1. Microfluidic semiconductor sensor

마이크로 플루이딕 반도체 센서

2. Adhesive tape for assembling semiconductor

반도체 조립용 접착 테이프

3. Etching chamber for manufacturing semiconductor led

반도체 엘이디 제조용 엣칭 챔버

4. Adhesive film for a semiconductor package

반도체 패키지용 접착필름

5. Adhesive composition for semiconductor, and adhesive film comprising same

반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름

6. Apparatus and method for supplying slurry for a semiconductor

반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법

7. Wavelength-convertible semiconductor laser which is driven by pulse

펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저

8. Semiconductor chip test socket and method for manufacturing same

반도체 칩 테스트용 소켓 및 그 제조 방법

9. Semiconductor element comprising graphene varistor capable of adjusting work function

일함수 조절이 가능한 그래핀 배리스터를 포함하는 반도체 소자

10. Provided is a cleaning apparatus for cleaning a polished semiconductor wafer.

상기 세정 장치는 직선 트랙을 따라서 일렬로 배치되는 기판 입력부, 기판을 세정하도록 구성되는 제1 및 제2 세정 챔버를 포함하는 기판 세정부, 기판을 건조하도록 구성되는 2개 이상의 건조 챔버를 포함하는 기판 건조부를 포함한다.

11. Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device

에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치

12. Semiconductor wafer surface protecting semi-adhesive film and production method for same

반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법

13. A light emitting device according to the present invention includes a substrate and a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer which are formed on the substrate.

본 발명에 따른 발광소자는, 기판; 및 상기 기판 상부에 형성되는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며; 상기 기판은 그 상면에 복수의 요철 패턴을 갖고, 상기 복수의 요철 패턴 각각은 전체적으로 상기 기판에 대하여 돌출된 형상이며 골짜기와 산등성이가 반복되는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하여, 종래의 경우보다 발광 소자의 광추출 효율이 향상되며 결정결함 밀도를 감소시킴으로써 내부양자효율이 향상된다.

14. Dual-mode element, semiconductor circuit including the same, and method for enhancing timing yield

듀얼 모드 소자, 그를 포함한 반도체 회로 및 반도체 회로의 타이밍 수율 향상 방법

15. Raid controller for a semiconductor storage unit and a method for providing the same

반도체 저장장치를 위한 알에이아이디 제어기 및 그 제공 방법

16. Zinc oxide-based p-type semiconductor thin film using hydrogen, and method for manufacturing same

수소를 이용한 산화아연계 P 형 반도체 박막 및 그 제조방법

17. The n-type semiconductor layer of a nitride group includes aluminum formed on the active layer.

질화물계의 활성층은 p형 반도체층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다.

18. The active layer of a nitride group includes aluminum formed on the p-type semiconductor layer.

질화물계의 p형 반도체층은 적어도 도핑 보강층의 전극 형성부가 노출되게 도핑 보강층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다.

19. The present invention relates to an adhesive composition and film for preparing a semiconductor, and more specifically, an adhesive composition for preparing a semiconductor which comprises an acrylic resin containing acrylonitrile, a mixture of an epoxy compound and a phenolic resin, and a filler, having excellent wafer pick-up characteristics during a semiconductor manufacturing process, and has excellent adhesive strength to a wafer, a lead frame and a PCB substrate, and an adhesive film for preparing a semiconductor, containing a coating layer of the composition.

본 발명은 반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 아크릴로니트릴 함유 아크릴 수지, 에폭시 화합물과 페놀 수지의 혼합물 및 충전제를 포함하며, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 픽업(Pick up) 공정 특성이 우수하고, 웨이퍼, 리드프레임, PCB 기판(PCB Substrate)에 대한 접착력이 우수한 반도체 제조용 접착제 조성물 및 이 조성물의 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 접착필름에 관한 것이다.

20. This power characteristic differs fundamentally from that of a metal oxide semiconductor transistor, which is capacitor-based.

이 전력 특성은 커패시터를 기초로한 MOS 트랜지스터의 전력특성과는 기본적으로 다르다.

21. The present invention relates to a semiconductor waveform generator, and more particularly, to a sawtooth wave generator which can be applied to a DC-DC converter, a pulse width modulation circuit, or the like that is being used as a semiconductor integrated circuit.

