1. OR 게이트 NOT 게이트 NAND 게이트 NOR 게이트 XOR 게이트 XNOR 게이트 IMPLY 게이트 논리 게이트 Mano, M. Morris and Charles R. Kime.

2. 게이트 볼의 스틱을 무기로 삼는다.

3. 프록시는 휴대전화 사이를 연결하는 게이트 또는 터널과 같습니다.

4. 1960연대에는 미 J.J.마크마렌사에 의해서 콜 게이트 이중벽구조의 마크마렌·콜 게이트 방형 탱크(마크마렌 방식 탱크)가 고안 되었지만, 배는 만들어지지 않았다.

5. 이때 사용하는 신호가 게이트(gate, 또는 enable) 이다.

6. 창이 열립니다. 낯선은 이후 어떤 주저, 게이트 - 게시물 중 하나에 대한 leant는 생산

7. 역 북측의 노스 게이트 빌딩(NORTH GATE BUILDING)과 역 남측 "액티 오사카"를 증축한 후 개칭된 사우스 게이트 빌딩(SOUTH GATE BUILDING)의 2개 건물로 구성되어, 오사카 터미널이 운영하고 있다.

8. 반도체로 구성된 채널 및 상기 채널의 상부에 배치되는 게이트 절연체층을 포함하는 본 발명의 FET 이온센서는, 이온분자가 상기 채널의 표면에 흡착되는 것에 의해 상기 게이트 절연체층이 대전되어, 상기 채널의 전기전도도가 변경된다.

9. 게이트 턴 오프 사이리스터 (Gate Turn-Off thyristor) - 반도체 소자의 하나.

10. 4월 23일, 그는 남부 런던의 포리스트 게이트, 집시 레인 131번지에 있는 건물을 확보하였습니다.

11. U-시티에 있어서 U-게이트 웨이, 이를 포함하는 메시지 처리 시스템 및 방법

12. 저희가 뉴욕에 살 당시에 크리스토와 잔 클로드의 '더 게이트' 전시가 센트럴 파크에서 열렸습니다.

13. 연장된 게이트 전극이 형성된 전계효과 트랜지스터형 신호변환기를 이용한 투명성 이온 감지 센서칩 및 이의 제조방법

14. 신문에 실은 내용이 명예 훼손이라고 하여, 존 월터는 뉴 게이트 감옥에 수감되어 16개월을 보냈던 적이 있다.

15. (다만 백 게이트 단자가 존재하지 않기 때문에 기판 바이어스 효과에 의한 문턱 전압의 변경을 할 수 없음) 현재 채널층에서 널리 사용되고 있는 것은 수소화 아모퍼스 실리콘(a-Si:H: hydrogenated amorphous silicon)이지만 스레시홀드 전압이 시간, 게이트 전압, 온도에 의해서 불안정하게 변하는 문제가 있다.

16. 디플리션형(depletion type) = 노멀리 온형 (normally on type) : 게이트 전압을 걸지 않을 때 채널이 존재해서 드레인 전류가 흐르는 것이다.

17. CPLD & SPLD를 포함하여, 래티스는 현장 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 프로그래머블 혼합신호와 상호연결 제품, 관련된 소프트웨어와 지적재산권(IP)를 생산한다.

18. 그리고 현재, 멀리 언덕까지, 도로에서 연주 개 yelped하고 아래에 도망 패드, 패드, 패드, - - 같은 소리를 그들은 여전히 무언가 - - 바람을 궁금해 게이트, 하고

19. 제임스 강은 앨러게니 산맥의 앨리게니 카운티와 바터탓 카운티의 경계에 있는 아이언 게이트 근처 카우패스차 강과 잭슨 강의 합류점에 발원하여, 햄턴 로즈에서 체사피크 만으로 흘러 들어가고 있다.

20. 상기 전류패스 FET의 소스와 게이트 사이에는 다른 패스오프 FET이 두개가 직렬로 연결되며, 상기 두 개의 다른 패스오프 FET의 게이트는 제어기로부터 출력된 제 3 제어신호와 연결된다.

21. 본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다.

22. 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

23. 일반 해치 게이트 등에 사용되는 댐퍼는 계절에 따라 작동의 견고함이 큰 차이가 나지만, 이는 댐퍼에 봉입된 오일의 점도가 온도에 따라 변화하기 때문에 여름에는 부드럽지만 겨울에는 굳게 되어 버리는 경우가 많았다.

