박막 in English
[bagmag]
noun - 박막
pellicle: 박막
Sentence patterns related to "박막"
1. 박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지
Method for preparing light absorbing layer of thin-film solar cell, and thin-film solar cell using same
2. 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
Thin film bulk acoustic resonator and method for manufacturing same
3. 유기 발광 소자는 복합형 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다.
The organic light-emitting element is electrically connected to the composite thin-film transistor.
4. 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치
Method and apparatus for manufacturing a thin-film transistor array substrate
5. 박막 트랜지스터(薄膜-, Thin Film Transistor, TFT, 문화어: 박막3극속자액정현시장치, 얇은막3극소자표시장치)는 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)의 한 종류로 박막(Thin Film)의 형태로 되어 있다.
6. 박막 산화물의 메모리 응용은 한동안 적극적인 조사의 영역이었다.
Memory applications of thin-film oxides had been an area of active investigation for some time.
7. 금으로 만드는 박막(薄膜)은 몇 가지 보기 드문 특성을 지니고 있습니다.
8. 수소를 이용한 산화아연계 P 형 반도체 박막 및 그 제조방법
Zinc oxide-based p-type semiconductor thin film using hydrogen, and method for manufacturing same
9. 벤즈이미다졸계 공중합체 및 이를 포함하는 유기 고분자 박막 태양 전지 소자
Benzimidazole-based copolymer, and an organic macromolecular thin-film solar cell device comprising the same
10. 5년은 지나야 컴퓨터의 박막(溥膜)에 사용될 것이고, 20년은 지나야 대량으로 응용될 것이다.”
11. 이에 의하여, 간소화된 형태의 공정이 제공될 수 있는 박막 태양전지 제조방법이 제공된다.
12. 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치
Method for manufacturing oxide semiconductor thin film transistor, and active operating display device and active operating sensor device using same
13. 본 발명에 의하면, 크로스링크의 우려가 없는 나노와이어를 반도체 채널층으로 성장시켜 높은 전자이동도를 갖는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 촉매 없이 저온, 대면적 공정에서 나노와이어를 포함하는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 대량으로 제조할 수 있다.
In addition, it is possible to achieve mass production of thin film transistors of diverse structures including nano-wires using a low temperature, large-area process, in the absence of a catalyst.
14. 본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 기재가 로딩되는 기재 로딩부, 기재 로딩부에 결합되어 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함한다. 이때, 박막 증착부는 복수의 플라즈마 모듈을 포함하고, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 배치되어 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하며, 기재 수송부가 기재 로딩부를 교번 이동하여 기재상에 박막이 증착된다.
15. 2011년 7월에는 도쿄공업대학과 과학기술진흥기구가 가지고 있던 IGZO 박막 반도체(산화물 반도체)의 특허를 삼성이 라이선스 취득했다.
16. 박막 증착 장치는 챔버와, 서셉터와, 소스가스 공급부, 및 서셉터 지지대를 포함한다. 챔버는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다.
17. 그러나 HDMI 포트가 달리지 않은 박막 텔레비전이 이미 보급되고 있기 때문에 가전제품 제조사로부터 반대 의견이 강하여, 2005년 12월에 실질적으로 아날로그 출력을 허가하기로 결정했다.
18. 본 발명은 질화갈륨의 결함 밀도를 현저하게 감소시킬 수 있는 박막 구조체 및 그 제조방법으로서, 사파이어를 포함하는 지지기판 및 상기 지지기판 상에 배치되며 질화갈륨을 포함하는 에피층을 포함하며, 상기 에피층에 대향되는 상기 지지기판의 상부는 규소가 상기 지지기판의 상부면을 통하여 확산되거나 이온주입된 층으로 이루어지는, 박막 구조체를 제공한다.
19. 인듐 주석 산화물 박막 변형 게이지는 1400 °C 이상의 온도에서 동작할 수 있고 가스 터빈, 제트 엔진, 로켓 엔진같은 나쁜 환경에서도 사용할 수 있다.
ITO thin film strain gauges can operate at temperatures up to 1400 °C and can be used in harsh environments, such as gas turbines, jet engines, and rocket engines.
20. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
In addition, since the composition is appropriately applied in a liquid process, manufacturing into the thin film is easy and a low temperature process is possible.
