1. Gallium nitride (GaN) and its ternary alloys of aluminium or indium are the most promising semiconductors for fabricating optoelectronic, high-frequency and high-power devices.

Galliumnitrid (GaN) und seine ternären Legierungen von Aluminium oder Indium stellen die vielversprechendsten Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dar.