본 발명은 반도체 파형 발생기에 관한 것으로서, 특히 반도체 집적회로로 사용되는 DC-DC컨버터나 펄스폭 변조 회로등에 적용될 수 있도록 하는 톱니파 발생기를 제공하기 위한 것으로서, 기준전압을 발생시키고, 기준전압을 분압하여 톱니파의 상한값(VTH)과 하한값(VTL)을 발생시키는 레귤레이터부와, 제1,제2모스 트랜지스터(M1)(M2)에 의해 전류 미러로서 작동되는 전류 미러부와, 상기 전류미러부의 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인단에 피모스트랜지스터와 엔모스 트랜지스터인 제5,제4모스트랜지스터(M5)(M4)가 직렬 연결되고, 제5, 제4 모스트랜지스터(M5)(M4)의 중간 접속점에서 콘덴서(C2)의 충방전에 의해 톱니파(SAW)를 출력하는 톱니파 발생부와, 상기 톱니파 발생부의 톱니파 출력신호와 상기 레귤레이터부의 톱니파 상한값(VTH)과 하한값(VTL)을 각각 비교하여 톱니파의 상한/하한 제어에 따른 진폭이 제어된 구형파 신호를 발생시켜 상기 톱니파 발생부의 제5,제4모스트랜지스터(M5)(M4)의 게이트에 블랭크(Blank)신호로 인가하는 톱니파 진폭제어부로 구성된다.

22. A cured product, for example, can be applied as a sealant or an adhesive material for a semiconductor device.

또한, 경화체는 고온 내열성 및 가스 배리어성 등이 우수하다. 경화체는, 예를 들면, 반도체 소자의 봉지재나 접착 소재로 적용될 수 있다.

23. Thus, crystal defects of the second conductive semiconductor layer are repaired and the activation ratio of dopant is raised.

압축응력에 의해 발광 구조체의 제2 도전형 반도체층의 열팽창은 억제되고, 인가되는 열에너지에 의해 결정결함은 치유된다. 이를 통해 제2 도전형 반도체층의 결정 결함은 치유되고, 도판트의 활성화 비율은 상승한다.

24. Method for manufacturing oxide semiconductor thin film transistor, and active operating display device and active operating sensor device using same

산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치

25. Semiconductor companies owned and operated their own silicon-wafer fabrication facilities and developed their own process technology for manufacturing their chips.

반도체 기업은 스스로 실리콘 웨이퍼 제조 설비를 건설하여 운영했고 반도체 기업의 칩을 제조하는 공정 기술을 개발했다.

26. The present invention relates to an external cavity tunable laser module by the thermo-optic effect of a semiconductor optical waveguide.

본 발명은 반도체 광도파로의 열광학효과에 의한 외부공진형 파장가변 레이저 모듈에 관한 것으로, 상세하게 본 발명에 따른 파장가변 레이저 모듈은 광대역 광을 발생하는 광원; 일 단이 상기 광원과 광결합된 반도체 광도파로; 상기 광도파로 상에 형성된 브래그 격자(Bragg grating); 상기 브래그 격자 상부에 구비되며 열광학 효과에 의해 상기 브래그 격자의 반사 대역을 조절하는 박막 히터; 상기 광도파로 상부에 구비된 제1 온도센서; 상기 광도파로 하부에 구비된 열전냉각기(TEC; Thermo-Electric Cooler); 상기 광도파로와 상기 열전냉각기 사이에 구비된 단열층; 및 상기 광도파로의 다른 일 단과 광결합된 광섬유;를 포함하여 구성된 특징이 있다.

27. However, as semiconductor device fabrication is significantly more expensive than printed circuit board manufacture, this adds cost to the final product.

그러나 반도체 장치 제조는 인쇄 회로 기판 제조에 비해 상당히 더 비싼 편이므로 최종 제품에 가격이 증가된다.

28. Advanced Micro Devices was formally incorporated on May 1, 1969, by Jerry Sanders, along with seven of his colleagues from Fairchild Semiconductor.

어드밴스트 마이크로 디바이시스는 1969년 5월 1일에 페어차일드 반도체의 동료들 중 7명과 함께 제리 샌더스가 설립하였다.

29. Whereby, a contactor for testing a semiconductor device with improved durability, wear resistance, and abrasion resistance, and a prolonged lifespan, can be obtained.

이에 의해, 내구성, 내마모성, 내마찰성, 사용수명 등의 면에서 향상된 반도체 소자 테스트용 콘택터를 얻을 수 있으며, 특히 하판의 재질을 경성 CCL로 한정함으로써 이를 통해 전체 콘택터를 지지하는 보강판의 기능을 겸하도록 할 수 있다.

30. Also, the present invention comprises a simple relay switching circuit, while excluding semiconductor switching devices, so as to operate adaptively in different system environments without additional modification.

