1. Vertical Junction Field Effect Transistor

transistor à effet de champ à jonction verticale

2. Three terminal noninverting transistor switch

Commutateur a transistor non inverseur a trois bornes

3. A Darlington-type amplifier (10) having an input field effect transistor and an output bipolar transistor (T¿2?)

Un amplificateur (10) de type darlington ayant un transistor d'entrée à effet de champ et un transistor bipolaire de sortie (T¿2?)

4. The storage transistor and the access transistor are serially coupled between a bit line and a source line.

Le transistor de stockage et le transistor d'accès sont couplés en série entre une ligne de bits et une ligne de source.

5. Two transistor ternary random access memory

Mémoire d'accès aléatoire ternaire à deux transistors

6. Memory including bipolar junction transistor select devices

Mémoire comprenant des dispositifs de sélection de transistor à jonction bipolaire

7. 1959 The transistor-based computers comes into use.

1959 Les ordinateurs transistorisés entrent en usage.

8. A matrix-addressable array of integrated transistor/memory structures

Reseau a adressage matriciel de structures de transistor/memoire integrees

9. High voltage esd protection featuring pnp bipolar junction transistor

Protection esb haute tension caractérisant un transistor à jonction bipolaire pnp

10. The drive includes a resistor and an output transistor.

Le circuit d'attaque comporte une résistance et un transistor de sortie.

11. • The transistor - which sets the stage for modern computing

• Le transistor qui prépare le terrain pour l'informatique moderne

12. Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Structure de transistor a effet de champ aux jonctions source/drain abruptes

13. The devices that computers use are what's called a transistor.

Les éléments de base utilisés par les ordinateurs sont appelés les transistors.

14. TFT-LCD (Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) computer monitors

Moniteurs informatiques TFT-LCD (écrans à matrice active - écrans à cristaux liquides)

15. Transistor-based computers had several distinct advantages over their predecessors.

Les ordinateurs à transistors avaient plusieurs avantages certains par rapport à leurs prédécesseurs.

16. In addition, the memory transistor has a gate-controlled memory effect.

De plus, le transistor de mémoire possède un effet de mémoire à commande par la grille.

17. Improved transistor design for use in advanced nanometer flash memory devices

Conception de transistors améliorée destinée à être utilisée dans les dispositifs à mémoire flash nanométriques perfectionnés

18. Voltage-source thin film transistor driver for electroluminescent active matrix displays

Circuit d'attaque a transistors a couches minces et a source de tension pour afficheurs electroluminescents a matrice active

19. A junction field effect transistor comprises a silicon-on-insulator architecture.

L'invention porte sur un transistor à effet de champ à jonctions qui comprend une architecture silicium sur isolant (SOI).

20. plus the absolute value of a transistor threshold voltage V¿t?.

plus la valeur absolue d'une tension seuil de transistor V¿t?.

21. Back-illuminated photo-transistor arrays for computed tomography and other imaging applications.

Arrangements de phototransistors rétro-éclairés permettant une tomodensitométrie et d'autres applications d'imagerie.

22. Bipolar junction transistor with spacer layer and method of manufacturing the same

Transistor bipolaire à jonctions avec couche intercalaire et procédé pour sa fabrication

23. Silicon carbide bipolar junction transistor comprising shielding regions and method of manufacturing the same

Transistor à jonction bipolaire au carbure de silicium comprenant des zones de blindage et son procédé de fabrication

24. And if you're thinking of the brain as a computer, this is the transistor.

Et si vous pensez au cerveau comme à un ordinateur, c'est le transistor.

25. Bipolar transistor with an improved base emitter junction and method for the production thereof

Transistor bipolaire a jonction base-emetteur amelioree et procede de production

26. A p-type field effect transistor (PFET) and an n-type field effect transistor (NFET) are formed by patterning of a gate dielectric layer, a thin silicon layer, and a silicon-germanium alloy layer.

Selon l'invention, un transistor à effet de champ du type p (PFET) et un transistor à effet de champ du type n (NFET) sont formés par formation de motifs sur une couche diélectrique de grille, une couche mince de silicium et une couche d'alliage silicium-germanium.

