1. A solar cell according to one embodiment comprises: a support substrate; a barrier layer formed on the support substrate; and a photoelectric conversion unit arranged on the barrier layer, wherein the barrier layer includes a first barrier layer and a second barrier layer which have different porosities.

실시예에 따른 태양 전지는 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치되는 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 배치되는 광전 변환부를 포함하며, 상기 배리어층은 서로 다른 기공도를 가지는 제 1 배리어층 및 제 2 배리어층을 포함한다.

2. Flexible electronic device having multi-functional barrier layer

멀티-기능 배리어층을 갖는 플렉서블 전자 디바이스

3. Encapsulating composition, barrier layer including same, and encapsulated apparatus including same

봉지용 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치

4. Photocurable composition, barrier layer comprising same, and encapsulated apparatus comprising same

광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치

5. Photocurable composition, barrier layer including same, and encapsulated device including same

광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치

6. Photocurable composition and encapsulated device comprising barrier layer formed of said composition

광경화 조성물 및 상기 조성물로 형성된 장벽층을 포함하는 봉지화된 장치

7. The radiant heat barrier layer absorbs radiant heat emitted by a polysilicon rod heated in a CVD process, and re-radiates the absorbed heat (which heats the radiant heat barrier layer to a temperature of 400 ̊C or higher) toward the polysilicon rod and both sides of the cooling walls, in order to shield the cooling walls from heat.

그 복사열 차단막은 CVD 공정 중에 가열된 폴리실리콘 로드에서 발상되는 복사열을 흡수하여 온도가 400°C 이상으로 가열됨에 따라 그 흡수한 열을 그 폴리실리콘 로드와 냉각 기벽 양쪽으로 재 방사함으로써 냉각 기벽에 대해 열 차단효과를 제공한다.

8. The active layer contains indium gallium nitride (InGaN), and the barrier layer is formed by alternately stacking an aluminum gallium nitride (AlGaN) thin film and an indium gallium nitride (InGaN) thin film.

본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

9. The present invention relates to an encapsulating composition, a barrier layer including the same, and an encapsulated apparatus including the same, and the composition comprises (A) a photocurable monomer and (B) a photocurable monomer containing a carboxylic acid group, wherein (B) the photocurable monomer containing the carboxylic acid group has an amide bond.

본 발명은 (A) 광경화성 모노머, (B) 카르복시산기 포함 광경화성 모노머를 포함하고, 상기 (B) 카르복시산기 포함 광경화성 모노머는 아마이드 결합을 갖는 봉지용 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치에 관한 것이다.