1. Device for aligning a wafer on a wafer carrier

Dispositif d'alignement d'une tranche de semi-conducteur sur un porte-tranche

2. Wafer bonding activated by ion implantation

Collage par adhésion moléculaire activé par implantation ionique

3. Wafer carrier with stacking adaptor plate

Porte-plaquette avec plaque adaptatrice d'empilage

4. Wafer and method of forming alignment markers

Plaquette et procédé de formations de marqueurs d'alignement

5. A K alpha radiation emitting wafer (e.g., Pb) wafer is disposed between the radiation transparent tip and the radiation detector.

Une tranche émettant un rayonnement alpha K (par exemple, en Pb) est disposée entre l'embout transparent au rayonnement et le détecteur de rayonnement.

6. One computer-implemented method for detecting defects on a wafer includes acquiring output for the wafer generated by an inspection system.

Un procédé mis en œuvre par ordinateur pour détecter des défauts sur une tranche comprend l'acquisition d'une sortie pour la tranche générée par un système d'inspection.

7. A wafer polishing solution and method for polishing a wafer comprising an amino acid and calcium ions or barium ions.

L'invention concerne un procédé de polissage de tranche et une solution de polissage de tranche comprenant un acide aminé et des ions calcium ou des ions baryum.

8. Semiconductor wafer immersion systems and treatments using modulated acoustic energy

Systemes d'immersion de plaquette a semi-conducteur et traitements correspondants, a energie acoustique modulee

9. One computer-implemented method for identifying defect types on a wafer includes acquiring output of an inspection system for defects detected on a wafer.

Un procédé informatique pour identifier des types de défaut sur une tranche comprend l'acquisition des sorties d'un système d'inspection pour des défauts détectés sur une tranche.

10. The invention provides a polycrystalline silicon wafer texturizing additive.

L'invention porte sur un additif de texturation de tranche de silicium polycristallin.

11. Adapter for inserting wafer ring between flanges of process piping

Adaptateur pour insertion d’un joint à plaquette entre des brides d’une canalisation de traitement

12. Wafer machining adhesive tape, and its manufacturing method and using method

Bande adhesive pour usinage de tranches et procedes de fabrication et d'utilisation associes

13. A method for wafer bonding two substrates activated by ion implantation is disclosed.

L'invention concerne un procédé de collage par adhésion moléculaire de deux substrats activé par implantation ionique.

14. The resulting measurements are fed into a computer algorithm that calculates the dynamic scanning field curvature in an absolute sense in the presence of wafer height variation and other wafer/reticle stage irregularities.

Les mesures résultantes sont cédées à un algorithme d'ordinateur qui calcule la courbure de champ à balayage dynamique dans un sens absolu en présence d'une variation du poids de la plaquette et autres irrégularités plaquette/étage réticule.

15. MOLECULAR AIRBORNE CONTAMINANTS (MACs) REMOVAL AND WAFER SURFACE SUSTAINING SYSTEM AND METHOD

Systeme et procede d'elimination de film a contaminants moleculaires a suspension dans l'air (mac) et de soutien de surface de plaquette

16. Wafer probe station capable of actively controlling tilt of chuck and controlling method thereof

Station d'essai de plaquettes assurant une vérification active de l'inclinaison du support, et procédé de commande associé

17. A timing calibration system for a wafer level integrated circuit (IC) tester is disclosed.

L'invention concerne un système de calibrage de la synchronisation destiné à un dispositif d'essai de circuits intégrés au niveau de la plaquette.

18. Semiconductor wafer suitable for forming a semiconductor junction diode device and method of forming same

Tranche semi-conductrice appropriée pour la formation d'un dispositif semi-conducteur à diode à jonction et procédé de formation de celle-ci

19. The bake plate (110) is positioned within the oven and adapted to receive the wafer (115).

La plaque de cuisson (110) est placée dans le four et elle est conçue pour recevoir la plaquette 115).