27. Logical circuit where path transistor circuit and cmos circuit are combined, and its combination method

Circuit logique combinant un circuit a transistors a canaux et un circuit cmos, et procede mettant en oeuvre cette combinaison

28. Circuit arrangement, and junction field effect transistor suitable for use in such a circuit arrangement

Agencement de circuit et transistor a effet de champ de jonction utilisable dans ledit agencement

29. Moore's Law has held true with transistor numbers and computing power increasing while prices decrease.

La loi de Moore a tenu la route un bon moment, le nombre de transistors et la puissance de calcul augmentant alors que les prix diminuaient.

30. Recorded computer programs, all the aforesaid goods other than in connection with diode-transistor logics

Programmes informatiques stockés, tous les produits précités sans rapport avec la logique de diode-transistor

31. According to the guidelines a transistor radio should be part of any air raid shelter's equipment.

Selon les directives, un poste de radio fait partie du nécessaire dans un abri de protection.

32. In the 1960s, when transistor-based computer systems were introduced and computers became more popular,

Dans les années 1960, lorsque les systèmes informatiques à transistors ont été créés et que les ordinateurs ont commencé à se répandre

33. An OFET includes a thick dielectric layer with openings in the active region of a transistor.

L'invention concerne un transistor à effet de champ organique (OFET) comprenant une couche diélectrique épaisse dotée d'ouvertures ménagées dans la région active d'un transistor.

34. According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor.

Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonctions verticales SiC normalement bloqué.

35. Al ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY DEVICE

PELLICULE D’ALLIAGE D’Al POUR DISPOSITIF D’AFFICHAGE, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE, LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

36. Transistor structures having channel regions comprising alternating layers of compressively and tensilely strained epitaxial materials are provided.

La présente invention concerne des structures de transistors possédant des régions de canal comprenant des couches alternées de matériaux épitaxiaux contraints par compression et tension.

37. A gate structure for a vertical transistor is formed adjacent to a sidewall of the trench.

Une structure de grille pour transistor vertical est adjacente à une paroi latérale de la tranchée.

38. The deep recessed P+ junction may be deeper than a termination structure in the transistor device.

La jonction P+ profondément en retrait peut être plus profonde qu'une structure de terminaison dans le dispositif transistor.

39. Semiconductor thin film, method for producing same, thin film transistor and active-matrix-driven display panel

Couche mince de semi-conducteur, procede de production de celle-ci, transistor a couches minces et panneau d'affichage commande par une matrice active

40. Further diamond layers are deposited on the growth surface to define the active regions of the transistor.

D'autres couches de diamant peuvent être déposées sur la surface de croissance pour définir les régions actives du transistor.

41. Only when the bit line voltage is high will the additional voltage sink transistor (72) be used.

Le transistor supplémentaire à puits de courant (72) ne sert que lorsque la tension de la ligne de bits est élevée.

42. Cascode-type dimming switch using a bipolar junction transistor for driving a string of light emitting diodes

Variateur d'intensité de type cascode utilisant un transistor à jonctions bipolaires pour entraîner une guirlande de diodes électroluminescentes

43. Also disclosed is a display device comprising a thin-film transistor that comprises the Cu alloy film.

L'invention concerne également un dispositif d'affichage qui comprend un transistor en film mince qui contient le film d'alliage de Cu.

44. The HBT transistor absorbs energy from the electrostatic discharge and clamps the over- voltage across the terminals.

Le transistor HBT absorbe l'énergie à partir de la décharge électrostatique, et immobilise la surtension à travers les bornes.

45. A laser diode supply circuit comprises a laser diode (LD1) connected in series with a junction transistor (TR1).

Un circuit d'alimentation pour une diode laser comprend une diode laser (LD1) raccordée en série avec un transistor à jonction (TR1).

46. A manufacturing method of tunneling field effect transistor (TFET) based on flat face processing self-aligned is provided.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à tunnel (TFET) par traitement sur face plane avec auto-alignement.

