1. An electrical resistivity of 2 × 10– 4 ohm cm or more.

spezifischer elektrischer Widerstand größer/gleich 2 × 10– 4 Ohm cm.

2. b. An electrical resistivity of 2 × 10-4 ohm cm or more.

b) spezifischer elektrischer Widerstand größer/gleich 2 × 10-4 Ohm cm.

3. The new volumetric scanning microwave microscope (VSMM) can measure permittivity, conductivity, resistivity with nano-scale resolution.

Das neue volumetrische Mikrowellenrastermikroskop (VSMM) kann Dielektrizitätszahl, Leitfähigkeit und Widerstand mit nanoskaliger Auflösung messen.

4. The behavior of the electrical resistivity can be explained using the formula for liquid alloys due toFaber andZiman.

Das Verhalten des elektrischen Widerstandes kann mit der vonFaber u.Ziman angegebenen Formel für den elektrischen Widerstand einer flüssigen Legierung interpretiert werden.

5. Seebeck coefficient, d.c. resistivity, activation energy, drift mobilityΜ and time constant measurements are presented for all samples.

An allen Proben wurden Messungen von Seebeck Koeffizient, Gleichstromwiderstand, Aktivierungsenergie, der Driftbeweglichkeit und von Zeitkonstanten durchgeführt.

6. The Hall coefficient and the electrical resistivity of liquid alloys has been measured with an ac current — ac magnetic field method.

Der Hall-Koeffizient und der elektrische Widerstand flüssiger Metallegierungen wurden mit einer empfindlichen Wechselfeld-Wechselstrom-Apparatur bestimmt.

7. For low temperature resistivity measurements of semiconductor wafers an ac-method has been developed that uses cylindrical electrodes of 2 mm diameter as capacitive contacts.

Zur Leitfähigkeitsmessung an plättchenförmigen Halbleiterproben bei tiefen Temperaturen wurde ein Wechselstromverfahren entwickelt, bei dem die Stromeinspeisung kapazitiv über zylindrische Koppelektroden (2 mm Ø) erfolgt.

8. The Hall-coefficient and the electrical resistivity of liquid transition metals and their alloys with mono- and polyvalent simple metals have been measured with a sensitiveac current-ac magnetic field method.

Der Hall-Koeffizient und der elektrische Widerstand flüssiger Übergangs- und Seltener Erdmetalle und ihrer Legierungen mit ein- und mehrwertigen normalen Metallen wurden mit einer empfindlichen Wechselfeld-Wechselstrom-Apparatur gemessen.

9. Testing of liquids, gases, objects and their surfaces and coatings using chemical and physical test methods, in particular using titrators, atomic absorption spectrometers, photometers, resistivity meters, pH meters, viscosity meters, layer thickness-measuring apparatus, microscopes, apparatus for measuring surface roughness and microhardness meters

Prüfung von Flüssigkeiten, Gasen, Gegenständen sowie deren Oberflächen und Beschichtungen mit chemischen und physikalischen Prüfmethoden, insbesondere mit Titratoren, Atomabsorptionsspektrometern, Photometern, Leitwertmessgeräten, pH-Messgeräten, Viskositätsmessgeräten, Schichtdickenmessgeräten, Mikroskopen, Rautiefenmessgeräten und Mikrohärtemessgeräten

10. Common test methods for insulating and sheathing materials of electric cables - Part 5: Methods specific to filling compounds - Section 1: Drop-point - Separation of oil - Lower temperature brittleness - Total acid number - Absence of corrosive components - Permittivity at 23 °C - D.c. resistivity at 23 °C and 100 °C

Allgemeine Prüfungen für Isolier- und Mantelwerkstoffe für Kabel und isolierte Leitungen - Teil 5: Besondere Prüfungen für Füllmassen - Hauptabschnitt 1: Topfpunkt Ölausscheidung - Kältesprödigkeit - Gesamtsäurezahl - Fehlen korrosiver Bestandteile - Dielektrizitätskonstante bei 23 °C - Spezifischer Widerstand bei 23 °C und 100 °C

11. An operational amplifier with a high input resistance and a high bandwidth particularly suitable for capacitive loads and which above all keeps its operating point within narrow limits independently of technological fluctuations uses bipolar cascodes (Q6, Q16, Q7, Q17) as output branches which are driven with high resistivity through PMOS cascode transistors (M6, M7) directly by the differential amplifier transistor pair (M4, M5).

Der BiCMOS-Verstärker verwendet bipolare Kaskoden (Q6, Q16, Q7, Q17) Ausgangszweige, die über PMOS-Kaskodentransistoren (M6, M7) direkt vom Differenzverstärkertransistorpaar (M4, M5) hochohmig angesteuert werden, wodurch eine Auskopplung eines Stromes bewirkt und die Einhaltung des Arbeitspunktes des Operationsverstärkers auch unter Berücksichtigung von Technologieschwankungen gewährleistet wird.