1. Values of oxygen activity coefficients in ternary gallium-indium-antimony alloys were predicted.

Die Werte der Sauerstoff-Aktivitätskoeffizienten in ternären Gallium-Indium-Antimon-Legierungen wurden berechnet.

2. Indium is a very soft, silvery- white true metal that has a bright luster .

Um eine wirtschaftliche Gewinnung zu gewährleisten, muss das Indium auf mindestens 1 Gew.

3. Resistance and magnetization measurements have been made onα-phase Indium Lead alloys in a longitudinal magnetic field.

In derα-Phase des Indium-Blei Legierungssystems wurden zwischen 0 und 10 at % Pb eingehende Magnetisierungs- und Widerstandsmessungen im longitudinalen Magnetfeld durchgeführt.

4. The heat capacity of high-purity indium has been determined by adiabatic-shield calorimetry in the range 300 to 1000 K.

Die Wärmekapazität von hochreinem Indium wurde im Bereich von 300 bis 1000 K durch adiabatische Schildkalorimetrie bestimmt.

5. The present invention relates to a fluid phase method for producing indium oxide-containing layers, in which a composition comprising at least one indium oxo-alkoxide of the generic formula MxOy(OR)z[O(R'O)eH]aXbYc[R"OH]d with x = 3 - 25, y = 1 - 10, z = 3 - 50, a = 0 - 25, b = 0 - 20, c = 1 - 20, d = 0 - 25, e = 0, 1, M = In, R, R', R" = organic remainder, X = F, Cl, Br, I, and Y = -NO3, -NO2, where b + c is = 1 - 20 and at least one solvent is applied to a substrate, optionally dried, and converted into an indium oxide-containing layer, to the indium oxo-alkoxides of the indicated generic formula, to coating compositions comprising said indium oxo-alkoxides, to layers that can be produced by means of the method according to the invention, and to the use of said layers.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, bei dem eine Zusammensetzung enthaltend mindestens ein Indiumoxoalkoxid der generischen Formel MxOy(OR)z[O(R'O)eH]aXbYc[R"OH]d mit x = 3 - 25, y = 1 - 10, z = 3 - 50, a = 0 - 25, b = 0 - 20, c = 1 - 20, d = 0 - 25, e = 0, 1, M = In, R, R', R" = organischer Rest, X = F, Cl, Br, I, und Y = -NO3, -NO2, wobei b + c = 1 - 20 ist und mindestens ein Lösemittel auf ein Substrat aufgebracht, ggf. getrocknet, und in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, die Indiumoxoalkoxide der genannten generischen Formel, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Schichten und ihre Verwendung.

6. Gallium nitride (GaN) and its ternary alloys of aluminium or indium are the most promising semiconductors for fabricating optoelectronic, high-frequency and high-power devices.

Galliumnitrid (GaN) und seine ternären Legierungen von Aluminium oder Indium stellen die vielversprechendsten Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dar.

7. Common metals and their alloys, preferably aluminum, tin, magnesium, beryllium, calcium, indium, semimetals and transition metals like copper, zinc, iron, titanium, vanadium, chrome, manganese, cobalt, nickel, tungsten and cadmium

Unedle Metalle und deren Legierungen, Insbesondere Aluminium, Zinn, Magnesium, Beryllium, Kalzium, Indium, Halbmetalle und Übergangsmetalle wie Kupfer, Zink, Eisen, Titan, Vanadin [Vanadium], Chrom, Mangan, Kobalt, Nickel, Wolfram und Kadmium

8. Currently there are different technologies/semiconductor materials under investigation or in mass production, such as amorphous silicon, poly-crystalline silicon, micro-crystalline silicon, cadmium telluride, copper indium selenide/sulfide.

Derzeit werden unterschiedliche Technologien/Halbleitermaterialien, wie amorphes Silizium, polykristallines Silizium, mikrokristallines Silizium, Cadmiumtellurid, Kupfer-Indium-Selenid/-Sulfid, getestet oder bereits in Serienproduktion hergestellt.

9. Cutting machines for semiconductor substrates made of sapphire, silicon, silicon carbide, glass, crystal, lithium tantalite, gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride or aluminum gallium arsenide and bonded wafers of these substances

Schneidemaschinen für Halbleitersubstrate aus Saphir, Silizium, Siliziumkarbid, Glas, Kristall, Lithium-Tantalit, Galliumarsenid, Indiumphosphid, Galliumnitrid oder Aluminum/Galliumarsenid und Verbundwafer aus diesen Substanzen

10. A germanium- and/or carbon-containing silicon-alloy is applied to a substrate made, in particular, from silicon, in or on which a light-active material, for example, III-V semiconductor material, in particular, indium arsenide, is applied.

Auf einem Substrat insbesondere aus Silizium ist eine Germanium und/oder Kohlenstoff enthaltenes Silizium-Legierung aufgebracht, in der lichtaktives Material, beispielsweise III-V Halbleitermaterial, insbesondere Indium-Arsenid ein- oder aufgebracht ist.

11. Thin-film solar cells (TFSCs) are made by depositing a thin film of highly photosensitive inorganic semiconductor material such as cadmium telluride (CdTe) or amorphous silicon (a-Si) or copper indium gallium selenide (CIS/CIGS) on a substrate.

Dünnschicht-Solarzellen (TFSC) werden durch Auftragen eines Dünnfilms aus einem hochempfindlichen anorganischen Halbleitermaterial, wie beispielsweise Cadmiumtellurid (CdTe), amorphes Silizium (a-Si) oder Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIS/CIGS), auf einem Substrat hergestellt.