47. A bit line (718) is connected to the current path of each access transistor in the first column.

Une ligne de bit (718) est connectée au chemin de courant de chaque transistor d'accès dans la première colonne.

48. A first driver amplifier drives the push transistor of the push-pull amplifier with a first RF signal.

Un premier amplificateur de commande commande le transistor push de l'amplificateur symétrique au moyen d'un premier signal RF.

49. In a preferred embodiment of the display device, the thin-film transistor has a bottom gate-type structure, and a gate electrode and scanning lines in the thin-film transistor comprise the Cu alloy film and are in direct contact with the glass substrate.

Dans un mode de réalisation préféré du dispositif d'affichage, le transistor en film mince présente une structure de base de type grille et une électrode de grille et les lignes de balayage du transistor en film mince comprenent le film d'alliage de Cu et sont en contact direct avec le substrat de verre.

50. As an alternative to the cited bipolar transistors, the inventive transistor circuit also comprises correspondingly interconnected field-effect transistors.

A la place des transistors bipolaires mentionnés, le circuit à transistors selon l'invention peut présenter en outre des transistors à effet de champ connectés de manière appropriée.

51. The processor elements are implemented as CMOS/neuron MOS threshold value logic elements or CMOS/NMOS pass transistor logic elements.

Les éléments processeurs sont réalisés sous la forme d'éléments de logique de valeur de seuil CMOS/neurone-MOS ou d'élément de logique transistor de passage CMOS/à canal MOS-N.

52. The TRADIC (for TRAnsistor DIgital Computer or TRansistorized Airborne DIgital Computer) was the first transistorized computer in the USA, completed in 1954.

En 1955 le TRADIC (de l'anglais TRAnsistor DIgital Computer or TRansistorized Airborne DIgital Computer) a été le premier ordinateur à transistors généraliste des États-Unis.

53. When the voltage of the received power supply is less than the threshold, the transistor Q1 is switched off and the relay SW1 is activated.

Lorsque la tension du courant d'alimentation reçu est inférieure au seuil, le transistor Q1 est mis hors tension et le relais SW1 est activé.

54. An access transistor (54) is coupled between each storage node (SN, SNB) and a write bit line (WBL0) and controlled by a write word line (WWL0).

Un transistor d'accès (54) est couplé entre chaque noeud de stockage (SN, SNB) et une ligne bit d'écriture (WBL0) et commandé par une ligne mot d'écriture (WWL0).

55. The trigger unit (TU) triggers the clamp transistor (CTN, CTP) via the second line (ESD trigger) if an electrostatic discharge is detected on the first line (OVSS).

L'unité de déclenchement (TU) déclenche le transistor de blocage (CTN, CTP) par l'intermédiaire de la deuxième ligne (ESD trigger) en cas de détection d'une décharge électrostatique sur la première ligne (OVSS).

56. A method of forming cobalt-disilicide contacts on source/drain regions and a polysilicon gate electrode of an MOS transistor using a cobalt-carbon alloy thin film.

L'invention concerne un procédé de réalisation de contacts à base de cobalt-disiliciure sur des zones source/drain et une électrode de grille en polysilicium d'un transistor MOS utilisant un film mince d'alliage cobalt-carbone.

57. A triac driven by a flip-flop via a driver transistor is used to control the high frequency AC power that is used to drive the lamps.

Les lampes sont alimentées par un courant alternatif à haute fréquence, qui est commandé par un triac, commandé lui-même par une bascule via un transistor d'attaque.

58. Preferably, each of the active shunts is an active switching device, such as a power MOSFET, a bipolar transistor, or a micro-relay, that has a low on-resistance.

De préférence, chaque dérivation active est un dispositif de commutation actif, tel qu'un MOSFET de puissance, un transistor bipolaire ou un micro-relais, présentant une résistance à l'état passant faible.

59. The thin film transistor array substrate comprises: an active pixel region and a wiring region, wherein a conductive electrode is formed in the wiring region, the conductive electrode is grounded.

Le substrat de réseau de transistors en couche mince comprend : une région active de pixel et une région de câblage, une électrode conductrice étant formée dans la région de câblage, l'électrode conductrice étant reliée à la masse.