또한, 본 발명은 간단한 릴레이 스위칭 회로로 구성되고 반도체 스위칭 소자들을 배제함으로써, 상이한 계통 환경에 대해서도 적응적으로 동작가능하고 별도의 변경을 요하지 않는다.

31. The present invention relates to a method for manufacturing an oxide semiconductor thin film transistor, and to an active operating display device and an active operating sensor device using same.

본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

32. The present invention relates to a plasma reactor for removing air pollutant, noxious gas discharged from a variety of industries including the semiconductor industry, and to a scrubber using the same.

본 발명은 반도체 산업을 포함한 각종 산업으로부터 배출되는 대기오염 유해가스를 제거하기 위한 플라즈마 반응기와 이를 이용한 스크러버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유해가스가 배출되는 배출구와 통상의 습식 스크러버 사이에 설치되는 글라이딩 플라즈마 반응기와 초고주파 플라즈마 반웅기, 상기 플라즈마 반응기들로부터 발생된 플라즈마 화염으로 상기 유해가스를 통과시켜 유해가스를 제거하는 플라즈마 가스 스크러버를 제공하게 된다.

33. In addition, a polymer comprising a repeating unit derived from the compound and a composition for forming a protective film achieve a fine and accurate pattern in the fabrication of semiconductor devices.

또한, 상기 화합물로부터 유도된 반복단위를 포함하는 고분자 및 보호막 형성용 조성물은 반도체 소자의 제조시 미세하고 정확한 패턴 구현이 가능하다.

34. Thus, when DC/AC converted voltage is selectively applied to a plurality of loads, the number of semiconductor devices can be minimized to decrease costs, as well as to prevent load currents from decreasing.

이로써, 복수의 부하에 선택적으로 DC/AC 변환된 전압을 공급할 필요가 있는 경우에 반도체 소자의 수를 최소로 하여 비용을 줄이면서도, 부하전류의 감소를 방지할 수 있게 된다.

35. Disclosed is a side emitting type nitride semiconductor light-emitting device capable of omitting a lead frame mold cup and a lens and expanding the beam angle by emitting light in a side emitting manner.

측면 발광 방식으로 광을 발산함으로써 지향각을 확대시킬 수 있을 뿐만 아니라, 리드 프레임 몰드 컵 및 렌즈를 생략할 수 있는 측면 발광형 질화물 반도체 발광 소자에 대하여 개시한다.

36. In addition, a flexible substrate is transferred by a roll-to-roll transfer system to grow graphene thereon, and graphene-based semiconductor devices may be mass-produced just by varying the composition of reaction gas without deforming graphene.

또한 롤투롤 방식으로 플렉서블 기판을 이송시켜, 그래핀을 성장시키고, 또한 반응가스만을 달리 구성하여, 그래핀의 변형없이도 그래핀 반도체 소자를 대량으로 제조할 수 있다.

37. The semiconductor light-emitting device comprises: a sapphire substrate; and a nitride structure consisting of a plurality of nitride epitaxial layers which are stacked on the upper surface of the sapphire substrate and which comprise an active layer for generating light.

측면 방향의 광추출 효율이 우수하고 기판 절단이 용이한 반도체 발광 소자와,반도체 발광 소자의 제조 방법, 반도체 발광 소자를 포함하는 반도체 발광소자 패키지 및 레이저 가공 장치가 개시된다.

38. Consequently, when the present invention is employed, it can prevent die-pushing defects during high-temperature wire bonding or moulding processing, and it allows the production of outstandingly reliable semiconductor devices due to the superior adhesiveness and workability of the adhesive.

본 발명에 따른 에폭시계 조성물은 접착제로 제조 시에 유리전이온도를 낮게 설정하는 경우에도 탁월한 탄성 특성을 보여, 우수한 고온 접착성을 나타내면서, 공정 시에 버의 발생도 최소화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따르면, 고온의 와이이 본딩 또는 몰딩 공정 시에 다이 밀림 불량을 방지할 수 있고, 접착제가 가지는 탁월한 부착성 및 작업성으로 인해, 우수한 신뢰성을 가지는 반도체 장치를 제조할 수 있다.

39. In addition, the method for manufacturing the semiconductor device test contactor according to the present invention includes the steps of: molding the main body using mixed thermally conductive material of silicon and alumina; forming the through-holes in the vertical direction of the main body; and filling the through-holes with the conductive powder.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트용 콘텍터 제조방법은 실리콘과 알루미나가 혼합된 열전도성 소재를 이용하여 본체를 성형하는 단계; 상기 본체에 상하 방향으로 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 관통홀에 도전성 파우더를 충진하는 단계;를 포함한다.

