1. 너의 속성 매트릭스

Your attribute matrix.

2. 매트릭스 메탈로프로테아제 활성 억제 펩타이드 및 이의 용도

Peptide inhibiting matrix metalloproteanases activity and use thereof

3. 능동 매트릭스 디스플레이의 화소 구조 및 제조 방법

Pixel structure for active matrix display, and method for manufacturing same

4. 디지털 매트릭스 앰프를 이용한 다원화방송시스템 및 그 제어방법

Multi-channel broadcasting system using a digital matrix amplifier and method for controlling same

5. 매트릭스 펜슬은 실시간 시스템의 경우와 상호연관된 신호하에서 매우 유용하다.

Matrix Pencil is very efficient in case of real time systems, and under the correlated sources.

6. 기억해라 우리 매트릭스 a는 n열에 위치해있으며 나는 이 매트릭스를 곱셈으로 밖에 정의를 하지 않았습니다

Remember, if our matrix a has n columns, then I've only defined this matrix vector multiplication.

7. 본 발명은 '2차원 매트릭스 기반의 분산 접속망'을 기반으로 한 서비스의 연속성 보장 방안을 개시한다.

The present invention discloses a method for guaranteeing service continuity on the basis of a "2D matrix-based distributed access network".

8. 본 발명은 활성 성분인 라코사마이드(lacosamide) 또는 이의 약학적으로 허용 가능한 염을 포함하는 매트릭스 형태의 약학 조성물에 관한 것이다.

The present invention relates to a matrix type pharmaceutical composition containing lacosamide, which is an active ingredient, or a pharmaceutically acceptable salt thereof.

9. 본 발명에 따른 화소 구조는 베이스 기판, 복수의 화소 회로 전극, 절연층 및 복합층을 포함한다. 복수의 화소 회로 전극은 베이스 기판 위에 매트릭스 형태로 배열된다.

The plurality of pixel circuit electrodes is arranged in a matrix form on the base substrate.

10. 특히 티올 보호면을 갖는 황화아연 나노 미립자는 고분자수지 매트릭스 내에 용이하게 분산되며 응집 없이 균일한 분포를 가능하게 한다. 또한 티올 보호면을 갖는 황화아연 나노 미립자는 열가소성 고분자수지 매트릭스의 형성온도를 견디는 장점을 갖는다.

In addition, the zinc sulfide nanoparticles having a thiol protective surface can endure the formation temperature of a thermoplastic polymer resin matrix.

11. 멀티비트 플래시 메모리 소자는 실리콘 기판, 핀 채널, 제1절연층, 순차적으로 적층된 터널링 절연층, 전하트랩층 및 블로킹 절연층을 포함하는 복수의 유전층, 복수의 제2절연층 및 복수의 게이트를 포함하고, 플래시 메모리는 복수의 플래시 메모리 소자가 N×M의 매트릭스 형태로 배열되어 이루어지며 각각의 메모리 소자는 인접한 메모리 소자와 상기 핀 채널 및 상기 게이트를 공유하여 어레이를 이룬다.

A flash memory is formed in such a manner that plural flash memory devices are arranged in N×M matrixes, wherein each memory device forms an array by sharing the pin channel and the gates with adjacent memory devices.

12. 본 발명에 따른 터치 스크린의 리드아웃 회로부는, 복수의 터치 센서가 터치 스크린 패널(TSP) 내부 또는 외부에 행과 열의 매트릭스 형태로 배열된 터치 센서부; 상기 터치 센서 각각의 전기적 변화를 감지한 후 이를 전압값으로 변환하여 저장하는 센싱 블록; 일정 간격을 두고 선택된 2개의 상기 센싱 블록에 각각 저장된 2개의 센싱 전압값의 차이를 인가 받아 델타(△) 전압을 만들어 내는 델타 회로부; 상기 델타회로부에서 출력된 아날로그 신호를 N(자연수) 비트의 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환기(ADC)를 제공함에 기술적 특징이 있다.

The technical features of the present invention relate to a readout integrated circuit for a touch screen, comprising: a touch sensor unit in which a plurality of touch sensors are arranged into a matrix with rows and columns inside or outside a touch screen panel; sensing blocks which sense electrical variations in each of the touch sensors, convert the sensed electrical variations into voltage values, and store the voltage values; a delta circuit unit which receives the difference between two voltage values stored in each of the two sensing blocks selected at a predetermined interval, and which generates delta (Δ) voltages; and an analog-digital converter (ADC) which converts the analog signal outputted by the delta circuit unit into an N-bit digital signal (where N is a natural number).

13. 고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 나노기공 초저유전 박막이 제공되며, 상기 제조 방법은 유기 실리케이트 매트릭스-함유 용액과 반응성 포라젠-함유 용액을 혼합하여 혼합용액을 준비하고; 상기 혼합용액을 기재 상에 도포하여 박막을 형성하고; 상기 박막을 열처리하며, 상기 열처리 과정 중에 오존 처리를 수행하는 것:을 포함하며, 이러한 제조 방법에 의하여 제조된 나노기공 초저유전 박막은, 고온의 오존 처리 및 처리온도의 최적화에 따른 박막 내의 기공의 크기와 분포도의 개선을 통해 2.3 이하의 유전율과 10 GPa 이상의 기계적 강도를 가질 수 있다.

A nanoporous ultra-low dielectric thin film manufactured by the method can have a permittivity of 2.3 or less and a mechanical strength of 10 GPa or more by improving size and distribution of pores in the thin film by virtue of high-temperature ozone treatment and optimized treatment temperature.