60. The invention relates to a process of forming a compact bipolar junction transistor (BJT) that includes forming a self-aligned collector tap adjacent the emitter stack and an isolated structure.

L'invention concerne un procédé de formation d'un transistor bipolaire à jonctions (BJT) compact. Ce procédé consiste à former une prise de collecteur auto-aligné adjacente à la pile émetteur, ainsi qu'une structure d'isolation.

61. The ballast (10) comprises an ac/dc converter that converts an a-c power signal to a d-c power signal that drives a transistor tuned-collector oscillator (30).

Le ballast (10) comprend un convertisseur courant alternatif/continu qui convertit un signal à courant alternatif en un signal à courant continu qui commande un oscillateur à transistors (30) à collecteur accordé.

62. III–V compound materials (such as GaAs, AlAs, InP, and their alloys) possess several unique properties that are ideally suited for the construction of novel light-emitting, detector, and transistor structures.

Les composés de type III–V (tels GaAs, AlAs, InP et leurs alliages) possèdent plusieurs propriétés uniques qui en font des matériaux idéaux pour la construction de nouvelles structures pour l'émission lumineuse, la détection et les transistors.

63. According to the invention, the gate (G) of the IGBT transistor (2) is connected via an active overvoltage limiting circuit (26) to its collector (C), whereby its breakdown voltage (U¿AÜ?)

Dans l'invention, la porte (G) du transistor (2) est reliée par l'intermédiaire d'un circuit actif de limitation des surtensions (26) à son collecteur (C), dont la tension disruptive (U¿AÜ?)

64. Using sophisticated numerical models, EU-funded scientists have been able to track the generation and propagation of defects in the microstructure of transistor semiconductor materials and alloys for nuclear reactors.

Des scientifiques financés par l'UE se sont appuyés sur des modèles numériques sophistiqués pour tracer la génération et la propagation de défauts dans la microstructure de matériaux et d'alliages semi-conducteurs de transistors pour les réacteurs nucléaires.

65. The dopant profile of a transistor may be obtained on the basis of an in situ doped strain inducing semiconductor alloy wherein a graded dopant concentration may be established along the height direction.

Selon la présente invention, le profil de dopant d'un transistor peut être obtenu sur la base d'un alliage semi-conducteur induisant une contrainte, dopé in situ, une concentration graduelle de dopant pouvant être établie dans le sens de la hauteur.

66. The thin film transistor includes an annealed layer stack including an oxide containing layer, a copper alloy layer deposited on the conductive oxide layer, a copper containing oxide layer, and a copper containing layer.

Le transistor à film mince comprend une pile de couches recuites contenant une couche comprenant un oxyde, une couche d'alliage de cuivre déposée sur la couche d'oxyde conducteur, une couche d'oxyde contenant du cuivre et une couche contenant du cuivre.

67. Optimal strain in the channel region of a PMOS transistor is provided by silicon alloy material in the junction regions of the device in a non-planar relationship with the surface of the substrate.

L'invention concerne la tension optimale obtenue dans la zone de canal d'un transistor PMOS grâce à un matériau en alliage de silicium dans les zones de jonction du dispositif, dans une relation non planaire par rapport à la surface du substrat.

68. The sensor was essentially a modified transistor whose surface voltage changed (inducing a change in measured current) in response to contact with samples of changing electrical composition (e.g. dipoles, polar liquids, ion flow, cellular activity).

Le capteur était essentiellement un transistor modifié dont la tension de surface changeait (induisant un changement dans le courant mesuré) quand elle entrait en contact avec des échantillons de composition électrique changeante (ex. : bi-pôles, liquides polaires, flux d'ions, activité cellulaire).

69. Because the thin film having a reflection function is formed from an amorphous alloy, the organic EL luminescence device is provided with a reflection function, a light shielding function against a transistor and an electrode function.

Puisque le film ayant une fonction réfléchissante est constitué d'un alliage amorphe, le dispositif électroluminescent organique a une fonction réfléchissante, une fonction écran contre un transistor et une fonction électrode.