40. The FET ion sensor of the present invention includes a channel formed of a semiconductor and a gate insulating layer disposed on the top of the channel, wherein ion molecules are adsorbed to the surface of the channel, thereby allowing the gate insulating layer to be electrically charged such that the electric conductivity of the channel is changed.

반도체로 구성된 채널 및 상기 채널의 상부에 배치되는 게이트 절연체층을 포함하는 본 발명의 FET 이온센서는, 이온분자가 상기 채널의 표면에 흡착되는 것에 의해 상기 게이트 절연체층이 대전되어, 상기 채널의 전기전도도가 변경된다.

41. The present invention relates to a wavelength conversion system and provides a wavelength conversion laser system furnished with a semiconductor optical amplifier, an optical condenser that condenses the light emitted from the optical amplifier, a diffraction lattice plate that guides each wavelength component passing through the optical condenser into a different direction, and an optical VLSI processor.

본 발명은 파장변환 레이저 시스템에 관한 것으로, 반도체 광증폭기와, 광증폭기로 부터 방출된 광을 집광하는 광집광기와, 광 집광기를 거친 광의 각 파장성분을 다른 방향으로 유도하는 회절 격자판과, 광-VLSI 프로세서를 구비하는 파장변환 레이저 시스템을 제공한다.

42. The present invention relates to a method for manufacturing highly efficient multi-junction solar cells, and aims to address the technical subject matter of a method for manufacturing highly efficient multi-junction solar cells using II-VI compound semiconductors which is characterized by including a process consisting of growing a II-VI compound semiconductor thin film comprising no In on a GaSn substrate.

본 발명은 고효율 다중접합 태양전지를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로서, GaSb 기판 상에 In을 포함하지 않는 II-VI족 화합물 반도체 박막을 성장시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체를 이용한 다중접합 고효율 태양전지의 제조방법을 기술적 요지로 한다.

43. According to the embodiment of the inverter system using a zero voltage drop multi AC input-single DC output converter, the one inverter system is capable of precisely controlling the lamp currents irrespective of a voltage drop between the input and output voltages or mass production of semiconductor devices or the change of a voltage drop caused by a temperature change.

본 발명의 실시예는 복수 개의 램프; 복수 개의 램프의 램프 전류 및 램프 구동 전압 중 하나 이상을 감지하여 램프 전류 및 램프 구동 전압 중 하나 이상에 대한 복수 개의 교류 신호를 출력하는 감지기; 복수 개의 교류 신호가 입력되면 하나의 직류 신호인 단일 직류 신호로 변환하며, 변환된 단일 직류 신호를 이용하여 램프 전류 및 램프 구동 전압 중 하나 이상을 제어하기 위한 인버터 제어 신호를 출력하는 인버터 제어기; 및 인버터 제어 신호에 기초하여 복수 개의 램프로 전원을 공급하는 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터 시스템을 제공한다. 본 발명의 영전압 강하 다중 교류 입력-단일 직류 출력 변환기를 이용한 인버터 시스템의 실시예에 의하면, 하나의 인버터 시스템에서 입출력 전압 간의 전압 강하나 반도체 소자의 양산 산포 또는 온도 변화에 따른 전압 강하의 변화에 무관하게 램프 전류를 정밀하게 제어할 수 있다.

44. According to one embodiment of the present invention, when a power supply device having first and second amplification units which share an energy storage element is used, it is possible to reduce voltage stress of a semiconductor device and to consistently maintain output voltage outputted to the first and second amplification units while individually adjusting the amplification rates of the first and second amplification units.

본 발명의 실시예에 따르면 에너지 저장 소자를 공유하는 제1 및 제2 증폭부를 구비한 전원 장치를 이용하여 반도체 소자의 전압 스트레스를 저감할 수 있고, 상기 제1 및 제2 증폭부의 증폭 비율을 개별적으로 조절하면서 상기 제1 및 제2 증폭부에 출력되는 출력 전압을 일정하게 유지할 수 있다.

45. According to one embodiment of the present invention, when a power supply device comprising first and second amplification units which share an energy storage element is used, it is possible to reduce voltage stress of a semiconductor device and to consistently maintain voltages outputted to the first and second amplification units by individually adjusting the amplification rates of the first and second amplification units.

본 발명의 실시예에 따르면 에너지 저장 소자를 공유하는 제1 및 제2 증폭부를 구비한 전원 장치를 이용하여 반도체 소자의 전압 스트레스를 저감할 수 있고, 상기 제1 및 제2 증폭부의 증폭 비율을 개별적으로 조절하면서 상기 제1 및 제2 증폭부에 출력되는 출력 전압을 일정하게 유지할 수 있다.