN , IN EINEM KUNSTSTOFFGEHÄUSE MIT EINER GRÖSSE VON NICHT MEHR ALS 25 MAL 35 MM , BESTEHEND AUS EINER LEITERPLATTE , DIE NICHT MEHR ALS 22 LEUCHTDIODEN ENTHÄLT , DIE VON HALBLEITERTEILEN AUS IM WESENTLICHEN GALLIUM HERGESTELLT SIND .

24. L'invention concerne un dispositif pour la stimulation des oscillations d'un ressort à lame qui est fixé d'un côté dans un microscope à force atomique à balayage, qui est constitué d'un matériau semi-conducteur ne présentant pas de propriétés piézoélectriques et à l'extrémité libre duquel est montée une pointe qui peut être mise en contact avec une surface d'échantillon à examiner.

Beschrieben wird eine Vorrichtung zur Schwingungsanregung einer einseitig in einem Rasterkraftmikroskop (RKM) befestigten und aus Halbleitermaterial, das über keine piezoelektrischen Eigenschaften verfügt, bestehenden Blattfeder, an deren freien Ende eine Spitze angebracht ist, die in Kontakt mit einer zu untersuchenden Probenoberfläche bringbar ist.

25. Pour éviter le dégorgement et les bavures lors du revêtement par extrusion d'une puce de semi-conducteur (3) montée sur une grille de connexion (1), des serre-flans (9) sont disposés dans l'une de deux parties de moule (6, 8) de telle manière que les extrémités libres de contact (1, 1a) de la grille de connexion sont pressées par une partie de moule (8) contre l'autre partie de moule (6).

Zum Vermeiden von Bleed und Flash beim Umspritzen eines auf einem Leadframe (1) montierten Halbleiterchips (3) werden in dem einen von zwei Gießformteilen (6, 8) Niederhalter (9) derart angebracht, daß die freien Enden der Leadframe-Kontaktelemente (1, 1a) von dem einen Gießformteil (8) gegen das andere Gießformteil (6) gedrückt werden.

26. L'invention concerne un procédé de traitement d'une tranche de semi-conducteur (11), comprenant : a) préparation d'une tranche (11) séparée, au moyen d'une scie à fil, d'un cristal en un matériau semi-conducteur, ladite tranche présentant un marquage au laser (7) et un support de scie (12) dans sa zone périphérique, le support de scie comprenant une encoche (13) qui donne l'orientation de la tranche (11); b) fixation de la tranche (11) sur un support de tranche (43) qui peut être entraîné en rotation; c) traitement mécanique de la tranche (11) se trouvant sur le support de tranche (43) en rotation, comprenant l'enlèvement du support de scie (12) et l'arrondissage des bords de la tranche (11) par amenée des disques abrasifs (21, 22) dans une phase de travail; d) renouvellement du marquage au laser (7) sur la tranche (11) qui donne l'orientation du cristal de la tranche (11).

Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe (11), umfassend a) Bereitstellen einer mittels einer Drahtsäge von einem Kristall aus Halbleitermaterial abgetrennten Scheibe (11), die eine Lasermarkierung (7) und eine Sägeunterlage (12) in ihrem Umfangsbereich aufweist, wobei die Sägeunterlage eine Einkerbung (13) umfasst, die die Kristallorientierung der Scheibe (11) angibt; b) Fixieren der Scheibe (11) auf einem Scheibenhalter (43), der in Rotation versetzt werden kann; c) Mechanische Bearbeitung der auf dem rotierenden Scheibenhalter (43) befindlichen Scheibe (11), beinhaltend Entfernen der Sägeunterlage (12) und Verrundung der Kante der Scheibe (11) durch Zustellung rotierender Schleifscheiben (21, 22) in einem Arbeitschritt; d) Erneuern der Lasermarkierung (7) auf der Scheibe (11), die die Kristallorientierung der Scheibe (11) angibt.