70. In the wiring structure, the semiconductor layer of a thin film transistor, and the Al alloy film directly connected with the semiconductor layer are provided on a substrate in this order from the substrate side.

Dans la structure de câblage, la couche semi-conductrice d'un transistor à couche mince et le film d'alliage d'aluminium connecté directement à la couche semi-conductrice sont placés sur un substrat, dans cet ordre, à partir de la face du substrat.

71. An adjustment in the resolution of that signal is provided by using a transistor switch to selectively connect and disconnect a resolution resistance in parallel with one of the resistances comprising the voltage divider circuit.

Un réglage de la résolution de ce signal est effectué au moyen d'un commutateur à transistor qui connecte et déconnecte sélectivement une résistance de résolution en parallèle avec une des résistances faisant partie du circuit de diviseur de tension.

72. An aqueous metal etching composition useful for removal of metals such as nickel, cobalt, titanium, tungsten, and alloys thereof, after formation of metal silicides via rapid thermal annealing during complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistor fabrication.

L'invention porte sur une composition aqueuse de mordançage servant à éliminer des métaux tels que le nickel, le cobalt, le titane, le tungstène, et leurs alliages après la formation de siliciures métalliques sous l'effet d'un recuit rapide lors de la fabrication de transistors CMOS.

73. By incorporating a diffusion hindering species (256A) at the vicinity of PN junctions of P-channel transistors comprising a silicon/germanium alloy, (255) diffusion related non- uniformities of the PN junctions may be reduced, thereby contributing to enhanced device stability and increased overall transistor performance.

Selon l’invention, en incorporant des espèces chimiques anti-diffusion (256A) au voisinage de jonctions PN de transistors à canal P comportant un alliage silicium/germanium (255), il est possible de réduire les manques d'uniformité des jonctions PN, en contribuant ainsi à renforcer la stabilité du dispositif et à augmenter le rendement d'ensemble du transistor.

74. An embodiment of the invention reduces the external resistance of a transistor by utilizing a silicon germanium alloy for the source and drain regions and a nickel silicon germanium self-aligned silicide (i.e., salicide) layer to form the contact surface of the source and drain regions.

L'un des modes de réalisation de l'invention réduit la distance externe d'un transistor par l'utilisation d'un alliage de germanium silicium pour les zones de drainage et de source et une couche de siliciure auto-aligné de germanium silicium nickelé (par exemple du salicide) afin de former une surface de contact des zones de drainage et de source.

75. By combining the MOSFET and a tunnel bipolar transistor having a tunnel junction, a semiconductor element is configured that shows an abrupt change in the drain current with respect to a change in the gate voltage (an S-value of less than 60 mV/order) even at a low voltage.

Par combinaison du transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire à tunnel comportant une jonction tunnel, un élément à semi-conducteurs est configuré qui présente une variation brusque du courant de drain par rapport à une variation de la tension de grille (une valeur S inférieure à 60 mV/ordre) même à basse tension.

76. Disclosed is a method for manufacturing a TFT substrate that is provided with a thin film transistor having a CuMn alloy film, said method including a control step for controlling a contact resistance on a CuMn alloy film surface on the basis of a contact angle of the CuMn alloy film surface.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de transistor à couches minces (TFT) qui est pourvu d'un transistor à couches minces comportant un film d'alliage CuMn, ledit procédé comprenant une étape de commande consistant à commander une résistance de contact sur une surface de film d'alliage CuMn sur la base d'un angle de contact de la surface de film d'alliage CuMn.

77. The contact area Asens between the gate electrode and the detection electrode is larger than the contact area Agate between the gate electrode and the gate oxide, whereby the receptor can be immobilized on the surface of the detection electrode in a technically simple manner while the small contact area Agate between the gate electrode and the transistor provides for high sensitivity for detecting the analyte.

On a ainsi la garantie que le récepteur peut être immobilisé d'une façon techniquement simple sur la surface de l'électrode de détection, cependant qu'on obtient en même temps une haute sensibilité de détection pour les analytes, du fait de la faible surface de contact Agrille entre l'électrode de grille et le transistor.