indium in Vietnamese

@indium
* danh từ giống đực
- (hóa học) inđi

Sentence patterns related to "indium"

1. Gallium Indium Thallium

2. Débris d'hafnium, indium, niobium, rhénium et gallium

3. débris d’hafnium, indium, niobium, rhénium et gallium

4. Produits chimiques composés de bismuth, gallium, indium, sélénium, tellure et combinaisons de ces produits destinés à la fabrication de pigments et glacis, fabrication de produits pharmaceutiques, fabrication de caoutchouc synthétique, fabrication d'essence, produits chimiques composés de bismuth, gallium, indium, sélénium, tellure et combinaisons de ces produits utilisés comme agents de préparation d'alliage dans des processus industriels non médicaux, produits chimiques composés de bismuth, gallium, indium, sélénium, tellure et combinaisons de ces produits destinés à la fabrication d'insecticides, germicides et fongicides, produits chimiques composés de bismuth, gallium, indium, sélénium, tellure et combinaisons de ces produits destinés à la radiologie, redresseurs, dispositifs thermoélectriques et semi-conducteurs, diodes laser et maser

5. L'invention concerne une substance sensible au rayonnement ionisant composée de cristaux d'halogénure alcalin d'une structure de type NaCl, d'ions modifiés de nickel, gallium, indium, thallium et de palladium.

6. On présente les résultats d'une étude de la résistance électrique et d'aimantation dans un champ longitudinal sur des alliages Indium-Plomb dans la phaseα.

7. Lorsqu'on emploie114In comme traceur, les mesures d'activité ont montré, par étude de la distribution du tribromure d'indium que la récupération de 1'indium était quantitative après une seule extraction dans l'acide bromhydrique 6 M.

8. Le mode optique est éloigné des concentrations élevées en accepteurs dans les couches de type p par manipulation de la concentration en indium et de l'épaisseur de la couche guide d'onde côté n.

9. On décrit un appareil pour se protéger de l'atmosphère du laboratoire et l'on donne un mode opératoire pour le dosage polarographique des éléments plomb, cadmium, fer, indium, cuivre, nickel, thallium, bismuth et zinc jusqu'à 10−6% dans le silicium très pur.

10. C'est ainsi que des couches absorbantes de chalcopyrite à base de sulfure, riches en indium et à faible pourcentage de défauts, peuvent être produites sans étapes d'attaque chimique supplémentaires, du fait qu'en dépit d'une température de substrat relativement faible, de petites molécules de chalcopyrite peuvent être formées.

11. Dans ce but, la présente invention fournit une composition d'encre semi-conductrice qui comprend un complexe, représenté par la formule 1, incorporant un nitrate d'un métal A qui est une matière oxydante et incorporant un métal B qui est une matière combustible ; le métal A et le métal B représentant chacun respectivement un métal choisi dans le groupe consistant en indium, gallium, zinc, titane, aluminium, lithium et zirconium, et le métal A et le métal B étant différents l'un de l'autre.

12. L'invention concerne des compositions antitranspirantes sans eau présentant une efficacité antitranspirante améliorée, ces compositions étant appliquées sous forme de spray et contenant au moins un agent antitranspirant, au moins un sel double du type alun de formule générale MIMIII(SO4)2 ⋅ X H2O (dans laquelle MI représente un cation monovalent choisi parmi les ions potassium, sodium, rubidium, césium et ammonium; MIII représente un cation trivalent choisi parmi les ions aluminium, gallium, indium, scandium, titane et vanadium; x est un nombre rationnel compris entre 0 et 12, y compris 0) et de 0,01 à 7 % en poids d'au moins un composé contenant de l'oxyde de silicium, choisi parmi les acides siliciques à modification hydrophobe et les phyllosilicates à modification hydrophobe.

13. La présente invention concerne en outre un procédé servant à préparer un substrat recouvert d'une pellicule mince de cuivre-indium-gallium-sélénium (CIGS), dont les étapes consistent : à préparer un substrat précurseur dans lequel un précurseur de métal comprenant du cuivre, de l'indium et du gallium est appliqué sur un premier substrat ; à préparer un substrat recouvert de sélénium dans lequel du sélénium est appliqué sur un second substrat ; à mettre face à face une surface du précurseur de métal du substrat précurseur et une surface du sélénium du substrat de sélénium et à les faire adhérer étroitement ; et à chauffer le substrat précurseur et le substrat de sélénium à une température à laquelle le sélénium appliqué sur le substrat de sélénium peut s'évaporer.