1. Dipole (e,e) spectroscopy has been used to measure the absolute photoabsorption oscillator strengths (cross sections) for the valence shells of CH3NH2, (CH3)2NH, and (CH3)3N from the photoabsorption threshold to 250 eV at low resolution (∼1 eV fwhm) and to 31 eV at high resolution (0.048 eV fwhm).

On fait appel à la spectroscopic dipolaire (e,e) pour mesurer la photoabsorption absolue, les intensités de l'oscillateur (section droite) des électrons de valence du CH3NH2, (CH3)2NH et du (CH3)3N à partir du seuil de photoabsorption de 250 eV à basse résolution (environ 1 eV fwhm) et à 31 eV à haute résolution (0,048 eV fwhm).

2. Schedule variance (SV) = Earned value (EV) – Planned value (PV)

Écart de délai (ED) = Valeur acquise (VA) – Valeur prévue (VP)

3. By # votes to # with # abstentions, the General Assembly adopted draft resolution # ev # (resolution

Par # voix contre # avec # abstentions, l'Assemblée générale adopte le projet de résolution # ev # (résolution

4. known as irrigators associations), which are included in the # ev # code # (“Agricultural Service Activities”

Les unités prises en compte aux fins de l'enquête sont les opérateurs qui fournissent l'eau d'irrigation aux exploitations («Communautés d'irrigateurs»), énoncés dans le code # («Activités agricoles de service») de la # ev

5. The activation energy of conduction was 0.77 eV and the oxygen partial pressure coefficient was −0.16.

L'énergie d'activation de conduction est 0.77 eV et le coëfficient de pression partielle de l'oxygène −0.16.

6. When a large basis set such as Dunning's correlation-consistent polarized valence quadruple zeta set is used, the average absolute deviation from experiment for the CEBEs of the most stable conformer of glycine is only 0.2 eV, compared with 18 eV for Koopmans' theorem.

Quand on utilise un ensemble de base large, comme l'ensemble zêta quadruple, à valence polarisée et en accord avec la corrélation de Dunning, la déviation absolue moyenne des CEBE du conformère le plus stable de la glycine par rapport aux valeurs expérimentales n'est d'environ que de 0,2 eV par comparaison avec les 18 eV pour le théorème de Koopmans.

7. For secondary alkoxide ions, where more than one elimination reaction occurs, the energy dependence of fragmentation has been explored over the collision energy range 5 to 100 eV.

Dans le cas des alcoolates secondaires où il se produit plus d'une élimination, on a évalué la relation qui existe entre l'énergie de collision (de 5 à 100 eV) et le type de fragmentation.

8. A diesel engine (E) has a combustion chamber (C), a piston (T) movable in the chamber, air intake and exhaust valves (IV, EV), and a nozzle (N) injecting fuel into the combustion chamber.

L'invention concerne un moteur diesel (E), qui comprend une chambre de combustion (C), un piston (T) mobile dans la chambre, des soupapes d'admission et d'échappement (IV, EV), et une buse (N) pour injecter du carburant dans la chambre de combustion.

9. The collisionally activated dissociation reactions of the C2 to C5 alkoxide ions have been studied for collisons occurring at 8 keV kinetic energy and also over the range 5 to 100 eV kinetic energy.

On a étudiée les réactions de dissociation des ions alcoolates C2 à C5 activées par des collisions se produisant à une énergie cinétique de 8 keV ainsi qu'à des énergies cinétiques allant de 5 à 100 eV.

10. The recent absolute data of Jung et al. for the ionization of helium in a coplanar asymmetric geometry at an incident electron energy of 600 eV are analyzed by using a product of two Coulomb wave functions in the final state.

Les données absolues récentes de Jung et al. pour l'ionisation de l'hélium en géométrie asymétrique coplanaire sous l'impact d'électrons de 600 eV sont analysées en utilisant un produit de deux fonctions d'onde coulombiennes pour l'état final.

11. A calculating unit (R), which is connected to the compacting devices (W1, W2) and the calibrating device (EV) in such a way as to transmit messages, is used to correlate the obtained relative and absolute location-related compacting values.

Une unité de calcul (R) connectée de manière à communiquer avec les dispositifs de compactage (W1, W2) et le dispositif d'étalonnage (EV) établit une corrélation entre les valeurs de compactage relatives et absolues obtenues.

12. The invention relates to a system for co-ordinated soil cultivation, said system comprising a plurality of soil compacting devices (W1, W2) used to determine location-related relative compacting values (V(W1;TB1, xi, yi;i =1 ...n)), and a calibrating device (EV) used to determine location-related absolute compacting values.

Système permettant de traiter un sol de manière coordonnée, qui comporte une pluralité de dispositifs de compactage (W1, W2) pour le compactage de sols, lesdits dispositifs de compactage (W1, W2) étant conçus pour déterminer des valeurs de compactage (V(W1;TB1, xi, yi;i=1...n)) relatives liées au site, et un dispositif d'étalonnage (EV) pour la détermination de valeurs de compactage absolues liées au site.

13. The invention concerns a method for making an extreme ultraviolet microlithography transmission modulator, characterised in that it consists in obtaining adamantine amorphous carbon by a process using a plasma consisting of a mixture of acetylene and argon and maintained by the power of a microwave source; in depositing a thin adamantine amorphous carbon film on a substrate with low absorption in extreme ultraviolet whereto is applied a variable polarisation; in varying the forbidden band between 1 and 2 eV through control of the argon partial pressure and in varying the corresponding extinction coefficient so as to modulate the modulator transmission without modifying the thickness of the deposited film.

Procédé de fabrication d'un modulateur de transmission pour microlithographie en ultraviolet profond, caractérisé en ce qu'il consiste à obtenir du carbone amorphe adamantin par un procédé mettant en oeuvre un plasma composé d'un mélange d'acétylène et d'argon et entretenu par la puissance d'une source de micro-ondes, à déposer un film mince en carbone amorphe adamantin sur un substrat faiblement absorbant dans l'ultraviolet profond auquel est appliquée une polarisation variable, à faire varier la bande interdite entre 1 et 2 eV par le contrôle de la pression partielle d'argon et à faire ainsi varier le coefficient d'extinction correspondant afin de moduler la transmission du modulateur sans modifier l'épaisseur du film déposé.

14. The present invention provides compound tunneling field effect transistors integrated on a silicon substrate and methods for fabricating the same, the present invention enables to increase tunneling efficiency with an abrupt band slope by forming a source region with a material having a bandgap at least 0.4 electron volts (eV) narrower than that of silicon, to increase a driving current (ON current) by forming a channel region with a material having almost no difference in lattice constant from a source region and having a high electron mobility at least 5 times higher than that of silicon, and to increase simultaneously ON/OFF current ratio to a great amount by forming a drain region with a material having a bandgap wider than or equal to that of a channel region material to restrain OFF current to the utmost.

L'invention permet d'augmenter l'efficacité de tunnellisation avec une pente de bande abrupte, par formation d'une région source avec un matériau qui présente une bande interdite d'au moins 0,4 volt d'électron (eV) plus étroite que celle du silicium, afin d'augmenter un courant d'entraînement (courant ON) par la formation d'une région de canal avec un matériau ne présentant quasiment pas de différence de constante de treillis par rapport à une région source et ayant une mobilité d'électron élevée, au moins 5 fois supérieure à celle du silicium et d'augmenter simultanément le rapport de courant ON/OFF dans une quantité supérieure par la formation d'une région de drain avec un matériau présentant une bande interdite plus large ou égale à celle d'un matériau de région de canal pour limiter le courant OFF au maximum.