1. Values of oxygen activity coefficients in ternary gallium-indium-antimony alloys were predicted.

Die Werte der Sauerstoff-Aktivitätskoeffizienten in ternären Gallium-Indium-Antimon-Legierungen wurden berechnet.

2. First, we would have to translate the pixels into the zeros, ones and twos of ternary code.

Zuerst müssten wir die Pixel in Nullen, Einsen und Zweien des tertiären Codes übersetzen.

3. In addition, the relatively most stable ternary complex is formed withant which is the best π-acceptor.

Der relativ stabilste Komplex wurde mitant gebildet, daant der beste π-Acceptor ist.

4. Gallium nitride (GaN) and its ternary alloys of aluminium or indium are the most promising semiconductors for fabricating optoelectronic, high-frequency and high-power devices.

Galliumnitrid (GaN) und seine ternären Legierungen von Aluminium oder Indium stellen die vielversprechendsten Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dar.

5. Low temperature CV-measurements yield an approximation of the acoustic phonon dispersion relations. In addition, for ternary compounds the force constants and the zone centered phonon frequencies may be calculated.

Mit den beschriebenen Verfahren eröffnet sich daher auch für andere Strukturen die Möglichkeit, brauchbare gitterdynamische Größen für eine große von Materialien zu bestimmen, für die die inelastische Neutronenbeugung bzw.

6. The invention relates to the use of currentlessly deposited ternary nickel-containing metal alloys of the type NiM-R (whereby M = Mo, W, Re, Cr and R = B, P) in semiconductor technology.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Anwendung von stromlos abgeschiedenen ternären nickelhaltigen Metallegierungen des Typs NiM-R (mit M = Mo, W, Re, Cr und R = B, P) in der Halbleitertechnologie.

7. The invention particularly relates to the use of these deposited ternary nickel-containing metal alloys as barrier material or as selective encapsulation material for preventing the diffusion and electromigration of copper in semiconductor components.

Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf die Anwendung dieser abgeschiedenen ternären nickelhaltigen Metalllegierungen als Barrierenmaterial bzw. als selektives Einkapselungsmaterial zur Verhinderung der Diffusion und Elektromigration von Kupfer in Halbleiterbauelementen.

8. The four types of dental amalgams were the lathe-cut conventional lowcopper amalgam (Amalcap), the spherical conventional low-copper amalgam (Spheralloy), the ternary unicomposition high-copper amalgam (Sybralloy) and the admixed high-copper (Dispersalloy) amalgam.

Die Größenveränderungen der vier Amalgamgrundtypen (am Beispiel von Amalcap, Spheralloy, Sybralloy und Dispersalloy) wurden auf der Grundlage ihrer Teilchengröße und -form sowie auf der Grundlage ihrer Zusammensetzung erklärt.