1. OVC = Overvoltage coefficient (‘emission factor’) expressed as kg CF4 per tonne of aluminium produced per mV overvoltage;

OVC = coefficient de surtension («facteur d’émission») exprimé en kg de CF4 par tonne d’aluminium produite par mV de surtension;

2. Preferably, the threshold voltage of both the n-channel and p-channel devices has an absolute value of approximately 250 Mv.

De préférence, la tension de seuil des mécanismes aussi bien du canal N que du canal P a une valeur absolue d'environ 250 mV.

3. Accordingly, the revolution angle of a synchronous motor is converted to a mV signal by means of the interlocking potentiometer, resulting in an indicator quantity of consumed oxygen at the recorder

Par conséquent, l

4. MV power lines carry electricity in the range of 12.5-36 kV and the voltage is decreased by step-down transformers to provide LV power to houses and buildings.

Les lignes électriques MT transportent l'électricité sur la plage de tensions 12,5-36 kV et la tension est réduite par des transformateurs abaisseurs, à partir desquels l'électricité est transportée aux maisons et aux édifices sur des lignes électriques BT.

5. The colloidal silica abrasive particles have a permanent positive charge of at least 6 mV. 30 percent or more of the colloidal silica abrasive particles include three or more aggregated primary particles.

Les particules abrasives de silice colloïdale présentent une charge positive permanente d'au moins 6 mV.

6. We measured the activation times (ms) and maximum slopes of negative deflections in activation complexes (absolute value: |–dV/dtmax| in mV/ms) in 191 unipolar electrograms recorded from ischemically damaged subepicardial muscle during programmed stimulation inducing reentrant tachycardias.

Dans les réponses à la stimulation programmée induisant des tachycardies ventriculaires par réentrée, nous avons mesuré le temps d'activation (ms) et la pente maximale de la déflexion négative des complexes d'activation (valeur absolue: |–dV/dtmax|, mV/ms) de 191 électrogrammes unipolaires enregistrés dans la couche sous épicardique de tissu endommagé par l'ischémie.

7. By combining the MOSFET and a tunnel bipolar transistor having a tunnel junction, a semiconductor element is configured that shows an abrupt change in the drain current with respect to a change in the gate voltage (an S-value of less than 60 mV/order) even at a low voltage.

Par combinaison du transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire à tunnel comportant une jonction tunnel, un élément à semi-conducteurs est configuré qui présente une variation brusque du courant de drain par rapport à une variation de la tension de grille (une valeur S inférieure à 60 mV/ordre) même à basse tension.

8. The present invention relates to CBS domain containing genes of Pokkali (Oryza sativa L.) rice having relative expression ratio (fold change, that is, stress vs. control plant) above 2.5 folds and being capable of up-regulating expression of CBS domain containing gene when grown under 200 mM NaCl stress, and capable of substantially enhancing multiple abiotic stress tolerance of plants when overexpressed with CBS domain containing gene even under conditions of high concentration of NaCl, ZnCl2, and methyl viologen (MV) stress.

La présente invention concerne des gènes contenant le domaine CBS du riz Pokkali (Oryza sativa L.) ayant un niveau d'expression relatif (facteur d'expression, c.-à-d. stress contre plante cultivée) de deux fois et demi supérieur et pouvant induire une régulation positive de l'expression du gène contenant le domaine CBS lorsque le riz a poussé sous un stress de 200 mM de NaCl, et de renforcer sensiblement la tolérance des plantes à des stress abiotiques multiples lorsque celles-ci sont surexprimées par le gène contenant le domaine CBS dans des conditions de stress à haute concentration en NaCl, ZnCl2 et méthylviologène (MV).