1. 본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다.

En conséquence, le dispositif de mémoire non volatile selon la présente invention n'utilise pas d'effet tunnel durant la programmation, et fait passer l'état de résistance du matériau à commutation par tension de seuil à un état de faible résistance afin d'exécuter un programme.

2. 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로를 구성하는 구동 트랜지스터(D-TR10)의 열화에 따른 문턱 전압의 변동을 보상하기 위한 것으로, 주사신호(SCAN)를 공급하는 복수의 게이트 라인과 화상 신호(Vdata)를 공급하는 복수의 데이터 라인이 교차하는 영역에 배치된 복수의 화소 회로(Px10)를 구비하며, 복수의 화소 회로 각각은, 유기EL소자(OLED)와, 데이터 라인을 통해서 인가되는 화상 신호(Vdata)에 대응하여 유기EL소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어하는 구동트랜지스터(D-TR10)와, 구동트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인 사이에서 제 2 커패시터(C12)를 개재하여 접속되며 주사신호(SCAN)에 따라서 도통 상태가 제어되는 스위칭트랜지스터(TR11)와, 스위칭트랜지스터와 제 1 전압 원(VDD) 사이에 접속되어서 화상 신호에 대응하는 전압을 충전하는 제 1 커패시터(C11)와, 제 1 커패시터의 일단과 구동트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되어서 구동트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 충전하는 제 2 커패시터(C12)를 포함하며, 구동트랜지스터(D-TR10)는 제 1 커패시터에 충전된 전압과 제 2 커패시터에 충전된 전압의 합계 전압(Vdata+Vth)에 대응하는 전류를 유기EL소자(OLED)에 인가한다.

L'invention concerne un appareil destiné à compenser les écarts d'une tension de seuil causés par la détérioration d'un transistor d'attaque (D-TR10) qui constitue un circuit de pixels d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique, l'appareil comprenant une pluralité de circuits de pixels (Px10) disposés sur des zones où une pluralité de lignes de grille fournissant des signaux de balayage (SCAN) croisent une pluralité de lignes de données fournissant des signaux de pixels (Vdata).