1. Control and restrain activities by rebel groups

Surveiller et limiter les activités des groupes rebelles

2. The support structures typically used in these settings do not fully restrain the cables.

Le dispositif de retenue de câbles décrits ici retient simultanément les câbles et fixe les câbles à la structure de support de câbles.

3. Military organizations, on the other hand, have historically tolerated, occasionally insisted upon, and have only recently attempted to restrain aggressive behaviour, intolerance of out-group individuals (who may range from friendly civilians to enemy soldiers), occasional abuse of alcohol, in-group bonding, contempt for financial goals, political abstemiousness and the personal (ofttimes physical) resolution of disputes between soldiers.

Il en va de même en ce qui concerne l'intolérance envers les individus qui ne font pas partie du groupe (à partir des civils amis jusqu'aux soldats ennemis), l'abus occasionnel d'alcool, les manifestations de solidarité envers un groupe restreint, le dédain des objectifs financiers, la non participation à la politique et les règlements de comptes personnels (souvent violents) entre militaires.

4. Sealing strips (4), or spacing strips and sealant can be disposed at the edge of the interlayer, wherein the interlayer is airproof, with appropriate gas such as dry air or inert gases charged therein to restrain up and down convection or reduce heat transfer coefficient, and also includes a plurality of transparent wing panels (3) disposed horizontally and parallel to each other along a longitudinal direction.

Cette dernière est étanche à l'air, contient un gaz approprié, tel que de l'air sec ou des gaz inertes, servant à limiter la convection vers le haut et vers le bas ou à réduire le coefficient de transfert de chaleur, et comprend une pluralité d'ailettes transparentes (3) disposées horizontalement et parallèlement les unes aux autres dans une direction longitudinale.

5. The genistein can restrain damage of tyrosine protein kinase to a cell junction by restraining activation, caused by rotavirus infection, of tyrosine protein kinase of an intestinal epithelial cell, so that a rotavirus is prevented from damaging the intestinal epithelial cell, the completeness of intestinal mucosa is protected, the effects of obviously reducing the symptom and the aftereffect of rotavirus diarrhea are achieved, and Therefore, when the genistein is used as a main active component, a high-efficient and low-toxicity specificity rotavirus diarrhea resisting medicament is expected to researched and developed.

La génistéine peut empêcher l'endommagement provoqué par la tyrosine protéine kinase sur une jonction cellulaire en empêchant l'activation, provoquée par une infection à rotavirus, de tyrosine protéine kinase d'une cellule épithéliale intestinale, de sorte à prévenir l'endommagement de la cellule épithéliale intestinale par un rotavirus, la totalité de la muqueuse intestinale étant protégée, les effets d'une réduction évidente du symptôme et de l'effet consécutif d'une diarrhée à rotavirus étant obtenus, et, par conséquent, lorsque la génistéine est utilisée en tant que principe actif principal, il est prévu d'obtenir un médicament résistant à la diarrhée à rotavirus à spécificité d'efficacité élevée et de faible toxicité devant faire l'objet de recherches et d'une mise au point.

6. A handle (30, 40) applying method and means employs heating and deforming an aglet (32) to form or fusing an end stop on a bag cord after fitting the cord through a handle locating aperture (31, 32, 41, 42) in a bag wall (15) or fitting an aglet (32) having a resiliently movable barb (64) or detent on the end of a bag cord before passing the aglet through a handle locating aperture which causes the barb (64) or detent to move toward the aglet as it passes through the aperture and which barb (64) or detent returns to its rest position to restrain the cord from removal through the aperture in a reverse direction to that of fitment of the cord end.

Cette invention se rapporte à un procédé et à un moyen servant à fixer une poignée (30, 40) à un sac et consistant à cet effet à chauffer et à déformer un oeillet (32), afin d'obtenir par formage ou par fusion une butée sur la cordelette du sac, après avoir fait passer la cordelette dans une ouverture (31, 32, 41, 42) de positionnement de la poignée, ménagée dans une paroi (15) du sac, ou consistant à fixer un oeillet (32) présentant une barbe élastiquement flexible (64) ou un cliquet à l'extrémité de la cordelette du sac, avant de faire passer cet oeillet par l'ouverture de positionnement de la poignée, ce qui amène la barbe (64) ou le cliquet à se rapprocher de l'oeillet, lorsque celui-ci passe par l'ouverture, puis à retourner dans sa position de repos pour empêcher tout retrait de la cordelette par l'ouverture dans une direction inverse à celle de la fixation de l'extrémité de la cordelette.

7. The present invention provides compound tunneling field effect transistors integrated on a silicon substrate and methods for fabricating the same, the present invention enables to increase tunneling efficiency with an abrupt band slope by forming a source region with a material having a bandgap at least 0.4 electron volts (eV) narrower than that of silicon, to increase a driving current (ON current) by forming a channel region with a material having almost no difference in lattice constant from a source region and having a high electron mobility at least 5 times higher than that of silicon, and to increase simultaneously ON/OFF current ratio to a great amount by forming a drain region with a material having a bandgap wider than or equal to that of a channel region material to restrain OFF current to the utmost.

L'invention permet d'augmenter l'efficacité de tunnellisation avec une pente de bande abrupte, par formation d'une région source avec un matériau qui présente une bande interdite d'au moins 0,4 volt d'électron (eV) plus étroite que celle du silicium, afin d'augmenter un courant d'entraînement (courant ON) par la formation d'une région de canal avec un matériau ne présentant quasiment pas de différence de constante de treillis par rapport à une région source et ayant une mobilité d'électron élevée, au moins 5 fois supérieure à celle du silicium et d'augmenter simultanément le rapport de courant ON/OFF dans une quantité supérieure par la formation d'une région de drain avec un matériau présentant une bande interdite plus large ou égale à celle d'un matériau de région de canal pour limiter le courant OFF au maximum.