1. Gate alignment procedure in fabricating semiconductor devices

Procedure d'alignement de portes dans la fabrication de dispositifs a semiconducteurs

2. Method of fabricating die coater parts

Procede de fabrication de pieces d'une coucheuse a filiere

3. A method of fabricating a truss (12).

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une ferme de toit (12).

4. Method for fabricating a screen absorbing electromagnetic radiation

Procede de fabrication d'un ecran absorbant le rayonnement electromagnetique

5. Method and apparatus for fabricating abrasive tools

Procede et dispositif de fabrication d'outils abrasifs

6. Methods of fabricating integrated, aligned tunneling tip pairs

Procede permettant de fabriquer des paires de pointes de sonde integrees et alignees formant des tunnels d'electrons

7. Variable capacitor and process for fabricating the same

Condensateur variable et processus pour sa fabrication

8. Alkali-activated binder with no cement, method for fabricating mortar using it, and method for fabricating alkali-activated reinforcement mortar with no cement

Liant sans ciment activé par des alcalis, procédé servant à fabriquer un mortier utilisant celui-ci et procédé servant à fabriquer un mortier de renforcement sans ciment activé par des alcalis

9. Method for fabricating self-aligned complimentary pillar structures and wiring

Procédé de fabrication de structures de pilier complémentaires auto-alignées et de câblage

10. A method of fabricating tunnel transistors with abrupt junctions

Procédé permettant de fabriquer des transistors à effet tunnel ayant des jonctions abruptes

11. Semiconductor device having trench wiring and process for fabricating semiconductor device

Dispositif a semi-conducteur avec cablage en reseau et procede de fabrication associe

12. A method of fabricating a surface for reducing ice adhesion strength

Procédé de fabrication d'une surface permettant de réduire la force d'adhérence de la glace

13. System for forecasting erection accuracy of fabricating blocks of ship, method, and media thereof

Système de prédiction concernant la précision d'érection de blocs de fabrication de navire, et moyens mis en oeuvre

14. These systems include a controller that is adapted for interacting with a plurality of fabricating stations.

Ces systèmes comprennent une unité de commande conçue pour interagir avec une pluralité de postes.

15. Electric energy generating modules with a two-dimensional profile and method of fabricating the same

Modules de generation d'energie electrique a profil bidimensionnel et son procede de fabrication

16. Methods for fabricating integrated circuit devices on an acceptor substrate devoid of circuitry are disclosed.

L'invention porte sur des procédés de fabrication de dispositifs à circuit intégré sur un substrat accepteur dépourvu de circuiterie.

17. Method of fabricating a merged p-n junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Procédé de fabrication d'une diode mixte jonction p-n et schottky avec une couche de nitrure de gallium traitée par reprise d'épitaxie

18. Acoustic control apparatuses, acoustic control processes, and processes of fabricating acoustic control apparatuses are disclosed.

La présente invention concerne des appareils de commande acoustique, des processus de commande acoustique et des processus de fabrication d’appareils de commande acoustique.

19. Methods for fabricating a stent using a laser with an Ytterbium Tungstate active medium are disclosed.

La présente invention concerne des procédés de fabrication d'un stent au moyen d'un laser dont le milieu actif est le tungstate d'ytterbium.

20. A fabrication process (S1-S28) is specially adapted for fabricating the device and arrays of such devices.

Enfin, un procédé de fabrication (S1-S28) est spécialement conçu pour la fabrication de ce dispositif et de ses réseaux.

21. A process for fabricating aligned, stacked CMOS devices (110, 130) includes first forming a lower FET device (110).

Procédé de fabrication de dispositifs CMOS alignés et empilés (110, 130) consistant à former d'abord un dispositif FET inférieur (110).

22. This invention is directed to a system and method of fabricating PN and PiN diodes by diffusing an acceptor impurity into a substrate.

La présente invention se rapporte à un système et à un procédé de fabrication de diodes PN et PIN, selon lesquels un atome accepteur est diffusé dans un substrat.

23. Integrated circuit devices are formed by sequentially disposing one or more levels of semiconductor material on an acceptor substrate, and fabricating circuitry on each level of semiconductor material before disposition of a next higher level.

Des dispositifs à circuit intégré sont formés par agencement séquentiel d'un ou plusieurs niveaux de matériau semi-conducteur sur un substrat accepteur, et fabrication de circuiterie sur chaque niveau de matériau semi-conducteur avant l'agencement d'un niveau supérieur suivant.

24. A method of fabricating an adhesive tape (500) includes depositing an adhesive material (501) including at least 28% vinyl acetate by weight on a basefilim (503) at a substantially uniform thickness of up to 18 microns.

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un ruban adhésif (500) comprenant le dépôt d'une matière adhésive (501) comprenant au moins 28% d'acétate de vinyle en poids sur un film de base (503) à une épaisseur pratiquement uniforme allant jusqu'à 18 microns.

25. While working in Zürich, he described fabricating afocal scleral contact shells, which rested on the less sensitive rim of tissue around the cornea, and experimentally fitting them; initially on rabbits, then on himself, and lastly on a small group of volunteers.

Tout en travaillant à Zurich, il a décrit la fabrication de la lentille sclérale afocale, dont le contour reposait sur les tissus moins sensibles autour de la cornée, et expérimenta leur adaptation : d'abord sur des lapins, puis sur lui-même, et enfin sur un petit groupe de bénévoles.

26. The present invention provides compound tunneling field effect transistors integrated on a silicon substrate and methods for fabricating the same, the present invention enables to increase tunneling efficiency with an abrupt band slope by forming a source region with a material having a bandgap at least 0.4 electron volts (eV) narrower than that of silicon, to increase a driving current (ON current) by forming a channel region with a material having almost no difference in lattice constant from a source region and having a high electron mobility at least 5 times higher than that of silicon, and to increase simultaneously ON/OFF current ratio to a great amount by forming a drain region with a material having a bandgap wider than or equal to that of a channel region material to restrain OFF current to the utmost.

L'invention permet d'augmenter l'efficacité de tunnellisation avec une pente de bande abrupte, par formation d'une région source avec un matériau qui présente une bande interdite d'au moins 0,4 volt d'électron (eV) plus étroite que celle du silicium, afin d'augmenter un courant d'entraînement (courant ON) par la formation d'une région de canal avec un matériau ne présentant quasiment pas de différence de constante de treillis par rapport à une région source et ayant une mobilité d'électron élevée, au moins 5 fois supérieure à celle du silicium et d'augmenter simultanément le rapport de courant ON/OFF dans une quantité supérieure par la formation d'une région de drain avec un matériau présentant une bande interdite plus large ou égale à celle d'un matériau de région de canal pour limiter le courant OFF au maximum.