1. Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Transistors à effet de champ à jonction au germanium et des alliages de silicium-germanium et procédé de fabrication et d'utilisation

2. Germanium tetrahydride (CAS RN 7782-65-2)

Tétrahydrure de germanium (CAS RN 7782-65-2)

3. Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

Heterostructures de semi-conducteur presentant un alliage de carbure de silicium cristallin et de germanium

4. The relaxed silicon germanium structure (54) further comprises a silicon germanium layer (54) has less than about 10. sub.7 threading dislocations per square centimeters.

Cette structure de silicium germanium relâchée contient aussi une couche de silicium germanium déposée sur toute la couche tampon de silicium.

5. Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Transistors a effet de champ, a heterojonction, avec alliages au silicium-germanium et silicium-carbone

6. Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

Dispositif semi-conducteur ayant une couche active de germanium avec une couche de barrière de diffusion sous-jacente

7. In some embodiments, the diode comprises germanium or a germanium alloy, which can be deposited and crystallized at relatively low temperatures, allowing use of aluminum or copper in the conductors.

Dans certains modes de réalisation, la diode comprend du germanium ou un alliage de germanium qui peut être déposé et cristallisé à des températures relativement basses, de façon à permettre l'utilisation d'aluminium ou de cuivre dans les conducteurs.

8. In preferred embodiments of the memory cell, a semiconductor junction diode formed of germanium or a germanium alloy which can be crystallized at relatively low temperature is formed disposed between conductors.

Dans les modes de réalisation préférés de la cellule de mémoire, une diode de jonction à semi-conducteur en germanium ou en alliage au germanium, pouvant être cristallisée à une température relativement basse, est formée disposée entre des conducteurs.

9. A first silicon-germanium alloy layer is formed on a semiconductor substrate including silicon.

L'invention concerne une première couche en alliage de silicium-germanium formée sur un substrat semi-conducteur comprenant du silicium.

10. A germanium active layer is disposed above the substrate, underneath the gate electrode stack.

Une couche active de germanium est disposée au-dessus du substrat, sous l'empilement d'électrode de grille.

11. In an advantageous embodiment, the substrate comprises single-crystal silicon including one or more insulated gate field effect transistors (IGFETs), and/or capacitors, and the photoresponsive element comprises germanium and/or germanium alloy epitaxially grown from seeds on the silicon.

Dans un mode de réalisation avantageux, le substrat comprend un silicium monocristallin comprenant un transistor à effet de champ à gâchette isolée (IGFET) ou plus, et/ou des condensateurs, et l'élément photosensible comprend du germanium et/ou un alliage de germanium obtenu par croissance épitaxique à partir de germes sur le silicium.

12. Palladium alloy containing gold, silver, gallium, germanium and/or lithium and dental restorations utilizing same

Alliage de palladium contenant de l'or, de l'argent, du gallium, du germanium et/ou du lithium et reconstitutions dentaires utilisant un tel alliage

13. A procedure is described for the spectrophotometric determination of germanium using phenylfluorone in a sulphuric acid medium.

Description d'une technique de dosage spectrophotométrique du germanium á l'aide de la phénylfluorone en milieu acide sulfurique.

14. Addition of germanium to the lipopolysaccharide sample resulted in more pronounced chemical shift changes toward lower field.

L'addition de germanium à l'échantillon de lipopolysaccharide s'est soldée par une modification chimique vers une polarité plus faible.

15. A method for annealing a diode formed of a silicon-germanium alloy that minimizes leakage current is disclosed.

L'invention concerne un procédé de recuit d'une diode composée d'un alliage silicium-germanium qui réduit au minimum le courant de fuite.

16. An embodiment of the invention reduces the external resistance of a transistor by utilizing a silicon germanium alloy for the source and drain regions and a nickel silicon germanium self-aligned silicide (i.e., salicide) layer to form the contact surface of the source and drain regions.

L'un des modes de réalisation de l'invention réduit la distance externe d'un transistor par l'utilisation d'un alliage de germanium silicium pour les zones de drainage et de source et une couche de siliciure auto-aligné de germanium silicium nickelé (par exemple du salicide) afin de former une surface de contact des zones de drainage et de source.

17. Fin field effect transistors can be formed on the at least one silicon-germanium alloy fin and the at least one silicon fin.

Des transistors à effet de champ à ailette peuvent être formés sur l'au moins ailette en alliage de silicium-germanium et l'au moins ailette de silicium.

18. For instance, p-channel transistors may have a silicon/germanium alloy with a hexagonal shape thereby significantly enhancing the overall strain transfer efficiency.

Par exemple, les transistors à canal P peuvent avoir un alliage de silicium/germanium doté d’une forme hexagonale, ce qui permet d’améliorer significativement l’efficacité de transfert de contrainte dans son ensemble.

19. A p-type field effect transistor (PFET) and an n-type field effect transistor (NFET) are formed by patterning of a gate dielectric layer, a thin silicon layer, and a silicon-germanium alloy layer.

Selon l'invention, un transistor à effet de champ du type p (PFET) et un transistor à effet de champ du type n (NFET) sont formés par formation de motifs sur une couche diélectrique de grille, une couche mince de silicium et une couche d'alliage silicium-germanium.

20. A theoretical study is made of the photoconductivity of hot photoelectrons interacting with acoustic phonons in n-type germanium at low temperature, T = 4 K, when the equipartition of the energy of phonons is not obeyed.

On étudie théoriquement la photoconductivité due à l'interaction de photoélectrons chauds avec des phonons acoustiques, dans le germanium de type n à basse température, T = 4 K, lorsqu'il n'y a pas équipartition de l'énergie des phonons.

21. The invention further includes a monolithic three dimensional memory array of a plurality of p-i-n diodes, the p-i-n diodes being formed of a silicon-germanium alloy that have been subjected to a two-stage heating process.

L'invention concerne également une matrice mémoire tridimensionnelle monolithique constituée d'une pluralité de diodes p-i-n; lesdites diodes p-i-n étant composées d'un alliage silicium-germanium ayant été soumis à un processus de chauffage en deux étapes.

22. By incorporating a diffusion hindering species (256A) at the vicinity of PN junctions of P-channel transistors comprising a silicon/germanium alloy, (255) diffusion related non- uniformities of the PN junctions may be reduced, thereby contributing to enhanced device stability and increased overall transistor performance.

Selon l’invention, en incorporant des espèces chimiques anti-diffusion (256A) au voisinage de jonctions PN de transistors à canal P comportant un alliage silicium/germanium (255), il est possible de réduire les manques d'uniformité des jonctions PN, en contribuant ainsi à renforcer la stabilité du dispositif et à augmenter le rendement d'ensemble du transistor.