메모리 in Korean

메모리(memory)[명사] 1.기억 장치. 2.기억 용량. 【예】메모리가 큰 컴퓨터.

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Below are sample sentences containing the word "메모리" from the Korean Dictionary. We can refer to these sentence patterns for sentences in case of finding sample sentences with the word "메모리", or refer to the context using the word "메모리" in the Korean Dictionary.

1. 외부 메모리 공간으로서 수백 메가바이트의 메모리 공간을 가진다.

2. 루나 메모리(L / 노란색) "환상의 기억"을 가진 가이아 메모리.

3. 메모리 카드 소켓 및 그 메모리 카드 소켓의 하트 캠

4. 그 갑옷의 메모리 곤란합니다. 메모리 곤란은 사람에게 바보 유지

5. 트리거 메모리(T / 청색) "저격수의 기억"을 가진 가이아 메모리.

6. 히트 메모리(H / 빨간색) "열의 기억"을 가진 가이아 메모리.

7. 가상 메모리 메모리 맵 입출력 직접 메모리 접근 “AMD I/O Virtualization Technology (IOMMU) Specification Revision 1.0” (PDF) (영어).

8. 터너리 내용 주소화 메모리

9. 무 커패시터 메모리 소자

10. C 동적 메모리 할당은 동적 메모리 할당을 위한 수동 메모리 관리를 수행하는 것을 말하며 C에 담긴 malloc, realloc, calloc 그리고 free 등의 함수를 말한다.

11. 프로세서 및 메모리 제어 방법

12. 가상 메모리 데이터 접근 제어방법

13. 유연 집적 회로 소자 패키지들을 구비하는 메모리 카드 시스템들 및 메모리 카드 시스템들의 제조 방법들

14. 내부 L1 메모리(internal L1 memory), 내부 L2 메모리(internal L2 memory), 외부 메모리(external memory) 및 모든 메모리-맵트(memory-mapped) 콘트롤 레지스터(control register)들은 이 32 비트 어드레스 공간(address space)에 위치한다.

15. 온도 특성을 검사하기 위한 메모리 소켓

16. 메모리 속도는 쿼드채널 DDR4-2400까지 지원한다.

17. 게다가 메인보드가 듀얼 채널이나 쿼드 채널의 메모리 하부 시스템을 가졌을 경우, 모든 메모리 채널은 동시에 업그레이드되어야 한다.

18. 메모리 컨트롤러 장치(memory controller unit)

19. 자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다.

20. 이것은 파일로부터 메모리 안의 리눅스 커널을 불러온다.

21. 내가 원하는 프로그램은 USB 메모리 스틱 내에

22. 박막 산화물의 메모리 응용은 한동안 적극적인 조사의 영역이었다.

23. 고속의 외부 메모리 인터페이스를 위한 적응적 디지털 PHY

24. 수직형 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법

25. 본 발명은 메모리 카드에서 CAS 서비스를 처리할 수 있도록 하는 메모리 카드 기반의 모바일 방송 수신 제한 시스템에 관한 것이다.

26. 정적 랜덤 액세스 메모리 및 그 구동 방법

27. 낸드 플래시 메모리 장치의 독출 전압 조정 방법

28. 모호한 및 의심 메모리. 요즘 홈즈의 초라한 모습했습니다.

29. 메모리 카드 기반의 모바일 방송 수신 제한 시스템

30. 메모리 레퍼런스가 해당 주소값 이하로는 발생될 수 없게 되는거죠.

31. 대부분의 FPGA는 프로그래밍 가능 논리 요소 (FPGA 식으로는 논리 블록이라고도 함)에 간단한 플립플롭이나 더 완벽한 메모리 블록으로 된 메모리 요소를 포함하고 있다.

32. 메모리 뱅크로의 접근을 제어하는 고체 상태 디스크를 위한 컨트롤러

33. 플래시 메모리 기반의 페이지 주소 사상 방법 및 시스템

34. 메모리 카드 리더는 일반적으로 USB 인터페이스를 갖추고 있으며 콤팩트플래시(CF), 시큐어 디지털(SD), 멀티미디어카드 (MMC)와 같은 메모리 카드에 들어있는 장치에 접근하는 데 쓰인다.

35. PaX는 또한 쉽게 예측 가능한 메모리 주소에 의존한 공격들의 가능성을 감소시키기 위해 중요한 메모리 주소를 난수화하는 주소 공간 배치 난수화 (ASLR)를 제공한다.

36. 이는 가속화 분류기의 연산 속도 및 메모리 사용량을 줄여준다.

37. 주변기기의 오동작에서 메모리를 지키기 위해 메모리 보호 기능도 제공한다.

38. 이 정보를 삭제하면 메모리 공간을 더 확보할 수 있습니다.

39. 고속의 외부 메모리 인터페이스를 위한 적응적 디지털 PHY가 개시된다.

40. % #이(가) 요구된 크기의 공유 메모리 세그먼트를 예약할 수 없었습니다

41. 수천 개의 프로세서와 테라바이트의 메모리, 즉 수조 바이트의 메모리로 이루어졌지요.

42. 불법적인 메모리 접근을 진단하는 악성 프로그램 탐지기 및 그 제어방법

43. C++의 포인터는 메모리 주소 값으로 직접 조작할 수 있다.

44. 멀티비트 플래시 메모리 소자는 실리콘 기판, 핀 채널, 제1절연층, 순차적으로 적층된 터널링 절연층, 전하트랩층 및 블로킹 절연층을 포함하는 복수의 유전층, 복수의 제2절연층 및 복수의 게이트를 포함하고, 플래시 메모리는 복수의 플래시 메모리 소자가 N×M의 매트릭스 형태로 배열되어 이루어지며 각각의 메모리 소자는 인접한 메모리 소자와 상기 핀 채널 및 상기 게이트를 공유하여 어레이를 이룬다.

45. 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

46. 멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법

47. 오류 정정 코드 메모리(Error-correcting code memory), 즉 ECC 메모리(ECC memory)는 가장 일반적인 종류의 내부 데이터 손상을 감지하고 수정하는 기억 장치의 일종이다.

48. 위치 독립 코드는 수정 없이 어느 메모리 주소에서도 실행될 수 있다.

49. 16비트 데이터 버스에는 8비트 버스에 비해 2배 많은 메모리 칩이 필요하다.

50. 블록 단위 매핑 기법을 이용한 플래시 메모리 관리 장치 및 방법