1. Crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor, or a metal alloy, component for a crucible base body of a crucible, and method for producing a component

Tiegel zum schmelzen und kristallisieren eines metalls, eines halbleiters oder einer metalllegierung, bauteil für einen tiegelgrundkörper eines tiegels und verfahren zum herstellen eines bauteils

2. The invention relates to a crucible for melting and crystallizing a metal, a semiconductor material, or a metal alloy, wherein a crucible wall of a crucible base body is made at least partially of a crucible material comprising silicon nitride and silicon dioxide at a weight ratio of between about 1:10 and about 1:1 (Si3N4 : SiO2).

Die Erfindung betrifft einen Tiegel zum Schmelzen und Kristallisieren eines Metalls, eines Halbleiterwerkstoffs oder einer Metalllegierung, bei dem eine Tiegelwandung eines Tiegelgrundkörpers zumindest teilweise aus einem Tiegelmaterial besteht, welches Siliziumnitrid und Siliziumdioxid im Gewichtsverhältnis zwischen etwa 1:10 und etwa 1:1 (Si3N4 : SiO2) enthält.