diode in Vietnamese

@die Diode
- {diode} điôt, ống hai cực

Sentence patterns related to "diode"

1. Super-junction-schottky-pin-diode

2. Elektrochrome passiv-matrix-anzeige mit diode in jedem pixel

3. Die Photonen prallen an allen Wänden ab, bis sie die Diode erreichen.

4. Die Erfindung betrifft ein Betriebsgerät für Leuchtmittel, insbesondere LEDs, OLEDs oder Halogenlampen, aufweisend eine Schaltungsanordnung zum Gleichrichten einer Wechselspannung mit mindestens einer Diode (Dl), wobei zu der Diode ein durch ein elektronisches Schalterelement parallel geschaltet ist, das einen geringeren Durchlasswiderstand als die Diode hat, und dass Steuermittel für das Schalterelement vorgesehen sind, die gewährleisten, dass die Durchlassdauer des Schalterelementes innerhalb derjenigen der Diode liegt.

5. Die Bezeichnung Diac ist eine Abkürzung und steht für englisch Diode for Alternating Current (dt.

Thuật ngữ DIAC là viết tắt của Diode for alternating current (Điốt cho dòng điện xoay chiều).

6. Projektaktivitäten umfassten den Entwurf eines Photonendetektors basierend auf der SPAD-Technologie (silicon single-photon avalanche diode.

7. 1904 wurde die erste Diode, eine Röhrendiode , als Gleichrichter eingesetzt. Sie bestand aus Kathode und Anode .

8. Dieser Effekt wird vor allem bei Z-Diode n angewendet, wobei UBR durch geeignete Dotierung auch auf unter 5V gesenkt werden kann.

9. 'Schaltungselement' (circuit element) : eine einzelne aktive oder passive Funktionseinheit einer elektronischen Schaltung, z. B. eine Diode, ein Transistor, ein Widerstand, ein Kondensator.

10. Zur Demodulation eines amplitudenmodulierten Signals sind zwei Kondensatoren (C1, C2) vorgesehen, denen ein mit einer Diode (D1) gleichgerichtetes Signal mit einer Spannung (U1) zuführbar ist.

11. Es wird eine ESD-Schutzvorrichtung vorgeschlagen, die einen vertikalen als Diode geschalteten Bipolartransistor (44, 56, 40, 50, 52, 54) umfaßt, bei der die Kontaktierung der Kollektorschicht (54) hochohmig ausgeführt ist.

12. Wird eine Diode in Sperrrichtung betrieben, so entsteht am p-n-Übergang eine Ladungsträgerverarmungszone, an der sich auch ein elektrisches Feld , bedingt durch die fehlenden Ladungsträger , aufbaut. Mit steigender Spannung vergrößert sich die Breite der ladungsfreien Zone, wodurch die Kapazität abnimmt.

13. Sie betrifft weiter ein Mehrfachstecksystem (Sn) mit mindesten zwei Steckverbindern (S) mit jeweils einem Hauptkontakt (8) und einem nacheilenden Hilfskontakt (9) sowie mit einer den Steckverbindern (S) gemeinsamen Halbleiterelektronik (10), die mit jedem der Hilfskontakte (9) über eine Diode (17) in Reihe geschaltet ist.

14. Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Solarzellen auf Siliziumbasis und betrifft insbesondere ein Verfahren zur Passivierung von kristallinen Silizium-Solarzellen, bei dem kristallines Silizium in einer geeigneten Einrichtung zunächst mit Phosphor zur Erzeugung einer Diode unter Temperatureinwirkung durch einen Dif fusionsprozess dotiert wird und anschließend eine Passivierung und Entspiegelung der Oberfläche des Siliziums durch Abscheiden von Siliziumnitrid in einem Plasmaverfahren vorgenommen wird.

15. Es ist ein Hochsetzsteller (1) offenbart, der eine erste Induktivität (7), die einen ersten Gleichspannungseingang (2) des Hochsetzstellers (1) mit einem ersten Verbindungspunkt (22) elektrisch verbindet, einen Hochsetzstellerschalter (8), der den ersten Verbindungspunkt (22) mit einem zweiten Gleichspannungseingang (3) und einem zweiten Gleichspannungsausgang (5) des Hochsetzstellers (1) verbindet, eine erste Diode (9), die den ersten Verbindungspunkt (22) mit einem ersten Gleichspannungsausgang (4) des Hochsetzstellers (1) verbindet.