21. 본 발명인 자기유도형 비파괴 센서를 위한 CoNiFe 삼원계 합금박막의 조성물은 CoNiFe 삼원계 박막을 전기도금방법으로 제조하여 1.9T의 포화자속밀도와 0.5Oe의 보자력을 갖는 자기유도형 비파괴 박막 센서로 가능하고, 자성코어의 길이를 최소로 하면서도 높은 포화자속밀도와 작은 보자력을 갖는 자기유도형 비파괴 박막 센서로 가능하며, 단일 검출 코일 및 박막형 마이크로 자기유도 센서 모델링을 통하여 계산된 결과를 검증하기 위하여 신호의 검출이 용이한 자기코어가 있는 검출코일을 이용하여 금속결함을 검출할 수 있고, 기지금속인 Fe에 구조를 제어하기 위한 첨가원소를 소량 넣어 포화자속밀도를 가능한 한 높게 유지시킨 상태에서 결정자기이방성이 최소가 되도록 하면서도 투자율이 높고 보자력이 작은 자기유도형 비파괴 박막 센서로 가능하며, 고 자속밀도의 구현을 통해 여기코일에서 0.2mm 떨어진 극 미세 크랙의 검출이 가능하므로 분해능이 높아 피검체의 불량을 영상화시킬 수 있는 것이다.
22. 본 발명에 따르면, 불소계고분자 박막을 기재 상에 안정적으로 형성시킬 수 있고, 내구성의 향상과 발수 및 내오염 특성의 장기적인 유지가 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 기재 상에 불소계 고분자 박막 형성방법은 작업 공정성 및 기재 손상시 보수 용이성이 탁월하다.
In addition, the method for forming the fluorine-based polymer thin film on the base according to the present invention exhibits superior processability and enables easy repair and maintenance upon the occurrence of damage to the base.
23. 연성 회로 기판을 이용한 안테나는, 연성 및 절연성을 가지는 물질로 형성되는 제1 기판과, 제1 기판 상부에 내부식성, 내산화성 및 전도성을 가진 물질의 박막 패턴으로 형성되고, 외부와 연결되는 터미널부를 구비하는 회로층을 포함하며, 회로층은 알루미늄으로 형성됨으로써, 성능이 우수한 내장형 안테나를 제조할 수 있다.
The circuit layer can be made of aluminum, and an antenna with excellent performance may thereby be manufactured.
24. 본 발명에 따른 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법은 고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계 및 상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하여 구성된다.
The present invention relates to a substrate for surface-enhanced Raman scattering spectroscopy and a manufacturing method thereof.
25. 본 발명에 따른 고분자 화합물은 소자 적용 시에 스핀 코팅 공정이 가능하고, 우수한 광흡수성, 전기전도성, 광기전력, 및 발광 특성을 제공할 수 있어 유기 고분자 태양전지, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전기 발광 소자 등과 같은 다양한 방면에 응용할 수 있다.
The macromolecular compound according to the present invention can be used in various fields such as organic macromolecular solar cells, organic thin-film transistors and organic electroluminescent elements since it can provide outstanding light-absorbing properties, electrical conductivity, photovoltaic power and light-emission characteristics, and it is amenable to the process of spin coating when the device is employed.
26. 또한, 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하기 위하여 상기 기판 스테이지에 대향되는 상기 챔버의 타측에 설치되는 전원인가용 전극을 포함한다.
27. 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.
The present invention relates to a method for manufacturing an oxide semiconductor thin film transistor, and to an active operating display device and an active operating sensor device using same.
28. 상기 다결정 실리콘 박막 제조장치는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치되고 비정질 실리콘 박막과 도전성 박막을 구비한 기판이 안착되는 기판 스테이지 및, 상기 기판 스테이지에 대향되도록 상기 챔버의 타측에 설치되고 상기 기판 스테이지에 안착된 기판 측으로 이동되어 상기 기판에 구비된 도전성 박막에 전원을 인가하도록 된 전원인가용 전극을 포함한다.
29. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.
30. 본 발명은 높은 정공 이동도와 광전 변환 효율을 나타내는 고효율의 유기 박막 태양전지를 위한 신규의 고분자 재료에 관한 것으로, 보다 구체적으로 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 전자 주게 작용기 함유 화합물과, 화학식 3 내지 화학식 8 중에서 선택되는 하나로 표시되는 전자 받게 작용기 함유 화합물이 교차 반복 도입되는, 고분자 중합체에 관한 것이다.
