1. 이에 의하여, 간소화된 형태의 공정이 제공될 수 있는 박막 태양전지 제조방법이 제공된다.

Par conséquent, l'invention permet de simplifier le procédé de fabrication d'une cellule solaire à couche mince.

2. 본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 기재가 로딩되는 기재 로딩부, 기재 로딩부에 결합되어 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함한다. 이때, 박막 증착부는 복수의 플라즈마 모듈을 포함하고, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 배치되어 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하며, 기재 수송부가 기재 로딩부를 교번 이동하여 기재상에 박막이 증착된다.

La présente invention concerne un appareil de dépôt en couche mince comprenant : une unité de chargement de substrat sur laquelle un substrat est chargé; une unité de portage de substrat couplée à l'unité de chargement de substrat pour déplacer en alternance le substrat; et une unité de dépôt en couche mince permettant de déposer une couche mince sur le substrat.

3. 박막 증착 장치는 챔버와, 서셉터와, 소스가스 공급부, 및 서셉터 지지대를 포함한다. 챔버는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다.

La présente invention concerne un dispositif de dépôt de couche mince qui comprend une chambre, un suscepteur, un élément d'alimentation en gaz sources et un support de suscepteur.

4. 본 발명은 질화갈륨의 결함 밀도를 현저하게 감소시킬 수 있는 박막 구조체 및 그 제조방법으로서, 사파이어를 포함하는 지지기판 및 상기 지지기판 상에 배치되며 질화갈륨을 포함하는 에피층을 포함하며, 상기 에피층에 대향되는 상기 지지기판의 상부는 규소가 상기 지지기판의 상부면을 통하여 확산되거나 이온주입된 층으로 이루어지는, 박막 구조체를 제공한다.

La présente invention concerne une structure de couche mince dans laquelle la densité de liaison du nitrure de gallium peut être fortement réduite et un procédé de production associé.

5. 본 발명인 자기유도형 비파괴 센서를 위한 CoNiFe 삼원계 합금박막의 조성물은 CoNiFe 삼원계 박막을 전기도금방법으로 제조하여 1.9T의 포화자속밀도와 0.5Oe의 보자력을 갖는 자기유도형 비파괴 박막 센서로 가능하고, 자성코어의 길이를 최소로 하면서도 높은 포화자속밀도와 작은 보자력을 갖는 자기유도형 비파괴 박막 센서로 가능하며, 단일 검출 코일 및 박막형 마이크로 자기유도 센서 모델링을 통하여 계산된 결과를 검증하기 위하여 신호의 검출이 용이한 자기코어가 있는 검출코일을 이용하여 금속결함을 검출할 수 있고, 기지금속인 Fe에 구조를 제어하기 위한 첨가원소를 소량 넣어 포화자속밀도를 가능한 한 높게 유지시킨 상태에서 결정자기이방성이 최소가 되도록 하면서도 투자율이 높고 보자력이 작은 자기유도형 비파괴 박막 센서로 가능하며, 고 자속밀도의 구현을 통해 여기코일에서 0.2mm 떨어진 극 미세 크랙의 검출이 가능하므로 분해능이 높아 피검체의 불량을 영상화시킬 수 있는 것이다.

L'invention concerne un composite de couche mince en alliage ternaire de Co-Ni-Fe pour capteur non destructif à induction magnétique qui permet au capteur non destructif à induction magnétique de présenter une densité de flux magnétique saturé de 1,9 T et une coercivité de 0,50 e par fabrication d'une couche mince en alliage ternaire de Co-Ni-Fe par électrodéposition, et de présenter une densité de flux magnétique saturé élevée et une faible coercivité indépendamment de la longueur minimale d'un noyau magnétique.

6. 또한, 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하기 위하여 상기 기판 스테이지에 대향되는 상기 챔버의 타측에 설치되는 전원인가용 전극을 포함한다.

A cet endroit, la platine à substrat se déplace en direction de l'électrode d'application de puissance de sorte que le film mince conducteur du substrat chargé sur la platine vienne au contact de l'électrode d'application de puissance.

7. 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판 스테이지에 대향되도록 상기 챔버의 타측에 설치되고 상기 기판 스테이지에 안착된 기판 측으로 이동되어 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하도록 된 전원인가용 전극을 포함한다.

La présente invention concerne un appareil et un procédé de fabrication d'un film mince en silicium polycristallin.

8. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.