20. The parts of the wafer (1) on the second areas are etched in the second trench etching.

Les parties de la tranche (1) sur les secondes zones sont gravées pendant la seconde gravure de tranchée.

21. Next, the wafer is realigned in the stepper using the error-free fine alignment target.

Ensuite, la tranche est réalignée dans le graveur à répétition à l'aide de la cible d'alignement précis exempt d'erreur.

22. The composition is alkaline, which can remove azole-type corrosion inhibitors on the wafer surface after CMP.

La composition est une composition alcaline, qui peut éliminer des inhibiteurs de la corrosion de type azole à la surface des plaquettes après CMP.

23. The wafer is held in position by a tooling head and is contacted by an abrasive pad.

La tranche est tenue en position par une tête d'outil et elle est mise en contact avec une plaque abrasive.

24. For etch processes, a separate powered electrode may be used to accelerate ions toward a wafer surface.

Pour des procédés de gravure, on peut utiliser une électrode alimentée séparément afin d'accélérer les ions vers la surface d'une tranche.

25. The adaptor plate (50) will ideally have a cooperating machine interface portions to allow stacking of the wafer carriers.

La plaque adaptatrice comprend de préférence une partie de connexion avec une machine coopérante permettant l'empilage des supports de tranches.

26. In another step a first pattern, including an error-free fine alignment target, is created on the wafer.

Lors d'une autre étape, un premier motif, comportant une cible d'alignement précis exempt d'erreur, est créée sur la tranche.

27. In another step, the wafer is aligned in the stepper using the error-free fine alignment target.

Une autre étape consiste à aligner la tranche dans le moteur pas à pas utilisant la cible d'alignement fin sans erreur.

28. A sheet wafer growth system includes a crucible for containing molten material and an afterheater positioned above the crucible.

L'invention concerne un système de croissance de tranche de feuille qui comporte un creuset pour contenir une matière fondue et un dispositif de chauffage secondaire placé au-dessus du creuset.

29. The afterheater and the shield(s) are configured to allow a sheet wafer to pass adjacent to the shield(s).

Ledit dispositif de chauffage secondaire et lesdits écrans sont configurés pour permettre à une tranche de feuille de circuler jouxtant lesdits écrans.

30. The light source is adapted to generate actinic radiation for illuminating a photomask pattern onto the exposure field on the semiconductor wafer.

La source lumineuse est conçue pour générer un rayonnement actinique destiné à illuminer un motif de masque photographique sur le champ d'exposition sur la tranche semi-conductrice.

31. A device for abrading a large-scale flat substrate such as a silicon wafer, a quartz substrate, a glass substrate, and a metallic substrate.

L'invention se rapporte à un dispositif pour abraser des substrats plats sur une grande échelle, telle que tranches de silicium, substrats de quartz, substrats de verre et substrats métalliques.

32. The wafer is then immersed in an aqueous bath comprising an alkaline component and a surfactant, and into which sonic energy is being directed.

Puis, la plaquette est immergée dans un bain aqueux qui comprend un composant alcalin et un tensioactif et dans lequel est dirigée une énergie ultrasonore.

33. In particular, the high resistivity silicon structure comprises a large diameter CZ silicon wafer as the substrate thereof, wherein the resistivity of the substrate wafer is decoupled from the concentration of acceptor atoms (e.g., boron) therein, the resistivity of the substrate being substantially greater than the resistivity as calculated based on the concentration of said acceptor atoms therein.

Plus précisément, la structure de silicium très résistive comprend une plaquette de silicium CZ de diamètre important comme substrat de celle-ci, la résistivité de la plaquette substrat étant découplée à partir de la concentration d'atomes accepteurs (par exemple, le bore) dans celle-ci et la résistivité du substrat étant sensiblement supérieure à celle calculée en fonction de la concentration d'atomes accepteurs dans celle-ci.

34. Sets of alignment holes (30a) and (30b) are punched in the film (26) such that they will be beyond the perimeter of the wafer (32).