24. 퀸 메어리 호를 타고 사우샘프턴에 당도한 후 열차를 타고 런던으로 간 다음 택시로 협회 지부 사무실에 도착했는데, 그 사무실은 26년간 랭커스터 게이트, 크레이번 테러스 34번지에 소재해 왔다.

25. 본 발명은 무 커패시터 메모리 소자에 관한 것으로, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 위치한 절연층과, 상기 절연층 상의 일부 영역에 형성된 스토리지 영역과, 상기 스토리지 영역 상에 위치하고 상기 스토리지 영역과 밸런스 밴드 에너지 차를 갖는 채널 영역과, 상기 채널 영역 상에 순차적으로 형성된 게이트 절연막 및 게이트 전극 및 상기 채널 영역에 접속되고 상기 게이트 전극 양측 영역에 위치하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 무 커패시터 메모리 소자를 제공한다. 이와 같이 채널 영역부 하측에 채널 영역부와 밸런스 밴드 에너지가 상이한 스토리지 영역부를 두어 스토리지 영역부에 트랩된 전하가 쉽게 빠져나가지 못하도록 하여 전하의 보유 시간을 증가시켜 정보 저장능력을 향상시킬 수 있다.

26. 스트럭쳐드 ASIC(structured ASIC) 개발 기간을 단축하기 위해서 게이트 어레이 가반에 SRAM이나 클럭용 PLL, 입출력 인터페이스같은 범용 기능 블록을 미리 짜넣어서 최소한의 개별 설계로 대응할 수 있도록 한 것이다.

27. 리차드 마이클 데일리(Richard M. Daley) 전 시카고 시장 은 2006 년 5 월 15 일 조각품이 완성된 날을 "클라우드 게이트 데이 (Cloud Gate Day)"로 선언하기도 했다.

28. 엔딩 후에 다른 작품과 같이 타이틀로 돌아가는 것이 아니라 ‘히스토리아 크룩스(Historia Crux, 시간의 게이트 간의 교차점이며, 다음 한 세대를 연결하는 분리된 차원이다)’로 돌아가는 것은 「발할라에서 다시 역사가 반복되기에 플레이어가 또다른 역사를 찾아내주길 바란다」는 의도가 있다.

29. 본 발명은 전기적신호를 이용하여 차량의 미션 변속단을 제어가능케 하는 전자식 변속 레버장치에 관한 것으로, 특히 레버 조작수단 및 감지수단을 간소화하고, 그 작동 및 감지를 더욱 원활해지도록 함과, AT, MT에 따른 공용 및 게이트(61)의 형상에 따른 본체의 호환이 가능하도록 하는 전자식 변속 레버장치를 제공하고자 한다.

30. 또한, 본 발명은 타임 레지스터(Time Register) 구현에 있어 직렬 지연 게이트 회로를 이용함으로써 시간 해상도 및 처리 속도를 함께 향상시킬 수 있는 타임 레지스터를 제공하며, 이를 이용한 시간-디지털 변환 장치, 시간-디지털 변환 방법, 시간 연산 장치 및 시간 연산 방법을 제공할 수 있다.

31. 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로를 구성하는 구동 트랜지스터(D-TR10)의 열화에 따른 문턱 전압의 변동을 보상하기 위한 것으로, 주사신호(SCAN)를 공급하는 복수의 게이트 라인과 화상 신호(Vdata)를 공급하는 복수의 데이터 라인이 교차하는 영역에 배치된 복수의 화소 회로(Px10)를 구비하며, 복수의 화소 회로 각각은, 유기EL소자(OLED)와, 데이터 라인을 통해서 인가되는 화상 신호(Vdata)에 대응하여 유기EL소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어하는 구동트랜지스터(D-TR10)와, 구동트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인 사이에서 제 2 커패시터(C12)를 개재하여 접속되며 주사신호(SCAN)에 따라서 도통 상태가 제어되는 스위칭트랜지스터(TR11)와, 스위칭트랜지스터와 제 1 전압 원(VDD) 사이에 접속되어서 화상 신호에 대응하는 전압을 충전하는 제 1 커패시터(C11)와, 제 1 커패시터의 일단과 구동트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되어서 구동트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 충전하는 제 2 커패시터(C12)를 포함하며, 구동트랜지스터(D-TR10)는 제 1 커패시터에 충전된 전압과 제 2 커패시터에 충전된 전압의 합계 전압(Vdata+Vth)에 대응하는 전류를 유기EL소자(OLED)에 인가한다.

