1. Cyanuric acid derivative, resist underlayer composition comprising the cyanuric acid derivative, and pattern forming method using the resist underlayer composition

시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법

2. The present invention relates to: a cyanuric acid derivative expressed by chemical formula 1; a resist underlayer composition comprising the cyanuric acid derivative; and a pattern forming method using the composition.

화학식 1로 표현되는 시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.