Des ensembles de trous d'alignement sont percés dans le film (26) de telle sorte que ces trous se trouvent au-delà du périmètre de la tranche (32).

35. For example, on a silicon wafer just four inches (10 cm) square are 200 microcomputer chips, each able to process eight million bits of information per second.

Ainsi, sur une plaquette de silicium de 10 centimètres de côté, tiennent 200 puces électroniques, et chacune d’elles est en mesure de traiter 8 millions de données à la seconde.

36. In addition, each wafer includes windows through which selected contact elements can be cut to either improve the performance of the shields or to allow attachment of resistors.

Chaque galette comporte, de surcroît, des fenêtres à travers lesquelles il est possible de couper des éléments de contact, que ce soit pour améliorer les caractéristiques de fonctionnement des blindages ou pour permettre le rattachement de résistances.

37. The beamsplitter directs light reflected from the wafer surface (24) back into an interferometer camera to provide depth of focus and aberration information to a computer (16) which activates and selectively deforms the deformable mirror (6).

Ledit diviseur de faisceau renvoie la lumière réfléchie par la surface des tranches (24) vers une caméra à interféromètre pour communiquer des informations sur la distance de focalisation et l'aberration à un ordinateur (16) qui actionne et déforme sélectivement le miroir déformable (6).

38. A surface inspection apparatus (1) comprises an image processing inspection part (45) which inspects presence/absence of abnormality in repeated patterns on the surface of a wafer (10) based on diffracted light and second linearly-polarized light detected by a CCD camera (40).

La présente invention a pour objet un appareil d'inspection de surface (1) comprenant une partie inspection de traitement d'image (45) qui inspecte la présence/l'absence d'anomalie dans des motifs répétés sur la surface d'une tranche (10) sur la base de la lumière diffractée et d'une seconde lumière polarisée de manière linéaire détectée par une caméra CCD (40).

39. A surface acoustic wave device to be used as a branching filter for handling high-frequency waves of several GHz in a mobile communication field can be manufactured by forming a metal film over a wafer-shaped piezoelectric substrate and by removing the metal film selectively to form comb-shaped metal electrodes.

L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface utilisé comme filtre de séparation permettant de manipuler des ondes à fréquence élevée de plusieurs GHz dans un champ de communications mobile. Ce dispositif est fabriqué par formation d'un film métallique sur un substrat piézo-électrique en forme de tranche, et par suppression sélective dudit film métallique afin de former des électrodes en forme de peigne.

40. Disclosed herein are embodiments of a semiconductor structure 100- 400 and an associated method of forming the semiconductor structure 100-400 with shallow trench isolation structures 120 having selectively adjusted reflectance and absorption characteristics in order to ensure uniform temperature changes across a wafer during a rapid thermal anneal and, thereby, limit variations in device performance.

L'invention concerne des formes de réalisation d'une structure de semi-conducteur (100-400) et un procédé associé de formation de la structure de semi-conducteur (100-400) utilisant des structures d'isolation (120) par tranchées peu profondes, qui présentent des caractéristiques de facteur de réflexion et d'absorption réglées sélectivement en vue de garantir des changements de température uniformes dans la tranche pendant un recuit thermique rapide, et de limiter ainsi les variations d'efficacité du dispositif.

41. Of the pair of heads consisting of two Z heads which simultaneously face the Y scale, measurement values of a priority head is used, and when abnormality occurs in the measurement values of the priority head due to malfunction of the head, measurement values of the other head is used, and the positional information of the wafer stage in at least the Z-axis direction can be measured in a stable manner and with high precision.

En ce qui concerne la paire de têtes constituée de deux têtes Z qui font simultanément face à l'échelle Y, des valeurs de mesure d'une tête prioritaire sont utilisées et, lorsqu'une anomalie survient dans la tête prioritaire du fait d'un dysfonctionnement de la tête, des valeurs de mesure de l'autre tête sont utilisées et les données de position de l'étage de plaquette dans au moins l'axe Z peuvent être mesurées de manière stable et avec grande précision.