27. Elle concerne également l'application, à l'aide d'un solvant, d'iodure de césium-étain de phase γ, de Cs1-xAxB1-yCyI3, de Bi1-xMI3-yXy ou d'iodure de bismuth sur un substrat et leur utilisation comme semi-conducteur dans des structures de transistors. Une solution de CsSnI3, une solution de Cs1-xAxB1-yCyI3-zXz, une solution de Bi1-xMxI3-yXy ou une solution de BiI3 étant déposée sur un substrat au moyen de techniques d'impression.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Υ-Cäsium-Zinn-Iodid aus einer Cäsium-Zinn-Iodid-Lösung, wobei das Lösungsmittel abgedampft und das Cäsium-Zinn-Iodid anschließend thermisch behandelt wird, sowie auf einen lösungsmittelbasierten Auftrag von Υ-Cäsium-Zinn-Iodid, Cs1-xAxB1-yCyI3, Bi1-xMI3-yXy oder Bismuthiodid auf ein Substrat und die Verwendung als Halbleitermaterial in Transistorstrukturen, wobei eine CsSnI3-Lösung, eine Cs1-xAxB1-yCyI3-zXz-Lösung, eine Bi1-xMxI3-yXy-Lösung oder eine BiI3-Lösung auf ein Substrat mit Hilfe von Drucktechniken aufgebracht wird, wobei unter Verwendung von einer CsSnI3-Lösung der Auftrag unter inerter Atmosphäre und/oder Vakuum durchgeführt wird.

28. L'invention concerne un dispositif de coupure (1) destiné à interrompre le courant continu entre une source de courant continu (UQC), en particulier dans la gamme de tensions continues entre 300 VDC et 1500 VDC et/ou la gamme de courants nominaux entre 4 A et 250 A, et une charge (3), comprenant un ensemble de disjoncteurs (5, 6, 8) comportant au moins un disjoncteur (5) à déclencheur magnétique (12) et une électronique à semi-conducteur (10) qui est montée en parallèle avec au moins un disjoncteur (5) et qui est en mode de coupure de courant lorsque l'ensemble de disjoncteurs (5, 6, 8) est conducteur de courant et en mode de conduction de courant, au moins pendant un bref moment, lorsque l'ensemble de disjoncteurs (5, 6, 8) est déclenché, le courant (I), en particulier un courant généré à la suite d'un arc électrique, commutant d'au moins un disjoncteur (5) à l'électronique à semi-conducteur (10) lors du déclenchement de l'ensemble de disjoncteurs (5, 6, 8).

Die Erfindung betrifft eine Trennvorrichtung (1 ) zur Gleichstromunterbrechung zwischen einer Gleichstromquelle (UQC), insbesondere im Gleichspannungsbereich zwischen 300VDc und 1500VDc und/oder im Nennstrombereich zwischen 4A und 250A, und einer Last (3), mit einer mindestens einen Schutzschalter (5) mit magnetischem Auslöser (12) aufweisenden Schutzschalteranordnung (5, 6, 8) und mit einer dem mindestens einen Schutzschalter (5) parallel geschalteten Halbleiterelektronik (10), die bei stromführender Schutzschalteranordnung (5, 6, 8) stromsperrend und bei auslösender Schutzschalteranordnung (5, 6, 8) zumindest kurzzeitig stromleitend ist, indem bei auslösender Schutzschalteranordnung (5, 6, 8) der Strom (I), insbesondere ein infolge eines Lichtbogens erzeugter Lichtbogenstrom, vom mindestens einen Schutzschalter (5) auf die Halbleiterelektronik (10) kommutiert.

29. L'invention concerne un condensateur électrolytique au tantale, en particulier sous forme de composant monté en surface de type puce, qui comporte un corps anodique fritté (3), une couche d'oxyde à action diélectrique (8), un électrolyte solide semi-conducteur (7) servant de cathode, un contact cathodique constitué d'une couche de graphite (6) et d'une couche de vernis conducteur (4) contenant du métal, une borne de cathode (1) et une borne d'anode (10), ainsi qu'une enveloppe plastique (11).

Ein Tantal-Elektrolytkondensator, insbesondere in Chip-Bauweise als SMD-Bauelement, besteht aus einem gesinterten Anodenkörper (3), einer dielektrisch wirksamen Oxidschicht (8), einem als Kathode dienenden halbleitenden Festelektrolyt (7), einer Kathodenkontaktierung, die aus einer Graphitschicht (6) und einer metallhaltigen Leitlackschicht (4) besteht, einem Kathoden- (1) und einem Anodenanschluss (10) sowie einer Kunststoffumhüllung (11).

30. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant un substrat de silicium (1) fortement dopé N et une première couche épitaxiale de silicium dopée N (22) contiguë au substrat de silicium (1) fortement dopé N, une couche SiGe dopée P (3) qui est contiguë à une deuxième couche épitaxiale de silicium dopée N (12) et forme une diode à hétérojonction sur la première couche épitaxiale de silicium dopée N (22), la jonction PN se trouvant dans la couche SiGe dopée P (3).