The present invention relates to a novel polymer material for highly efficient organic thin-film solar cell having a high level of hole mobility and power conversion efficiency, and more specifically to a polymer in which a compound containing an electron donor group and a compound containing an electron acceptor group are introduced repeatedly in alternation, the electron donor group being represented by the chemical formula 1 or chemical formula 2, and the electron acceptor group being represented by one chemical formula selected from among the chemical formulas 3 to 8.
31. 본 발명에 의할 시 제 1 기판 상에 구리, 인듐 및 갈륨으로 구성된 금속 전구체가 코팅된 전구체 기판을 준비하는 단계, 제 2 기판 상에 셀레늄이 코팅된 셀레늄 코팅 기판을 준비하는 단계, 상기 전구체 기판의 금속 전구체 일면과 상기 셀레늄 코팅 기판의 셀레늄 일면을 대면시켜 밀착하는 단계 및 상기 밀착된 전구체 기판 및 셀레늄 코팅 기판을 상기 셀레늄 코팅 기판에 코팅된 셀레늄의 기화가 가능한 온도로 가열하는 단계를 포함하는 CIGS(Copper-Indium-Galium-Selenium) 박막 코팅 기판의 제조방법이 제공된다.
32. 본 개시는 활성층 및 활성층의 상부 및 하부에 배치되어 활성층에 인가되는 응력을 완화시켜 활성층 내부의 자발분극에 의한 전계 및 피에조에 의한 전계의 합을 감소시키는 초격자층으로 형성된 장벽층을 포함하는 발광층; 발광층에 전자를 주입하는 N형 콘택층; 및 발광층을 경계로 N형 콘택층과 대향하게 배치되고, 발광층에 정공을 주입하는 P형 콘택층을 포함하며, 활성층은 질화인듐갈륨(InGaN)을 포함하고, 장벽층은 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 박막 및 질화인듐갈륨(InGaN) 박막이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
The active layer contains indium gallium nitride (InGaN), and the barrier layer is formed by alternately stacking an aluminum gallium nitride (AlGaN) thin film and an indium gallium nitride (InGaN) thin film.
33. 본 발명은 세퍼레이터에 관한 것으로, 더 자세하게는 평면상의 다공성 기재; 및 상기 다공성 기재의 적어도 일면에 형성되어 있으며, 2개 이상의 아민기를 갖는 다관능성 아민 화합물과 2개 이상의 아실 할라이드기를 갖는 방향족 화합물로 된 다관능성 아실 할라이드 화합물이 중합하여 형성된 가교 폴리아미드를 포함하는 다공성 박막 코팅층을 구비한다. 이러한 가교 폴리아미드 다공성 박막은 세퍼레이터의 통기도에 영향을 주지 않으며, 전해액에 대한 친화성 및 젖음성이 우수하여 전지 성능 향상에 기여하고, 내열성과 변형에 대한 저항성이 우수하므로 세퍼레이터의 열수축 방지에 기여한다.
This cross-linked polyamide porous thin-film does not affect the degree of porosity of the separator, contributes to improved electrical performance as it has outstanding affinity and wettability with respect to electrolytic solutions, and contributes to preventing thermal contraction of the separator due to outstanding heat resistance and resistance to deformation.
34. 고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 나노기공 초저유전 박막이 제공되며, 상기 제조 방법은 유기 실리케이트 매트릭스-함유 용액과 반응성 포라젠-함유 용액을 혼합하여 혼합용액을 준비하고; 상기 혼합용액을 기재 상에 도포하여 박막을 형성하고; 상기 박막을 열처리하며, 상기 열처리 과정 중에 오존 처리를 수행하는 것:을 포함하며, 이러한 제조 방법에 의하여 제조된 나노기공 초저유전 박막은, 고온의 오존 처리 및 처리온도의 최적화에 따른 박막 내의 기공의 크기와 분포도의 개선을 통해 2.3 이하의 유전율과 10 GPa 이상의 기계적 강도를 가질 수 있다.
A nanoporous ultra-low dielectric thin film manufactured by the method can have a permittivity of 2.3 or less and a mechanical strength of 10 GPa or more by improving size and distribution of pores in the thin film by virtue of high-temperature ozone treatment and optimized treatment temperature.