32. 이와 같은 본 발명은 제1스프링과 제2스프링에 의해 실린더로드가 인출된 후 자동적으로 인입되기 때문에 실린더가 필요한 자동문이나 게이트 자동닫힘 등에 적용시 스프링의 신장 및 압축 작용에 의해 실린더로드의 작동이 이루어질 수 있어 종래 가스가 충진되는 가스실린더 또는 오일이 충진되는 유압실린더, 또는 에어가 충진되는 공압실린더 등이 지닌 문제점을 해결할 수 있다.

33. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.

34. 본 발명은 금속막 식각용 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화제, 식각 조정제, 킬레이트제, 언더컷 방지제, 구리식각 억제제, 잔사 제거제 및 잔량의 물을 포함하는 평판디스플레이용 박막트랜지스터내 게이트 전극 및 데이터 전극으로 사용되는 금속막, 특히 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브텐-티타늄 합금 중에서 선택한 1 종 이상을 포함한, 단일막 또는 다중막을 일괄 습식 식각하는 식각용 조성물에 관한 것이다.

35. 2009년 10월 16일보다 게이트 26에서 34까지 터미널 북쪽 윙에 대해서 선행하고 공사가 시작됐지만 2009년 말 현재 움직이는 보도는 극히 일부만 설치되지 않아 국제선이 앞의 게이트에 도착한 경우는 휠체어 이용 등 간병이 필요한 경우만 2층에서 위 키위 키 버스로 이동 다른 대부분의 이용자는 3층 수백미터인 통로의 거의 전 구간을 도보로 이동할 필요가 있다.

36. 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 씨모스 이미지 센서의 동작 방법은 제 1 시간 동안 광 감지소자에서 광전자를 생성하는 단계, 상기 제 1 시간 보다 짧은 제 2 시간 동안 상기 광 감지소자에서 광전자를 생성하는 단계, 및 상기 광 감지소자에서 생성된 광전자를 감지하는 단계를 포함하며, 상기 광 감지소자에 연결된 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 상기 제 1 시간 및 제 2 시간 동안 다르게 설정된다.

37. 본 발명의 실시 예에 따른 타임 레지스터는 제1 시간 구간을 갖는 입력 신호를 수신하는 인(IN) 신호 입력부; 트리거 신호를 수신하는 트리거 신호 입력부; 상기 입력 신호와 트리거 신호에 응답하여 인에이블(EN) 신호를 생성하는 인에이블(EN) 생성부; 셋 신호를 수신하는 셋(SET) 신호 입력부; 및 상기 인에이블(EN) 신호를 인가받아, 상기 셋(SET) 신호를 전파하는 직렬 지연 게이트 회로부를 포함한다. 이에 따라, 시간 정보의 저장, 가산 또는 감산이 클럭 동기적으로 가능한 타임 레지스터를 디자인 할 수 있다.

38. 이를 위한 본 발명은 기판의 상측에 형성된 제 1 솔더 볼 및 반도체 칩과, 상기 제 1 솔더 볼의 일부가 노출되도록 상기 반도체 칩과 상기 솔더 볼을 몰딩하는 몰드를 포함하는 하부 반도체 패키지; 및 하면에 형성된 제 2 솔더 볼을 통하여 상기 솔더 볼의 노출부위에 접속되도록 적층되는 상부 반도체 패키지;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 탑 게이트 몰드 방식에 따른 박리현상, 몰드 플래시, 냉납 등의 고질적인 불량을 방지할 수 있고, 소재(material) 선택 및 공정 안정화를 향상시킬 수 있는 효가 있다.

39. 이를 위해, 본 발명에 따른 능동형 정전력 공급장치는, 교류전원을 공급하는 교류전원 공급기와, 상기 교류전원 공급기로부터 교류전원을 입력받아 정류하는 정류회로와, 상기 정류회로로부터 전력을 공급받는 부하에 직렬 연결된 구동 코일과, 상기 구동 코일 및 부하를 통과한 전류를 스위칭 온/오프 시키는 전력 스위치와, 상기 전력 스위치의 게이트 단에 연결되어 상기 스위칭 온/오프를 제어하는 펄스형 구동신호 발생기와, 상기 구동 코일에 흐르는 전류가 설계값 이상인 경우 차단 신호를 발생시킴으로써, 상기 전력 스위치를 스위칭 오프시키는 차단 판정기 및 상기 구동신호 발생기의 스위칭 온 시간부터 상기 차단 판정기의 스위칭 오프 시간까지인 조절기간을 측정하여, 상기 구동신호 발생기의 구동 펄스폭이 상기 조절기간과 일치되도록 제어하는 펄스폭 제어기를 포함하는 것을 특징으로 한다.