1. The first integrated circuits contained only a few transistors.

처음 개발된 집적회로는 트랜지스터 몇개만 들어가 있었다.

2. In this new development transistors as well as other circuit elements are put together in a series of layers.

새로 개발된 이 장치 안에서는 여러 개의 ‘트랜지스터’와 다른 회로상의 부품을 층층히 함께 묶어둔다.

3. Because of their many advantages, one of the things that transistors have made possible is the communications satellite.

‘트랜지스터’의 여러 가지 장점 때문에 가능하게 된 것들 중 한가지는 통신 위성이다.

4. The present invention relates to a DC-DC converter that comprises P-type or N-type transistors and outputs a desired voltage.

본 발명은 P형 또는 N형의 한 형태의 트랜지스터로 이루어져 원하는 전압을 출력할 수 있도록 한 직류-직류 변환기에 관한 것이다.

5. For example, a computer's main memory is made of transistors that switch between either high or low voltage levels, such as 5 volts and 0 volts.

가령 컴퓨터의 메인보드는 트랜지스터로 구성되어 있어요. 트랜지스터는 전압 레벨을 높고 낮게 바꾸는 역할을 하죠. 예를 들면 5나 0으로요.

6. The present invention introduces an amplifier with the minimal number of MOS transistors and dithering switches, and a display driving circuit using the amplifier as a buffer.

본 발명은 최소한의 모스트랜지스터의 개수 및 최소한의 디더링 스위치를 구비하는 증폭기 및 상기 증폭기를 버퍼로 사용하는 디스플레이 구동회로를 개시(introduce)한다. 상기 증폭기는 입력스테이지, 바이어스 스테이지 및 출력스테이지를 구비한다.

7. As compared to conventional ternary content-addressable memories, the ternary content-addressable memory according to the present invention has fewer transistors as components in order to reduce the size thereof.

본 발명에 따른 터너리 내용 주소화 메모리는 종래 터너리 내용 주소화 메모리와 비교하여 구성 트랜지스터의 수가 적어 작은 크기로 메모리를 제작할 수 있어서, 메모리 설계에 있어서 가장 중요한 요인 중 하나인 집적도를 향상시킬 수 있으며 소형화되고 경량화된 제품을 설계하는데 도움을 준다.

8. Integrated circuits such as 1K-bit RAMs, calculator chips, and the first microprocessors, that began to be manufactured in moderate quantities in the early 1970s, had under 4,000 transistors.

1Kb 램이나 계산기 칩, 세계 최초의 마이크로프로세서 같은 1970년대 꽤 많이 생산되었던 집적회로들은 4천개 이하의 트랜지스터를 포함했다.

9. In addition, it is possible to achieve mass production of thin film transistors of diverse structures including nano-wires using a low temperature, large-area process, in the absence of a catalyst.

본 발명에 의하면, 크로스링크의 우려가 없는 나노와이어를 반도체 채널층으로 성장시켜 높은 전자이동도를 갖는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 촉매 없이 저온, 대면적 공정에서 나노와이어를 포함하는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 대량으로 제조할 수 있다.

10. The bias stage generates two class-AB output voltages corresponding to the voltage levels of the two nodes, and includes a current mirror, ten path-selection switches, a class-AB bias circuit and two bias transistors.

상기 바이어스 스테이지는 상기 2개의 노드의 전압준위에 대응되는 2개의 클래스 AB 출력전압을 생성하며, 전류미러, 10개의 경로선택스위치들, 클래스 AB 바이어스회로 및 2개의 바이어스 트랜지스터를 구비한다.

11. The macromolecular compound according to the present invention can be used in various fields such as organic macromolecular solar cells, organic thin-film transistors and organic electroluminescent elements since it can provide outstanding light-absorbing properties, electrical conductivity, photovoltaic power and light-emission characteristics, and it is amenable to the process of spin coating when the device is employed.

본 발명에 따른 고분자 화합물은 소자 적용 시에 스핀 코팅 공정이 가능하고, 우수한 광흡수성, 전기전도성, 광기전력, 및 발광 특성을 제공할 수 있어 유기 고분자 태양전지, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전기 발광 소자 등과 같은 다양한 방면에 응용할 수 있다.