indium in Vietnamese

@Indium (Chemie)
- {indium}

Sentence patterns related to "indium"

1. Hafnium-, Indium-, Niob-, Rhenium- und Galliumschrott

2. Aktivmetalle können beispielsweise Titan oder Indium sein.

Vật liệu chế tạo có thể được làm bằng titan hay nhôm.

3. Hafnium-, Indium-, Niob-, Rhenium- und Galliumschrott,

4. d) "III/V-Verbindungen" von Gallium oder Indium.

5. Die Werte der Sauerstoff-Aktivitätskoeffizienten in ternären Gallium-Indium-Antimon-Legierungen wurden berechnet.

6. Um eine wirtschaftliche Gewinnung zu gewährleisten, muss das Indium auf mindestens 1 Gew.

7. Die Wärmekapazität von hochreinem Indium wurde im Bereich von 300 bis 1000 K durch adiabatische Schildkalorimetrie bestimmt.

8. Die Erfindung betrifft ein Kontaktelement aus einem Basismaterial mit wenigstens einer darauf aufgebrachten leitfähigen Schicht, die aus Indium oder aus Indium mit einer Beimischung oder Legierung von wenigstens einem der Elemente aus der Gruppe von Elementen enthaltend Kupfer, Silber, Gold, Bismut, Nickel, Antimon, Palladium, Eisen, Kohlenstoff und Phosphor besteht.

9. Die maximale Extraktion von Indium und Gallium gelingt bei pH-Werten, bei denen sie als Hydroxide vorliegen.

10. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %;

11. metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %;

12. Chemische Erzeugnisse aus Wismut, Gallium, Indium, Selen, Tellur und Kombinationen davon zur Verwendung bei der Herstellung von Farbstoffen und Glasuren, zur Herstellung von Arzneimitteln, zur Herstellung von synthetischem Gummi, zur Herstellung von Benzin, chemische Erzeugnisse aus Wismut, Gallium, Indium, Selen, Tellur und Kombinationen davon zur Verwendung als Legierungszusatz für nicht medizinische Industrieverfahren, chemische Erzeugnisse aus Wismut, Gallium, Indium, Selen, Tellur und Kombinationen davon zur Verwendung bei der Herstellung von Insektiziden, keimtötenden Mitteln und Fungiziden, chemische Erzeugnisse aus Wismut, Gallium, Indium, Selen, Tellur und Kombinationen davon zur Verwendung für Radiologie, Gleichrichter, thermoelektrische Geräte und Halbleiter, Laser- und Maserdioden

13. Galliumnitrid (GaN) und seine ternären Legierungen von Aluminium oder Indium stellen die vielversprechendsten Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dar.

14. In derα-Phase des Indium-Blei Legierungssystems wurden zwischen 0 und 10 at % Pb eingehende Magnetisierungs- und Widerstandsmessungen im longitudinalen Magnetfeld durchgeführt.

15. Derzeit werden unterschiedliche Technologien/Halbleitermaterialien, wie amorphes Silizium, polykristallines Silizium, mikrokristallines Silizium, Cadmiumtellurid, Kupfer-Indium-Selenid/-Sulfid, getestet oder bereits in Serienproduktion hergestellt.

16. DVD-RW nutzen dagegen AIST-Legierungen, die kleine Mengen an Silber (Ag) und Indium (In) sowie ebenfalls Antimon (Sb) und Tellur (Te) enthalten.

17. Unedle Metalle und deren Legierungen, Insbesondere Aluminium, Zinn, Magnesium, Beryllium, Kalzium, Indium, Halbmetalle und Übergangsmetalle wie Kupfer, Zink, Eisen, Titan, Vanadin [Vanadium], Chrom, Mangan, Kobalt, Nickel, Wolfram und Kadmium

18. Die Erfindung betrifft die Verwendung von metallorganischen Verbindungen, die Aluminium, Gallium oder Indium als Metalle enthalten, für die Abscheidung dünner Filme oder epitaktischer Schichten aus der Gasphase.

19. Auf einem Substrat insbesondere aus Silizium ist eine Germanium und/oder Kohlenstoff enthaltenes Silizium-Legierung aufgebracht, in der lichtaktives Material, beispielsweise III-V Halbleitermaterial, insbesondere Indium-Arsenid ein- oder aufgebracht ist.

20. Die Forscher machten insbesondere unter Anwendung einer Molekularstrahlepitaxie zur Verdampfung von Kupfer (Cu), Indium (In) und Selen (Se) Fortschritte hinsichtlich der Aufbereitung von Kupferpyrit (Cu(In, Ga)Se2)-quantendots.

21. Die bei Verwendung von radioaktivem114In als Indikator durchgeführten Untersuchungen der Verteilung von Indiumtribromid durch Aktivitätsmessung ergaben, daß Indium bei einer einzigen Extraktion aus 6-m HBr quantitativ wiedergefunden wird.

22. Eine Apparatur zum Ausschluß der Laboratoriumsatmosphäre wird beschrieben und eine Arbeitsvorschrift zur polarographischen Bestimmung der Elemente Blei, Cadmium, Eisen, Indium, Kupfer, Nickel, Thallium, Wismut und Zink bis 10−6% in reinstem Silicium angegeben.

23. Dünnschicht-Solarzellen (TFSC) werden durch Auftragen eines Dünnfilms aus einem hochempfindlichen anorganischen Halbleitermaterial, wie beispielsweise Cadmiumtellurid (CdTe), amorphes Silizium (a-Si) oder Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIS/CIGS), auf einem Substrat hergestellt.

24. Multikomponenten-Katalysatoren, die a) Platin und Zinn und b) Galliu, Indium, Cobalt und/oder Germanium, c) gegebenenfalls Scandium, Yttrium und/oder Lanthan und d) gegebenenfalls Alkali- und/oder Erdalkalimetalle auf einem Zirkonoxid-Träger, der gegebenenfalls SiO¿2?, Al¿2¿O¿3?

25. In der Nomenklatur gelten als"unedle Metalle": Eisen und Stahl, Kupfer, Nickel, Aluminium, Blei, Zink, Zinn, Wolfram, Molybdän, Tantal, Magnesium, Cobalt, Bismut, Cadmium, Titan, Zirconium, Antimon, Mangan, Beryllium, Chrom, Germanium, Vanadium, Gallium, Hafnium, Indium, Niob (Columbium), Rhenium und Thallium.

26. Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind wasserfreie schweißhemmende Zusammensetzungen mit verbesserter schweißhemmender Leistung, die als Spray appliziert werden und die mindestens einen schweißhemmenden Wirkstoff, mindestens ein Doppelsalz vom Alaun-Typ mit der allgemeinen Formel MIMIII(SO4)2 ⋅ X H2O (mit MI = ein einwertiges Kation, ausgewählt aus Kalium-, Natrium-, Rubidium-, Cäsium- und Ammonium-Ionen; MIII = ein dreiwertiges Kation, ausgewählt aus Aluminium-, Gallium-, Indium-, Scandium-, Titan- und Vanadium-Ionen; x = rationale Zahl im Bereich von 0 bis 12, einschließlich 0) und 0,01 - 7 Gew.-% mindestens einer Siliciumoxid-haltigen Verbindung, ausgewählt aus hydrophob modifizierten Kieselsäuren und hydrophob modifizierten Schichtsilikaten, enthalten.