35. 본 발명은 반도체 광도파로의 열광학효과에 의한 외부공진형 파장가변 레이저 모듈에 관한 것으로, 상세하게 본 발명에 따른 파장가변 레이저 모듈은 광대역 광을 발생하는 광원; 일 단이 상기 광원과 광결합된 반도체 광도파로; 상기 광도파로 상에 형성된 브래그 격자(Bragg grating); 상기 브래그 격자 상부에 구비되며 열광학 효과에 의해 상기 브래그 격자의 반사 대역을 조절하는 박막 히터; 상기 광도파로 상부에 구비된 제1 온도센서; 상기 광도파로 하부에 구비된 열전냉각기(TEC; Thermo-Electric Cooler); 상기 광도파로와 상기 열전냉각기 사이에 구비된 단열층; 및 상기 광도파로의 다른 일 단과 광결합된 광섬유;를 포함하여 구성된 특징이 있다.
The present invention relates to an external cavity tunable laser module by the thermo-optic effect of a semiconductor optical waveguide.
36. 본 발명의 일 실시예는 다-채널 액체 분배 장치, 이를 포함하는 핵산 추출 장치, 및 이를 이용한 핵산 추출 방법에 관한 것으로서, 이에 따르면 박막 형상의 미세유동 칩을 이용하는 다양한 생물학적 반응을 수행함에 있어서, 상당히 작은 1 이상의 유입부에 동일한 극소량의 액체를 신속하게 분배하여 주입할 수 있고, 단 1회의 사용자 조작으로 상기 1 이상의 유입부에 극소량의 액체의 양을 정확하게 분배할 수 있고, 더 나아가 핵산 추출 반응 시간을 상당히 단축시켜 연이은 다양한 생물학적 검출 또는 분석 반응을 신속하게 진행할 수 있을 것으로 기대된다.
One embodiment of the present invention relates to a multichannel device for distributing a fluid, an apparatus for extracting nucleic acid comprising same, and a method for extracting nucleic acid by using same.
37. 본 발명은 의료용 가온장치에 카트리지(Cartridge)로 장착되어 환자에게 투입되는 수액 또는 혈액을 직접 가열방식으로 가온시키는 수액주입장치의 가온기용 히터모듈 및 그것의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 절연기판; 상기 절연기판의 일면에 순수 금속 혹은 2개 이상의 금속이 소정 비율로 혼합된 합금으로 적층되어 길이와 단면적의 패턴으로 설정된 저항값을 갖는 저항패턴; 상기 저항패턴의 상부면에 소정의 기법으로 도포되어 저항패턴을 보호하고 절연시키는 절연체층; 상기 절연체층의 상부면에 금속성 물질이 설정된 소정의 기법으로 증착되는 전도체층; 상기 전도체층의 상부면에 증착되어 전도체층의 절연과 방수, 내식성, 내화학성을 제공하는 박막 보호층의 적층 구조를 포함한다.
38. 본 발명의 일 실시예는 다-채널 하향 액체 주입 장치, 이를 포함하는 핵산 추출 장치, 및 이를 이용한 핵산 추출 방법에 관한 것으로서, 이에 따르면 박막 형상의 미세유동 칩을 이용하는 다양한 생물학적 반응을 수행함에 있어서, 상당히 작은 1 이상의 유입부에 동일 또는 상이한 극소량의 액체를 신속하게 주입할 수 있고, 단 1회의 사용자 조작으로 상기 1 이상의 유입부에 주입되는 액체의 양을 정확하게 분배할 수 있고, 상기 1 이상의 유입부보다 상대적으로 큰 액체 주입구를 구현할 수 있어서 사용자 편리성이 상당하게 개선될 것으로 기대되고, 아울러 핵산 추출 반응 시간을 상당히 단축하여 연이은 다양한 생물학적 분석 반응을 신속하게 진행할 수 있을 것으로 기대된다.
One embodiment of the present invention relates to a multichannel device for downwardly injecting a fluid, an apparatus for extracting nucleic acid comprising same, and a method for extracting nucleic acid by using same.
39. 본 발명은, 적어도 두 가지 제1유기용매와 산화아연 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체와 산화제를 기판이 내치된 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 산화아연계 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 박막 증착방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 산화아연계 박막은 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막이고, 상기 산화아연계 증착 방법은, 적어도 두 가지 제2유기용매와 갈륨 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체를 상기 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 상기 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막을 증착한다.