질화 갈륨 in Vietnamese

gallium nitride

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1. 갈륨 인듐 탈륨

2. 오늘날, ‘알미늄’, ‘갈륨’ 및 비소 원소의 합금으로 ‘핀’머리보다도 작은 ‘레이저’들이 제조되고 있는데 수명은 1년 이상이다.

3. 그 이상의 4가지 원소들은 상온보다 약간 높은 곳에서 녹는점을 가지고 있다: 프란슘, 칼슘, 갈륨, 루비듐.

4. ‘갈륨’(‘에카-알루미늄’)은 1876년에 ‘프랑스’에서 발견되었고, ‘스칸듐’(‘에카’-붕소)은 1879년에 ‘스웨덴’에서 발견되었고, 1886년에 ‘게르마늄’(‘에카’-규소)이 독일에서 발견되었다.

5. 상기 기판 및 질화 구조물의 수평 단면은 두 개의 예각 및 두 개의 둔각을 내각으로 하는 마름모 형상을 가지고, 상기 기판의 적어도 일 측면에는, 수평방향으로 형성된 띠 형상을 갖는 적어도 하나 이상의 개질 영역이 형성된다.

6. 본 발명은, 적어도 두 가지 제1유기용매와 산화아연 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제1유기용매와 상기 산화아연 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체와 산화제를 기판이 내치된 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 산화아연계 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 박막 증착방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 산화아연계 박막은 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막이고, 상기 산화아연계 증착 방법은, 적어도 두 가지 제2유기용매와 갈륨 전구체를 혼합하는 단계; 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시키는 단계; 및 상기 적어도 두 가지 제2유기용매와 상기 갈륨 전구체의 혼합액을 기화시켜 얻어진 기체를 상기 증착 챔버에 공급하여 상기 기판 상에 상기 갈륨이 도핑된 산화아연계 박막을 증착한다.

7. AN / APG-79은 AN/APG-65의 개량형으로 개발된 AN / APG-73의 프론트 엔드 부를 개량하면서 액티브 위상 어레이 (AESA) 화한 것으로, 약 1,100 개의 갈륨 비소 (GaAs) 제 T / R 모듈 ( 모 놀리 식 극초단파 집적 회로 와 전파 발신 소자로 구성)을 갖추고있다.

8. 본 발명은 퀀텀닷 나노결정 복합체를 이용한 다중세균 검출장치 및 이의 검출방법에 관한 것으로서, 아연, 카드늄, 납, 구리, 갈륨, 비소, 탈륨, 니켈, 망간 및 창연으로 이루어진 메탈 군으로부터 하나 이상 선택되는 나노 결정에 미생물을 유인하기 위한 미생물 유인 물질이 결합된 나노 결정-미생물 유인 물질 복합체 및 이의 제조방법을 제공한다.

9. 이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다.

10. 상기 방법은, (a) 구리, 인듐, 갈륨 중 하나 이상을 포함하는 프리커서를 기판에 증착하는 단계; (b) 반응 용기의 내부의 일면에 셀렌을 증착시키는 단계; (c) 상기 반응 용기내에 상기 기판을 배치하되, 상기 반응 용기의 셀렌 증착면과 상기 기판의 프리커서 증착면이 일정 간격 이격되면서 서로 마주보도록 배치한 후, 상기 반응 용기를 밀폐시키는 단계; (d) 상기 밀폐된 반응 용기를 급속 열처리 장비의 반응 챔버내에 장입시키는 단계; (e) 상기 반응 용기를 열처리하여 기판의 프리커서를 셀렌화하는 단계;를 구비하여, 기판의 표면에 광흡수층을 형성한다.