En particulier, les caractéristiques du transistor peuvent être obtenues à l'aide d'une couche mince photodurcissable générale en tant que couche mince d'isolation de grille sans utiliser des couches minces classiques comprenant des groupes fluorés telles que des couches minces de CYTOP, et par conséquent la composition et le procédé de la présente invention peuvent être facilement appliqués à des procédés pratiques.

9. 본 발명에 의할 시 제 1 기판 상에 구리, 인듐 및 갈륨으로 구성된 금속 전구체가 코팅된 전구체 기판을 준비하는 단계, 제 2 기판 상에 셀레늄이 코팅된 셀레늄 코팅 기판을 준비하는 단계, 상기 전구체 기판의 금속 전구체 일면과 상기 셀레늄 코팅 기판의 셀레늄 일면을 대면시켜 밀착하는 단계 및 상기 밀착된 전구체 기판 및 셀레늄 코팅 기판을 상기 셀레늄 코팅 기판에 코팅된 셀레늄의 기화가 가능한 온도로 가열하는 단계를 포함하는 CIGS(Copper-Indium-Galium-Selenium) 박막 코팅 기판의 제조방법이 제공된다.

La présente invention concerne en outre un procédé servant à préparer un substrat recouvert d'une pellicule mince de cuivre-indium-gallium-sélénium (CIGS), dont les étapes consistent : à préparer un substrat précurseur dans lequel un précurseur de métal comprenant du cuivre, de l'indium et du gallium est appliqué sur un premier substrat ; à préparer un substrat recouvert de sélénium dans lequel du sélénium est appliqué sur un second substrat ; à mettre face à face une surface du précurseur de métal du substrat précurseur et une surface du sélénium du substrat de sélénium et à les faire adhérer étroitement ; et à chauffer le substrat précurseur et le substrat de sélénium à une température à laquelle le sélénium appliqué sur le substrat de sélénium peut s'évaporer.

10. 본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

La couche active contient une nitrure d’indium-galliun (InGaN), et la couche barrière est formée par la superposition alternée d’un film minces de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN) et d’un film mince d’indium-galliun (InGaN).

11. 본 발명은 의료용 가온장치에 카트리지(Cartridge)로 장착되어 환자에게 투입되는 수액 또는 혈액을 직접 가열방식으로 가온시키는 수액주입장치의 가온기용 히터모듈 및 그것의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 절연기판; 상기 절연기판의 일면에 순수 금속 혹은 2개 이상의 금속이 소정 비율로 혼합된 합금으로 적층되어 길이와 단면적의 패턴으로 설정된 저항값을 갖는 저항패턴; 상기 저항패턴의 상부면에 소정의 기법으로 도포되어 저항패턴을 보호하고 절연시키는 절연체층; 상기 절연체층의 상부면에 금속성 물질이 설정된 소정의 기법으로 증착되는 전도체층; 상기 전도체층의 상부면에 증착되어 전도체층의 절연과 방수, 내식성, 내화학성을 제공하는 박막 보호층의 적층 구조를 포함한다.

La présente invention concerne un module de dispositif chauffant pour dispositif de chauffage d'appareil de perfusion de liquide et son procédé de fabrication, le module de dispositif chauffant étant placé à l'intérieur d'une cartouche d'un appareil de chauffage médical et augmentant la température d'un liquide ou du sang à perfuser au patient par chauffage direct.

12. 본 발명은, 적어도 두 가지 제1유기용매와 산화아연 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체와 산화제를 기판이 내치된 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 산화아연계 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 박막 증착방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 산화아연계 박막은 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막이고, 상기 산화아연계 증착 방법은, 적어도 두 가지 제2유기용매와 갈륨 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체를 상기 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 상기 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막을 증착한다.

La présente invention concerne un procédé de dépôt pour une couche mince à base d’oxyde de zinc, caractérisé par : une étape de mélange d’au moins deux premiers solvants organiques et d’un précurseur d’oxyde de zinc ; une étape de vaporisation d’une solution mixte des au moins deux premiers solvants organiques et du précurseur d’oxyde de zinc ; et l’alimentation, dans une chambre de dépôt dans laquelle est placé un substrat, d’un oxydant et d’un gaz obtenu par vaporisation de la solution mixte des au moins deux premiers solvants organiques et du précurseur d’oxyde de zinc, et ainsi le dépôt d’une couche mince à base d’oxyde de zinc sur le substrat.