Es wird eine Halbleiteranordnung bestehend aus einem hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1) und einer ersten n-Siliziumepitaxieschicht (22), die sich direkt an das hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1)anschließt, mit einer p-dotierten SiGe-Schicht (3), die sich an eine zweite n-dotierte Siliziumepitaxieschicht (12) anschließt und eine Heteroübergang-Diodebildet, welche sich über der ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) befindet und bei der sich der pn-Übergang innerhalb der p-dotierten SiGe-Schicht (3) befindet, beschrieben.

31. "Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

"Mikroprozessoren", "Mikrocomputer", Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen" für die "Signaldatenverarbeitung", anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), integrierte Schaltungen für neuronale Netze, kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften:

32. «Microcircuits microprocesseurs», «microcircuits micro-ordinateurs», microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et «circuits intégrés optiques» pour le «traitement du signal», dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

„Mikroprozessoren“, „Mikrocomputer“, Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“ für die „Signaldatenverarbeitung“, anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften:

33. L'invention concerne un dispositif micromécanique, notamment un détecteur en cantilever micromécanique, comportant un substrat semi-conducteur (10) pourvu d'un dopage de base, au moins une région de dopage (20, 22; 25; 28) y étant ménagée différant du dopage de base; au moins une couche épitaxiale (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) située au-dessus de la région de dopage (20, 22; 25; 28) du substrat (10); et un espace creux (50) se trouvant sous l'une (30b; 33a; 37a) des couches épitaxiales (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b), la région de la couche épitaxiale (30b; 33a; 37a) située au-dessus de l'espace creux (50) jouant le rôle d'une membrane.

Die vorliegende Erfindung schafft eine mikromechanische Vorrichtung, insbesondere mikromechanischer Cantilever-Sensor, mit einem Halbleitersubstrat (10) mit einer Grunddotierung mit mindestens einem darin eingebrachten, von der Grunddotierung verschiedenen Dotierungsbereich (20, 22; 25; 28); mindestens einer über dem Dotierungsbereich (20, 22; 25; 28) des Substrats (10) liegenden Epitaxieschicht (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b); und einem unter einer (30b; 33a; 37a) der Epitaxieschichten (30a, 30b; 33a; 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) befindlichen Hohlraum (50); wobei der über dem Hohlraum (50) liegende Bereich der Epitaxieschicht (30b; 33a; 37a) eine Membranfunktion aufweist.

34. Les gaz spéciaux contiennent diverses molécules chimiques dont l'industrie électronique a besoin pour fabriquer des semi-conducteurs et qui sont utilisées à différents stades du procédé de fabrication (gaz spéciaux destinés à l'industrie électronique): par exemple, le silane (SiH4) sert à déposer une couche de silicium pur sur la surface de la tranche, l'arsine (ASH3) et la phosphine (PH3) sont utilisés pour le dopage (ajout de dopants sur la surface de la tranche en vue de modifier les propriétés du semi-conducteur), le trifluorure d'azote (NF3), l'hexafluoroéthane (C2F6) et le tétrafluorure de carbone (CF4) pour le corrodage (afin d'enlever les matériaux de la surface de la tranche pour créer le circuit intégré), l'hexafluorure de tungstène (WF6) pour le dépôt de métal et l'hexafluoroéthane et le trifluorure d'azote comme agents nettoyants.

Spezialgase enthalten verschiedene chemische Moleküle, die von der Elektronikindustrie benötigt werden, um Halbleiter herzustellen, die wiederum für die verschiedenen Stufen des Fertigungsprozesses benötigt werden (so genannte elektronische Spezialgase): beispielsweise wird Silan (SiH4) für das Auftragen einer Schicht aus reinem Silikon oder Siliziumoxid auf die Oberfläche der Wafer verwendet, Arsin (ASH3) und Phosphin (PH3) für das Dotieren (Einbringen eines Fremdstoffes in die Wafer, um die Eigenschaften des Halbleiters zu verändern), Nitrogentrifluorid (NF3), Hexafluoroethan (C2F6) und Carbontetrafluorid (CF4) für das Ätzen (Entfernung von Material von der Oberfläche der Wafer, um ein integriertes Schaltbild zu erzeugen), Wolframhexafluorid (WF6) für Metallablagerungen und Hexafluoroethan und Nitrogentrifluorid als Reinigungsmittel.