1. The processor elements are implemented as CMOS/neuron MOS threshold value logic elements or CMOS/NMOS pass transistor logic elements.

Die Prozessorelemente werden in CMOS/Neuron-MOS-Schwellwertlogik oder in CMOS/NMOS-Pass-Transistor-Logik ausgeführt.

2. These advances are expected to redefine today's standard 'complementary metal-oxide semiconductors' (CMOS).

Diese Fortschritte sollten den heutigen Standard-CMOS (complementary metal-oxide semiconductor, CMOS) neu definieren.

3. Advances in CMOS technology are also expected to reduce the costs of manufacture.

Fortschritte in der CMOS-Technologie werden voraussichtlich auch die Kosten der Herstellung reduzieren.

4. Rapid, low-power-loss and ecl (emitter coupled logic)-compatible output circuit used in cmos technology

Schnelle, verlustleistungsarme und ecl-kompatible ausgangsschaltung in cmos-technologie

5. The flagship of the Alpha DSLR range features the industry’s first ever 24.6 effective megapixel full-frame CMOS sensor.

Beide Modelle begeistern mit ihrem exzellenten Design, edlen Materialien und fünf individuellen Trendfarben.

6. complementary MOS types (CMOS) and N-channel types (NMOS) of all densities irrespective of access speed, configuration package or frame.

als auch in Form von bearbeiteten Wafers (Scheiben) oder Chips, die unter Verwendung eines Metalloxydhalbleiters (MOS) sowie in CMOS- und NMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen.

7. Based on an industrial 1.5 μm CMOS, circuit robustness is achieved by adding dielectric isolation and high voltage transistors.

Ausgehend von einem industriellen Niedervolt−1.5 μ-CMOS-Prozeß wird die Robustheit durch den Einsatz der dielektrischen Isolation und die Integration von spannungsfesten Transistoren erhöht.

8. The overall project objective was to combine CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor) circuitry with nanotechnological processes to develop advanced molecular sensors.

Ziel des Projekts war es, CMOS-Schaltkreise mit nanotechnologischen Prozessen zu kombinieren, um fortschrittliche Molekularsensoren zu entwickeln.

9. The patented CMOS evaluation circuitry integrated on the same chip allows programmable, highly precise amplification and evaluation of the generated analog sensor signal.

Die auf demselben Chip integrierte und patentierte CMOS-Auswerteschaltung erlaubt eine programmierbare, hochgenaue Verstärkung und Auswertung des erzeugten analogen Sensorsignals.

10. The source areas and drain areas are embodied in a self-aligning manner relative to the word lines according to standard CMOS logic technology.

Die Source-Bereiche und die Drain-Bereiche sind nach Art einer Standard-CMOS-Logik-Technologie selbstjustiert zu den Wortleitungen ausgebildet.

11. Continuation of the project will no doubt yield important advances in CMOS analogue mixed-signal circuits facilitating important size end energy consumption reductions while enhancing performance.

Eine Verbesserung der Unterscheidungsfähigkeiten wird zweifellos einen positiven Einfluss auf viele Gebiete haben, in denen DESI derzeit zum Einsatz kommt, sowie neuen Anwendungen Tür und Tor öffnen.

12. We applied a VHDL-based design flow to implement digital standard cell logic, RAMs, flash memory and analog cells into a 27 mm2 chip using 0.35 μ CMOS technology.

Das VHDL-Design vereinigt digitale Standardzellen, RAMs, Flash-Speicher und analoge Zellen auf 27 mm2 Chipfläche in einer 0,35-μ-CMOS-Technologie.

13. When microprocessors emerged to the market in the 1970s, Intersil participated with its 12-bit IM6100, which was the first microprocessor produced in CMOS technology and emulated the PDP-8 instruction set.

Als in den 1970er Jahren die ersten kommerziellen Mikroprozessoren erschienen, brachte Intersil 1975 den IM6100 heraus, der die ungewöhnliche Wortbreite von 12 Bit hatte und als erster Mikroprozessor in CMOS-Technologie gefertigt wurde.

14. The invention relates to a high-speed output driver comprising at least one CMOS inverter (IN1) acting as an amplifier for high-frequency digital signals and consisting of an n-channel transistor (T11) and a series connected complementary p-channel transistor (T21).

Bezeichnung der Erfindung: HochgeschwindigkeitsausgangstreiberDie Erfindung betrifft einen Hochgeschwindigkeitsausgangstreiber mit mindestens einem als Verstärker für hochfrequente digitale Signale dienenden CMOS-Inverter (IN1), der einen n-Kanal Transistor (T11) und einen dazu in Reihe geschalteten, komplementären p-Kanal Transistor (T21) aufweist.