증착 in Vietnamese

hơi nước đọng lại
sự đọng

Sentence patterns related to "증착"

Below are sample sentences containing the word "증착" from the Korean Vietnamese Dictionary. We can refer to these sentence patterns for sentences in case of finding sample sentences with the word "증착", or refer to the context using the word "증착" in the Korean Vietnamese Dictionary.

1. 스캔형 반응기를 가지는 원자층 증착 장치 및 방법

2. 박막 증착 장치는 챔버와, 서셉터와, 소스가스 공급부, 및 서셉터 지지대를 포함한다. 챔버는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다.

3. 본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LCD 패널용 유리 등의 기판에 대하여 식각, 증착 등의 진공처리를 수행하는 진공처리장치에 관한 것이다.

4. 본 발명은, 적어도 두 가지 제1유기용매와 산화아연 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체와 산화제를 기판이 내치된 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 산화아연계 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 박막 증착방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 산화아연계 박막은 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막이고, 상기 산화아연계 증착 방법은, 적어도 두 가지 제2유기용매와 갈륨 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체를 상기 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 상기 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막을 증착한다.

5. 본 발명에서는 원자층 증착에 있어서, 상부 및 하부의 분리 및 결합이 가능한 원자층 증착 공정을 위한 단위 공정챔버를 적층형태로 다수개 배치하며, 각 단위 공정챔버별로 원료전구체가 흡착된 기판위를 이동하면서 반응전구체를 원료전구체와 반응시키는 스캔형 반응기를 구비하여 원료전구체와 반응전구체의 공존영역을 원천적으로 배제함으로써, 기판외 성막방지에 따른 추가적인 성막 제거공정 불필요, 메인터넌스 주기연장, 파티클 발생억제를 통한 박막품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다.

6. 본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 기재가 로딩되는 기재 로딩부, 기재 로딩부에 결합되어 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함한다. 이때, 박막 증착부는 복수의 플라즈마 모듈을 포함하고, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 배치되어 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하며, 기재 수송부가 기재 로딩부를 교번 이동하여 기재상에 박막이 증착된다.

7. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 화학 기상 증착 장치의 챔버 내부에 기판을 로딩하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 도전형올 가지는 도펀트를 주입하여 기판 상에 도핑된 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 반응 가스를 주입하여 기판 상에 실리콘을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 교번적으로 반복하여, 복수의 도핑된 비정질 실리콘층 및 복수의 절연층이 교번적으로 적층된 다층 구조를 형성하는 단계를 포함한다.

8. 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.