비정질 in Korean

비ː―정질(非晶質)[명사]<비결정질>의 준말.

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1. 상기 비정질 박판 적층체는 광폭 비정질 리본을 슬리팅 및 컷팅에 의해 형성된 비정질 박판을 적층함에 따라 성형 자동화와 이에 사용되는 성형장치의 내구성을 보장할 수 있다.

2. 본 발명은 전술한 종래의 비정질 합금의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 비정질 합금이 가지는 높은 강도, 경도 및 내식성 등을 유지하면서 기존의 비정질 합금이 가지고 있던 취약한 상온 인장 특성이 향상된 새로운 비정질 복합재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.

3. 다당류는 비정질 고체이거나 물에 불용성일 수 있다.

4. 비정질 금속 코어와, 이를 이용한 유도장치 및 그 제조방법

5. 본 발명의 복합시트는 열처리되고 플레이크 처리되어 다수의 미세 조각으로 분리된 비정질 리본시트, 상기 비정질 리본시트의 일측면에 접착된 보호필름 및 상기 비정질 리본시트의 타측면에 접착된 접착테이프를 구비하는 자성시트; 및 상기 자성시트에 적층된 전자파 차폐 및 방열용 전도체 시트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

6. 갈륨을 포함하는 P형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법

7. 본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다.

8. 또한, 본 발명에 의한 고온에서 자동 성형한 고투전율의 비정질 압분자심 코아는 성형 밀도가 높고 표면 크랙이 전혀 없으며, 입자간 절연이 양호하여 주파수 의존성이 적으며, 고주파수 대역에서도 실효투자율의 변화폭이 적기 때문에 수 KHz에서 수십 MHz 주파수 대역의 전기 및 전자 디바이스의 자성 재료로서 이용 가능한 경제적인 고온성형에 의한 고투자율 비정질 압분자심 코아가 제공될 수 있게 된다.

9. 본 발명은, (a) 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질의 제조 원료의 전구체에 이온의 흡장 및 방출이 가능한 금속 및/또는 비금속을 혼합한 후 정제하여 코팅용 혼합물을 준비하는 단계; (b) 상기 코팅용 혼합물을 결정성 카본계 물질과 혼합하여, 결정성 카본계 물질을 포함하는 코어에 코팅용 원료 혼합물이 도포된 코어-쉘 전구체를 제조하는 단계; (c) 상기 코어-쉘 전구체를 소성하여 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질의 제조 원료를 저결정성 카본 및 비정질 카본으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 탄화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 음극 활물질의 제조방법을 제공한다.

10. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 화학 기상 증착 장치의 챔버 내부에 기판을 로딩하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 도전형올 가지는 도펀트를 주입하여 기판 상에 도핑된 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 및 기판이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체 및 반응 가스를 주입하여 기판 상에 실리콘을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 교번적으로 반복하여, 복수의 도핑된 비정질 실리콘층 및 복수의 절연층이 교번적으로 적층된 다층 구조를 형성하는 단계를 포함한다.

11. 본 발명에 있어서, 고주파수 대역에서도 실효투자율의 변화폭이 적은 고온성형에 의한 고투자율 비정질 압분자심 코아의 제조 방법에 따르면, 분말 간의 절연제로서 인산코팅 및 폴리이미드계에 의한 2회 코팅을 실시하고, 고온에서 분말의 윤활이 가능한 이황화몰리브덴(MoS2) 혹은 흑연분말을 사용하여, 약 200~550°C의 온도에서 자동 압축성형을 통하여 고주파수 대역에서도 실효투자율의 변화폭이 적고, 실효투자율이 75 이상이면서, 50KHz 주파수와 유도자속밀도 1000Gauss의 조건하에서 철손이 300mW/cc 이하로 매우 낮은 비정질 압분자심 코아를 제조할 수 있게 된다.

12. 또한, 전자빔을 조사함과 동시에 이온빔을 함께 조사함으로써, 기판 표면에 축적되는 전자빔의 전하가 이온빔의 전하에 의해 중화되도록 하여, 전자빔의 전하들이 기판 표면에 축적되어 불필요한 표면 전류를 형성하는 것을 방지하고 효율적으로 비정질 실리콘 박막을 결정화시킬 수 있게 된다.

13. 또한, 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하기 위하여 상기 기판 스테이지에 대향되는 상기 챔버의 타측에 설치되는 전원인가용 전극을 포함한다.

14. 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판 스테이지에 대향되도록 상기 챔버의 타측에 설치되고 상기 기판 스테이지에 안착된 기판 측으로 이동되어 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하도록 된 전원인가용 전극을 포함한다.