1. Etching-solution composition and wet etching method using same

식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각 방법

2. Texture-etching solution composition for crystalline silicon wafers and texture-etching method

결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법

3. Composition for a texture-etching solution, and texture-etching method for crystalline silicon wafers

결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법

4. Glass substrate etching device and method

글라스 기판 식각장치 및 방법

5. Etching chamber for manufacturing semiconductor led

반도체 엘이디 제조용 엣칭 챔버

6. Method for etching atomic layer of graphine

그래핀의 원자층 식각 방법

7. Copper and titanium composition for metal layer etching solution

구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물

8. Now we make the Nanopatch with a technique called deep reactive ion etching.

이제 우리는 나노패치를 이온 침작 반응이라 불리는 기술로 만듭니다.

9. As the mountains rose and the water table dropped, cavern etching progressively deepened.

산들이 솟아오르고 지하 수면이 낮아지면서, 동굴은 점진적으로 더 깊어져 갔습니다.

10. And this is, after some acid etching, the one that I ended up with.

이걸로 부식 기법을 했더니, 이런게 마침내 나오더군요.

11. We meet Gloria, engaged in etching delicate decorations onto a plate, and Franco, who is busy turning ornaments on a lathe.

우리는 접시에 에칭 기법으로 섬세한 장식을 새기는 일을 하는 글로리아와, 선반으로 장식품을 가공하느라 바쁜 프랑코를 만납니다.

12. With the development of board lamination and etching techniques, this concept evolved into the standard printed circuit board fabrication process in use today.

기판 적층과 식각 기술의 개발과 함께, 이런 개념은 오늘날의 표준 인쇄회로기판 제조공정으로 발전되었다.

13. Since etching is possible without using an organic acid, precipitation with metal salts may be prevented, and fine patterns may be obtained.

본 발명의 식각액 조성물과 이를 이용한 식각 방법은 황산염을 사용하지 않아 단차 및 침식에 의한 단선(Data Open)불량을 방지 할 수 있으며, 또한 유기산을 사용하지 않고 식각이 가능하기 때문에 금속염과의 석출 문제를 해결할 수 있고 패턴의 미세화도 기할 수 있는 장점이 있다.

14. Disclosed is an etching fluid for electronic devices, comprising: a transition metal and/or a transition metal salt; and a hydrofluoric acid and/or a fluoride salt.

전자소자의 금속전극과 진성반도체층 사이에 배치된 도핑된 반도체층을 상기 진성반도체층에 대하여 선택적으로 식각하는 식각액으로서, 전이금속 및/또는 전이금속염; 및 불산 및/또는 불소를 포함하는 무기염;을 포함하는 식각액이 제시된다.

15. The present invention relates to a vacuum processing apparatus, more particularly to a vacuum processing apparatus which performs vacuum processes such as etching and deposition for a substrate of glass for an LCD panel, etc.

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LCD 패널용 유리 등의 기판에 대하여 식각, 증착 등의 진공처리를 수행하는 진공처리장치에 관한 것이다.

16. Further examples are jewelry-making, leatherwork, weaving, lacemaking, etching, making bark pictures, making designs with nails and threads, tatting, needlework, knitting, crocheting, carving, tole painting (folk art), stained-glass work, basket weaving and netmaking.

예를 더 들자면 보석 세공, 피혁 가공, 직물 짜기, 뜨개질, 식각법(蝕刻法), 나무 껍질에 그림 그리기, 못과 실로 무늬 만들기, ‘태팅’(‘레이스’식 뜨개질 세공), 바느질, 편물, ‘크로세’ 뜨개질 조각, ‘토울’화(민속 예술), 색유리 세공, 바구니 짜기 및 그물 만들기가 있다.

17. The present invention relates to a method for etching an atomic layer of graphine, comprising: adsorbing a reactive radical to a surface of graphine; and irradiating an energy source to the graphine to which the reactive radical is adsorbed.

그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

18. The present invention relates to: an electrode manufacturing method which can manufacture an electrode without conventional etching and plating processes, is environmentally friendly and can implement the low resistance required for an electrode of an electronic material; and an electrode paste composition for a peelable electronic material.

본 발명은 종래의 에칭 및 도금 공정 없이도 전극 제조가 가능하고, 친환경적이며, 전자재료 전극용으로 요구되는 낮은 저항을 구현할 수 있는 전극의 제조방법 및 박리형 전자재료용 전극 페이스트 조성물에 관한 것이다.

19. The etching-solution composition comprises between 5 and 20 wt.% of hydrogen peroxide, between 0.1 and 5 wt.% of a sulphonic acid compound, between 0.1 and 2 wt.% of a carbonyl based organic acid compound, between 0.1 and 0.4 wt.% of a fluorine compound, between 0.01 and 3 wt.% of an azole based compound, and a remainder of water.

상기 식각액 조성물은, 5 내지 20 중량%의 과산화수소, 0.1 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 0.1 내지 2 중량%의 카보닐계 유기산 화합물, 0.1 내지 0.4 중량%의 불소 화합물, 0.01 내지 3 중량%의 아졸계 화합물, 및 나머지 물을 포함한다.